共源共栅

作品数：230被引量：405H指数：7
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低压低功耗大带宽高增益CMOS运算放大器设计研究
《科技资讯》2025年第3期111-113,共3页张明文 王亚东 吴宇鹏 彭加添 
大学生创新创业训练计划项目“低压低功耗大带宽高增益CMOS运算放大器设计”(项目编号:S202310397076)。
大学生创新创业训练计划项目深入研究分析了传统两级互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)运算放大电路,并提出了一种基于共源共栅间接补偿结构的CMOS高性能运算放大器。该放大器能够克服因传统密勒补...
关键词：共源共栅间接补偿 密勒补偿 运算放大器 高增益 大带宽 
一种24~27 GHz共源共栅高增益低噪声放大器设计
《广东工业大学学报》2024年第6期26-32,共7页陈鸿棋 罗德鑫 蓝亮 张志浩 章国豪 
国家重点研发计划项目(2018YFB1802100);广东省“珠江人才计划”本土创新科研团队项目(2017BT01X168)。
基于40 nm CMOS工艺,设计了一款高增益的低噪声放大器芯片。该芯片的拓扑架构采用了变压器输入匹配技术和正反馈同相放大技术,以提高输入匹配程度和增益。通过在传统共源共栅结构的输入级引入有源偏置网络及变压器匹配网络,实现的芯片...
关键词：高增益 变压器输入匹配 正反馈同相放大技术 有源偏置网络 
6 GHz~18 GHz中功率放大器芯片的设计与实现
《现代雷达》2024年第11期105-109,共5页李鑫 肖曼琳 蒋明 杜鑫威 
设计并实现了一款高性能的宽带中功率放大器芯片,该芯片采用0.25μm砷化镓赝调制掺杂异质结场效应晶体管工艺,并通过运用共源共栅电路结构,显著提升了放大器的增益水平。同时,引入负反馈技术,有效改善了增益的平坦度,极大地拓宽了放大...
关键词：Ku波段 中功率放大器 砷化镓赝调制掺杂异质结场效应晶体管工艺 共源共栅 单片微波集成电路 
一种高性能CMOS运算放大器的设计
《中国集成电路》2024年第11期46-49,91,共5页郭国发 
为适应当前芯片趋于高速电路的发展趋势。本文设计了一款具有高宽带、高增益性能的运算放大器电路。它采用了深亚微米CMOS的28nm工艺和IO端口1.8 V电源电压来实现。该电路主要利用了增益自举增强技术结合共源共栅结构来提升放大器的增...
关键词：运算放大器 共源共栅 增益自举 单位增益带宽 
一种高性能CMOS二级运算放大器的设计
《中国集成电路》2024年第7期50-56,共7页邓鸿添 蔡佳奎 徐铫峰 金豫浙 
江苏省高等学校大学生创新创业训练计划(202313987014Y);扬州大学广陵学院自然科学研究项目(ZKZD23001)。
基于0.18μm标准CMOS工艺设计了一款高性能的二级运算放大器,输入级采用pmos差分对输入的折叠式共源共栅结构,输出级采用共源级结构,两者级联实现双端输入单端输出;整个电路由带隙基准源提供稳定的偏置。在1.8V工作电压和0.9V共模电压...
关键词：折叠式共源共栅 带隙基准 高增益 运算放大器 
Ka波段CMOS有源矢量合成移相器
《微波学报》2024年第3期53-56,共4页刘帅 
本文基于65 nm硅基互补金属氧化物半导体工艺设计了一款Ka波段有源矢量合成移相器。该电路由正交耦合器、单端转差分信号的巴伦、可变增益放大器、信号合成网络组成。基于集总LC等效模型的正交发生器能够实现紧凑尺寸并获得高精度正交信...
关键词：互补金属氧化物半导体 矢量合成 移相器 可变增益放大器 共源共栅 
0.6~18.0 GHz超宽带低噪声放大器MMIC
《固体电子学研究与进展》2024年第2期125-130,共6页郝翔 王维波 闫俊达 袁巍 韩方彬 陶洪琪 
基于0.15μm GaAs E-pHEMT工艺设计并制备了一款0.6~18.0 GHz的低噪声放大器单片微波集成电路。该放大器使用一级共源共栅结构,通过负反馈实现宽带的匹配设计。同时在共栅晶体管栅极增加到地电容,共源管和共栅管漏极增加峰化电感,以提...
关键词：超宽带 低噪声放大器 共源共栅 单片微波集成电路 砷化镓 
基于GaAs pHEMT工艺的0.1 GHz~8.0 GHz低噪声放大器
《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》2023年第5期30-35,74,共7页叶乔霞 陈奇超 张超 高海军 
国家自然科学基金资助项目(61871161)。
基于0.25μm GaAs pHEMT工艺,设计了一款工作频率为0.1 GHz~8.0 GHz的超宽带低噪声放大器,采用单级共源共栅(cascode)结构,使用电阻并联负反馈扩展了低噪声放大器的带宽,并且采用电感中和技术补偿了高频增益与提高频率响应。仿真结果表...
关键词：砷化镓 低噪声放大器 共源共栅 宽带 
基于FC-AB结构的运放标准化设计流程研究
《微电子学》2023年第4期595-602,共8页范柚攸 王仕祯 翁勋维 张龙 权海洋 
北京微电子技术研究所高校专项科研计划项目(TX-Z22-01)
折叠式共源共栅和Class AB(FC-AB)结构的运算放大器被广泛研究和使用,但是其结构应用的多变性使设计者难以快速准确地设计出符合要求的电路。文章提出了一种标准化的运算放大器设计流程,设计者可以根据应用需求快速灵活地设计目标电路...
关键词：设计流程 折叠共源共栅 Class AB级输出 低噪声运算放大器 
基于单一PMOS差分对的轨到轨输入运算放大器设计被引量：1
《电子元件与材料》2023年第6期743-749,共7页杨九川 杨发顺 马奎 
国家自然科学基金(61664004);贵州大学引进人才项目(贵大人基合字[2019]63号)。
基于国内某CMOS工艺设计了一种单一PMOS差分对的轨到轨输入、恒跨导CMOS运算放大器。输入级电路采用折叠共源共栅结构,通过体效应动态调节输入管的阈值电压扩展共模输入范围到正负电源轨,恒定共模输入范围内的跨导,自级联电流镜有源负...
关键词：PMOS差分对 轨到轨输入 恒跨导 共源共栅 体效应 
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