云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- PMOS

PMOS: 作品数：140被引量：157H指数：6; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：张波张金平李泽宏任迪远刘竞秀更多>>; 相关机构：电子科技大学上海华力集成电路制造有限公司中芯国际集成电路制造(上海)有限公司上海华力微电子有限公司更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金中国科学院院长基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>

T型栅PMOS器件跨导双峰效应的研究: 《集成电路与嵌入式系统》2025年第3期54-58,共5页彭宏伟赵小寒陈祎纯陈睿凌王青松徐大为; T型栅PMOS器件因其强抗辐照能力、低寄生电容,逐渐成为RFSOI电路中必不可少的器件。而跨导是MOS器件中的一个关键参数,但T型栅PMOS器件的跨导会在栅极电压增大时出现双峰效应,影响电路研制的判断。本文首先结合实测数据和3D TCAD仿真结...; 关键词：T型栅PMOS 跨导双峰效应 SOI TCAD

Comparative Analysis of Noise Margin Between Pure SET-SET and Hybrid SET-PMOS Inverters: 《Chinese Journal of Electronics》2025年第1期146-155,共10页Fan Zhang Yi Liu Yibo Wang Minghu Wu Sheng Hu Youli Dong; supported by the Natural Science Foundation of Hubei Province(Grant No.2022CFA007);the Science and Technology Project of Hubei Province(Grant No.2022BEC017);the Key Research and Development Plan of Hubei Province(Grant No.2021BGD013);the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.11605051 and 11875146)。; Single-electron transistor(SET)is considered as one of the promising candidates for future electronic devices due to its advantages of low power consumption and high integration.The comparative analysis of SET-based i...; 关键词：Pure SET-SET Hybrid SET-PMOS Noise tolerance Power consumption

一种超低损耗理想二极管设计: 《现代信息科技》2024年第24期7-11,15,共6页陈石平李烁瀚凡飞飞陈金杰冯俊劼; 广东省教育厅普通高校重点科研平台和项目(2023KCXTD067);广东省教育科学规划领导小组办公室教育科学规划项目(2022GXJK101);粤职继续教育与职业培训委教学改革项目(2022YJZW022);广东科贸职业学院校级科研项目(GDKM2023-01,GDKM2022-118,GDKM2022-120);教育部学生司第二期供需对接就业育人项目(20230103005,20230103207,20230105347,20230109373);2023年广东省高等职业教育教学质量与教学改革工程项目(2023JG038)。; 首先文章介绍了目前实现理想二极管技术方案优缺点,对方案进行改进,设计一种超低损耗理想二极管控制电路,电路由PMOS主管、PMOS辅管、两个偏置电阻组成。优先选用相同参数、封装在一起的集成PMOS辅管和两个偏置电阻组成比较电路,控制PMO...; 关键词：超低损耗理想二极管 PMOS辅管倒灌电流

基于PMOS器件的低压驱动电路仿真及设计: 《电子制作》2024年第21期92-96,共5页刘洋刘澎岳一鹏; 本文以PMOS为核心器件,搭配不同的分立器件组合成三种不同的高边开关基本拓扑机构,经仿真分析和试验验证,功能和性能指标基本吻合,满足低压负载的驱动需求。这三种驱动电路可作为“最小硬件单元”,搭配其他功能电路如过载保护、电流反馈...; 关键词：PMOS 低压驱动电路仿真

FD-SOI器件中PMOS源漏区外延层形貌改善研究: 《集成电路应用》2024年第2期60-62,共3页方精训吕健; 阐述FD-SOI器件中SiGe-RSD形貌不规则是导致Si Cap层被金属扎穿的原因。针对这一问题,对SiGe-RSD的制备工艺进行逐层(L1/L2/L3)优化,最终制备出形貌规则、表面平整的样品。随后的接触通孔工艺环节Si Cap层未被扎穿,形成良好的合金,器件P...; 关键词：集成电路制造 FD-SOI 外延凸起源漏结构

一种超级电容充放电管理方案: 《电子制作》2024年第2期16-18,共3页颜嘉元; 超级电容又称法拉电容,是指容量为法拉级的电化学电容,其具有体积小、容量大、充电快、电压记忆特性好、可靠性高等特点。本文介绍了一种超级电容充放电管理方案,该方案可对超级电容进行快速充电,并能合理、快速地控制系统主电源与超级...; 关键词：超级电容电压比较器均衡电路 PMOS

一种高压驱动器的抗辐射加固设计被引量：2: 《电子与封装》2023年第8期56-62,共7页蒋红利江月艳孙志欣邵卓钟涛高欣宇; 随着星载雷达技术的发展,发射及接收(T/R)组件系统中的发射功率越来越高。高压调制驱动器配套功率开关PMOS管,作为T/R组件中大功率GaN功放的电源调制驱动,大大提高了T/R组件的集成度及可靠性。介绍了一款T/R组件系统中32V的高压调制驱动...; 关键词：高压驱动器电源调制 PMOS 抗辐射加固高压BCD工艺

基于单一PMOS差分对的轨到轨输入运算放大器设计被引量：1: 《电子元件与材料》2023年第6期743-749,共7页杨九川杨发顺马奎; 国家自然科学基金(61664004);贵州大学引进人才项目(贵大人基合字[2019]63号)。; 基于国内某CMOS工艺设计了一种单一PMOS差分对的轨到轨输入、恒跨导CMOS运算放大器。输入级电路采用折叠共源共栅结构,通过体效应动态调节输入管的阈值电压扩展共模输入范围到正负电源轨,恒定共模输入范围内的跨导,自级联电流镜有源负...; 关键词：PMOS差分对轨到轨输入恒跨导共源共栅体效应

PMOS负偏压温度不稳定性的改善研究: 《集成电路应用》2023年第4期48-51,共4页李冰寒于涛易华晓春; 阐述MOS器件的尺寸逐渐缩小,器件可靠性问题日益突出,特别是PMOS负偏压温度不稳定性(NBTI),逐渐成为影响器件可靠性的关键问题之一。探讨PMOS NBTI效应,设计一系列实验。结果表明,在PMOS源漏结形成过程中,增加F离子注入,以及引入拉应力...; 关键词：集成电路制造 PMOS 负偏压温度不稳定性工艺优化

基于PMOS的自取电直流固态断路器被引量：3: 《高电压技术》2023年第3期1304-1313,共10页彭宇航王鹿军田爱娜张晓星吴铁洲申喜; 湖北省重点研发计划(2022BID012);湖北省自然基金面上项目(2022CFB404);国家自然科学基金(51607060)。; 相比传统机械式断路器,固态断路器(solid-state circuit breaker,SSCB)以其分断速度快、不产生电弧等优点,在直流电网中得以广泛关注。然而,固态断路器基于半导体开关器件,除功率电路外还需要额外的控制和驱动电路,这部分电路工作需要...; 关键词：直流固态断路器直流电网 PMOS 自取电拓扑结构耦合能量

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