互补金属氧化物半导体

作品数：363被引量：553H指数：9
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基于田口方法的CMOS栅极掩膜层清洗工艺优化研究
《微纳电子技术》2025年第5期87-93,共7页吴国才 张玉龙 孙瑞 时建成 杨彪 
国家自然科学基金青年基金(61805162)。
返工清洗互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管栅极上的光刻胶掩膜层,不合理的工艺将会导致栅极膜层电阻的偏高。制备多晶硅/WSi2结构的CMOS栅极膜层,然后对栅极进行光刻图形化处理并明确光刻胶清洗的机理。通过引入田口方法组合清洗工艺...
关键词：互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管栅极 光刻胶清洗 田口方法 工艺优化 电阻差 
电容式压力传感器的设计和仿真分析
《传感器与微系统》2025年第4期88-91,共4页曹海燕 王慧慧 赵鹤然 孙晓东 张颖 
辽宁省高等学校基本科研项目(LJKQZ2021189)。
对微器件中应用较广泛的一种电容式MEMS压力传感器的结构进行了优化设计,提出了一种新型的电容式压力传感器设计方案,使MEMS结构与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容。通过Ansys软件建立模型并进行仿真分析,结果表明:传感器的性能与...
关键词：电容式压力传感器 互补金属氧化物半导体工艺 ANSYS软件 敏感膜 
CMOS低噪声高响应度太赫兹探测器线阵电路设计
《半导体技术》2025年第3期296-303,共8页徐雷钧 马宇杰 黄磊 白雪 陈建锋 
国家自然科学基金(61874050)。
为了进一步提高电压响应度和探测成像速度,降低噪声等效功率,基于0.18μm CMOS工艺设计了一种低噪声高响应度太赫兹探测器线阵电路,提出了一种由自混频功率探测电路、电压缓冲级、运算放大器组成的1×4太赫兹阵列结构。通过源极差分驱...
关键词：互补金属氧化物半导体(CMOS) 太赫兹 探测器 高响应度 低噪声 
基于忆阻器-CMOS的典型组合逻辑电路设计被引量：1
《华中科技大学学报(自然科学版)》2025年第3期127-134,共8页吴建新 夏景圆 王锡胜舜 戴高乐 钟祎 
国家自然科学基金资助项目(62071190);华中科技大学实验技术研究项目(2025-1.1-03)。
首先介绍忆阻器的通用模型原理及性能;随后对比例逻辑方法进行改良,优化逻辑单元结构;最后利用新型比例逻辑方法设计编码器、译码器、全加器、数据选择器等逻辑电路,并使用LTSPICE对设计的电路进行仿真验证和性能测试.分析结果表明:设...
关键词：忆阻器 互补金属氧化物半导体(CMOS) 逻辑电路 LTSPICE 比例逻辑 
用于PON的低成本CMOS BM-TIA设计
《光通信研究》2025年第1期52-58,共7页赵婉青 夏翼飞 李佳 徐颂秦 马帅哲 杨睿煊 耿莉 李丹 
国家重点研发计划资助项目(2022YFB2803301);国家自然科学基金面上资助项目(62074126)。
【目的】在高速率无源光网络(PON)需求的快速增长下,低成本低噪声突发模式跨阻放大器(BM-TIA)成为其关键的制约因素。文章基于低成本40 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计了一种适用于10吉比特对称无源光网络(XGS-PON)的快速建立...
关键词：互补金属氧化物半导体工艺 10吉比特对称无源光网络 突发模式跨阻放大器 多速率兼容 快速建立 
一种基于CMOS的小型化量子随机数产生装置
《量子电子学报》2024年第6期924-932,共9页王其兵 王林松 王雅琦 李力 许华醒 王少华 
国家自然科学基金(62001440)。
为满足量子随机数发生器(QRNG)的小型化、集成化应用,设计了一种基于发光二极管(LED)光源并结合互补金属氧化物半导体(CMOS)探测的量子随机数发生器。量子随机数是以光量子固有特性确保随机数的高安全性,同时其低成本、高速率的处理方...
关键词：量子光学 小型化量子随机数发生器 二值法 互补金属氧化物半导体 
一种用于单细胞阻抗检测的CMOS-MEMS单芯片电化学阻抗传感器
《微纳电子技术》2024年第12期114-121,共8页聂鉴卿 蔡盛训 王琨 关一民 刘德盟 
国家自然科学基金(82130069)。
传统的基于贵金属的共面电极价格昂贵,且难以与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺集成,阻碍了采用共面电极的传感器的量产与大规模应用。开发了一种基于微机电系统(MEMS)工艺的共面钽电极电化学阻抗传感器,该传感器集成了精准微泵和微流道...
关键词：单细胞阻抗检测 共面钽电极 微型阻抗传感器 精准微泵 互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容 
基于相位校准技术的宽带卫星通信相控阵接收芯片设计与实现
《电子器件》2024年第5期1157-1164,共8页谢卓恒 黄波 刘兰 冯越 阳润 杭虹江 袁素 
国家重点研发计划课题项目(2020YFB1806203)。
论述了一种基于SiGe BiCMOS工艺的19 GHz~23 GHz四通道卫星通信相控阵接收芯片,该芯片采用有源矢量合成架构进行移相器设计,每个通道由低噪声放大器、移相器、合路器构成,测试结果表明单通道增益(包含合成损耗)大于25 dB,噪声系数小于2....
关键词：卫星通信 四通道 接收芯片 毫米波 锗硅双极互补金属氧化物半导体 
EBCMOS中背散射电子的特性研究
《中国激光》2024年第17期137-144,共8页吕蒙 宋德 焦岗成 李野 王连锴 陈卫军 
国家自然科学基金联合基金重点项目(U21B2061);国家自然基金联合基金叶企孙项目(U2141239)。
基于高能电子与固体间相互作用原理和蒙特卡罗模拟方法,模拟研究电子轰击互补金属氧化物半导体(CMOS)中背部减薄CMOS表面附近背散射电子的特性。主要研究背散射电子特性中的角分布(θ_(B)和Φ_(B))、背散射电子数与入射电子数之比(R_(B...
关键词：微光夜视 电子轰击型互补金属氧化物半导体 背散射特性 弹性散射 
紧凑型D波段宽带CMOS低噪声放大器
《空间电子技术》2024年第4期92-98,共7页刘兵 徐振华 孟凡易 马凯学 
科技部研发项目(编号:2018YFB2202500)。
基于28-nm CMOS工艺,设计了一款工作于D波段的紧凑型、宽带低噪声放大器。该放大器由四级放大器单元级联而成,每级放大器单元均采用基于中和电容技术的差分共源极结构。输入、输出和级间阻抗匹配电路均由变压器网络实现,并且每个放大器...
关键词：太赫兹 D波段 宽带 互补金属氧化物半导体 低噪声放大器 
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