孙瑞泽

作品数：11被引量：12H指数：2
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发文主题：漂移区关断损耗IGBT极区导通压降更多>>
发文领域：电子电信电气工程兵器科学与技术环境科学与工程更多>>
发文期刊：《电子与封装》《微电子学》《微电子学与计算机》《固体电子学研究与进展》更多>>
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一种具有高电流能力的雪崩触发栅控晶闸管
《太赫兹科学与电子信息学报》2025年第4期346-352,共7页孙新淇 杨禹霄 邓时雨 陈资文 刘超 孙瑞泽 陈万军 
国家自然科学基金资助项目(U21A20499,62334003)。
提出一种新的利用雪崩触发的MOS控制晶闸管(AT-MCT),在电容脉冲放电中实现了高电流峰值、高电流上升能力(di/dt)及非工作状态的非激活保护功能。器件结构包含P-body中的高掺杂雪崩层(N-AL)以及阴极区域和MOS结构分离的N+。当施加栅极电...
关键词：雪崩 电流峰值 高电流上升能力(di/dt) 瞬态载流子二维传输效应 非激活保护 
压控型脉冲功率半导体器件技术及应用被引量：3
《强激光与粒子束》2024年第9期94-102,共9页孙瑞泽 陈万军 刘超 刘红华 姚洪梅 张波 
国家自然科学基金项目(62334003)。
近年来,采用新一代半导体开关替代传统气体或真空开关是脉冲功率系统的一种重要发展趋势。为了给脉冲功率半导体器件领域的技术发展提供参考,简要介绍了压控型脉冲功率半导体器件技术的发展历程,总结了MOS栅控晶闸管(MCT)在器件设计、...
关键词：脉冲功率技术 脉冲功率半导体开关 MOS栅控晶闸管 电压控制 重复脉冲 
基于新型绝缘栅触发晶闸管的高功率准矩形脉冲源被引量：1
《电子与封装》2021年第12期54-60,共7页陈楠 陈万军 尚建蓉 刘超 李青岭 孙瑞泽 李肇基 张波 
提出了一种基于新型绝缘栅触发晶闸管(Insulated Gate Trigger Thyristor,IGTT)的高功率准矩形脉冲源。采用IGTT作为开关器件,实现了形成准矩形脉冲波所需的极低开关器件电阻,其导通电阻低、开启速度快的优点,使其非常好地满足了准矩形...
关键词：脉冲功率 准矩形脉冲 绝缘栅触发晶闸管 电流上升率 
新型阶梯变掺杂SiC漂移阶跃恢复二极管
《微电子学》2021年第1期96-100,共5页谯彬 陈万军 高吴昊 夏云 张柯楠 孙瑞泽 
四川省青年科技基金资助项目(2017JQ0020);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(ZYGX2016Z006)。
漂移阶跃恢复二极管(DSRD)一般应用于超宽带脉冲信号源,可以将纳秒级高压脉冲换向负载,这对于输出脉冲的上升前沿有很高的要求。文章提出了一种具有基区变掺杂的新型宽禁带材料漂移阶跃恢复二极管,将传统的基区掺杂变为阶梯式的浓度分布...
关键词：漂移阶跃恢复二极管 泵浦电路 碳化硅 内建电场 变掺杂 
GaN单片功率集成电路研究进展被引量：4
《电子与封装》2021年第2期23-34,I0002,共13页赖静雪 陈万军 孙瑞泽 刘超 张波 
国家自然科学基金(62004030)。
GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件具有工作频率高、导通损耗小等优点,已经开始广泛应用在多种高频、高效功率转换器中,而拥有更高集成度的全GaN单片集成电路可进一步提高基于GaN HEMT器件功率变换器的性能。介绍了不同类型的全GaN集成...
关键词：AlGaN/GaN HEMT 全氮化镓 变换器IC 单片集成 功率变换 
一种降低GaN HEMT沟道温度的新结构
《微电子学与计算机》2020年第8期27-31,36,共6页李佳 陈万军 孙瑞泽 信亚杰 
国家自然科学基金项目(60906037,61274090)。
针对氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)沟道温度过高导致器件性能下降的问题,提出一种降低GaN HEMT沟道温度的新结构,通过优化沟道电场来降低沟道温度.该结构采用混合势垒层设计,将栅极下方的势垒层分为两层,上层采用AlN,下层采用重...
关键词：氮化镓(GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 沟道温度 混合势垒层 
pMOS器件NBTI效应随着器件参数变化规律的一种模型被引量：1
《固体电子学研究与进展》2018年第1期25-31,共7页刘毅 孙瑞泽 贺威 曹建民 
深圳市科技计划项目(JCYJ20160308093947132)
器件的负偏压温度不稳定性(Negative bias temperature instability,NBTI)退化依赖于栅氧化层中电场的大小和强反型时沟道空穴浓度,沟道掺杂浓度的不同显然会引起栅氧化层电场的变化。栅氧化层的厚度不仅影响栅氧化层电场,而且会影响沟...
关键词：半导体物理 负偏压温度不稳定性 阈值电压 沟道掺杂浓度 栅氧厚度 可靠性 
界面电荷位置对短沟道pMOS器件阈值电压的影响被引量：2
《固体电子学研究与进展》2016年第5期369-373,共5页孙瑞泽 刘毅 张准 贺威 曹建民 
深圳市科技计划项目(JCYJ20160308093947132;JCYJ20140418095735595)
通过二维数值模拟的方法,研究了短沟道器件中不同位置的界面电荷对pMOS器件阈值电压的影响。把pMOS器件栅氧化层等分成不同的区域,随即可以在不同的区域设置不同的界面电荷,从而很好地模拟了器件界面电荷处于不同位置时阈值电压漂移的...
关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管器件 负偏压温度不稳定性 器件模拟 界面电荷 
基于VLD技术的MCT器件仿真分析
《电子与封装》2014年第8期28-31,共4页阮建新 陈万军 孙瑞泽 彭朝飞 张波 
国家科技重大专项02专项(2011ZX02706-003);预研项目(51308030407)
针对在脉冲功率领域有一定应用的栅控晶闸管(MCT)器件,提出了一种基于VLD(横向变掺杂)技术的MCT(VMCT)器件新工艺并通过仿真比较出新工艺的优势。VLD技术是指通过调整掩模版窗口的大小调节杂质掺杂浓度,进而优化MCT中NPN晶体管的电流放...
关键词：MCT VLD 击穿电压 电流能力 
一种高di/dt栅控晶闸管的三重扩散工艺优化
《电子与封装》2014年第7期29-33,共5页孙瑞泽 陈万军 彭朝飞 阮建新 张波 
国家科技重大专项(2011ZX02706-003);预研项目(51308030407)
传统栅控晶闸管(MCT)的制造工艺中存在阱区浓度调整与器件性能最大化之间的矛盾,提出了一种具有高电流上升率的制造工艺的优化,实现了具有更高正向电流能力与低阈值电压的MCT器件。结果表明该工艺制造的MCT在脉冲放电应用中电流上升率(d...
关键词：三重扩散 栅控晶闸管 电流上升率 脉冲放电 
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