阮建新

作品数：3被引量：1H指数：1
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供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文主题：MCT脉冲放电IGBT绝缘栅晶体管DI/DT更多>>
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基于VLD技术的MCT器件仿真分析
《电子与封装》2014年第8期28-31,共4页阮建新 陈万军 孙瑞泽 彭朝飞 张波 
国家科技重大专项02专项(2011ZX02706-003);预研项目(51308030407)
针对在脉冲功率领域有一定应用的栅控晶闸管(MCT)器件,提出了一种基于VLD(横向变掺杂)技术的MCT(VMCT)器件新工艺并通过仿真比较出新工艺的优势。VLD技术是指通过调整掩模版窗口的大小调节杂质掺杂浓度,进而优化MCT中NPN晶体管的电流放...
关键词：MCT VLD 击穿电压 电流能力 
一种高di/dt栅控晶闸管的三重扩散工艺优化
《电子与封装》2014年第7期29-33,共5页孙瑞泽 陈万军 彭朝飞 阮建新 张波 
国家科技重大专项(2011ZX02706-003);预研项目(51308030407)
传统栅控晶闸管(MCT)的制造工艺中存在阱区浓度调整与器件性能最大化之间的矛盾,提出了一种具有高电流上升率的制造工艺的优化,实现了具有更高正向电流能力与低阈值电压的MCT器件。结果表明该工艺制造的MCT在脉冲放电应用中电流上升率(d...
关键词：三重扩散 栅控晶闸管 电流上升率 脉冲放电 
MCT与Clustered IGBT在大功率应用中的比较研究被引量：1
《电子与封装》2014年第6期32-36,共5页彭朝飞 陈万军 孙瑞泽 阮建新 张波 
国家科技重大专项02专项(No.2011ZX02706-003);预研项目(51308030407)
针对两种应用于大功率领域的半导体器件——栅控晶闸管(MCT)和组合式绝缘栅晶体管(CIGBT),采用数值仿真软件进行了比较研究。静态仿真结果表明MCT具有更低的正向压降,只有CIGBT的50%左右,而CIGBT得益于其电流饱和特性,具有更大的短路安...
关键词：组合式绝缘栅晶体管 栅控晶闸管 大功率应用 脉冲放电 
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