杨发顺

作品数：78被引量：119H指数：5
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供职机构：贵州省微纳电子与软件技术重点实验室更多>>
发文主题：电路双极型超导薄膜芯片功率VDMOS器件更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《中国集成电路》《功能材料》《智能计算机与应用》《电子技术应用》更多>>
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硅掺杂对不同衬底的氮化铝薄膜的影响研究
《原子与分子物理学报》2025年第5期50-56,共7页王绪 杨发顺 熊倩 周柳含 马奎 
半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心开放基金(ERCME-KFJJ2019-01)。
选择硅作为N型杂质源,采用高温热扩散的方式进行实验研究.采用磁控溅射法在硅/蓝宝石衬底上外延的AlN薄膜上沉积纯硅.硅的溅射时间决定了硅层的厚度,从而决定了硅的掺杂剂量.在氮气气氛下高温(1150℃)热扩散4小时后,AlN薄膜表面的硅原...
关键词：N型氮化铝 硅掺杂 磁控溅射 热扩散 衬底反扩散 
一款具有过温指示功能的高速功率运算放大器
《半导体技术》2025年第3期273-281,312,共10页冯仕豪 余德水 马奎 杨发顺 
贵州省科技计划项目(黔科合支撑【2023】一般283)。
基于80 V双极型集成电路工艺,设计了一种具有过温指示功能的高速功率运算放大器。该设计采用源极驱动-共基放大的输入级电路结构,选用p沟道结型场效应晶体管(JFET)作为输入管,实现了低输入偏置电流和高转换速率。为防止输出功率晶体管...
关键词：结型场效应晶体管(JFET)输入 功率运放 高转换速率 低失调 过温保护 
基于ICP的Ar等离子体干法刻蚀Ti/Ni/Ag薄膜
《半导体技术》2024年第10期893-898,共6页黄梦茹 卢林红 郭丰杰 马奎 杨发顺 
贵州省科技成果应用及产业化计划(重大项目)(黔科合成果[2024]重大006)。
在电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺中,选择合适的刻蚀条件对Ti/Ni/Ag薄膜的刻蚀至关重要。使用氩气(Ar)作为刻蚀气体,研究了射频偏压功率、气体体积流量、腔体压强、刻蚀时间等多个参数对功率芯片背面Ti/Ni/Ag薄膜刻蚀深度的影响,并优化...
关键词：Ti/Ni/Ag薄膜 电感耦合等离子体(ICP) 刻蚀深度 AR 射频偏压功率 
一种低功耗低失调的集成运算放大器
《半导体技术》2024年第9期851-857,共7页付玉 杜承钢 闵睿 杨发顺 马奎 
贵州省科技计划项目(黔科合支撑[2023]一般283)。
针对高精度、低功耗运放的需求,利用40V双极型工艺设计了一款电源电压为3~30V的低功耗、低失调集成运算放大器。该运放为单片四通道结构,利用一个不完全对称的二级运放,以减小电路的功耗,同时使得输入级失调得到有效改善。并且在输入级...
关键词：双极型工艺 低功耗 低失调 二级运放 射极跟随器 输入阻抗 
基于倾斜旋转方法磁控溅射制备TSV阻挡层
《半导体技术》2024年第8期726-731,共6页申菊 卢林红 杜承钢 冉景杨 闵睿 杨发顺 马奎 
贵州省科技计划项目(黔科合支撑[2023]一般283)。
硅通孔(TSV)是实现三维集成的关键技术,在TSV侧壁制备连续和均匀的阻挡层至关重要。提出了一种磁控溅射制备TSV侧壁阻挡层的方法,将溅射基台倾斜一定角度并水平匀速旋转,使溅射离子的掉落方向与TSV侧壁不平行,靶材离子更容易溅射沉积在...
关键词：硅通孔(TSV) 阻挡层 磁控溅射 溅射电流 溅射气压 
一种3×10^(-6)/℃的超低温漂带隙基准源
《半导体技术》2024年第8期742-748,共7页娄义淳 杜承钢 闵睿 郑倩 杨发顺 马奎 
贵州省科技计划项目(黔科合支撑[2023]一般283)。
基于40 V双极型工艺,利用Brokaw型带隙基准源模型,设计了一种宽输入电压范围、超低温漂的带隙基准源。在Brokaw模型的基础上改进核心带隙基准电路设计,使用不同温度系数电阻的补偿方法对基准源的温漂进行二阶补偿;偏置电路使用改进的基...
关键词：双极型 带隙基准源 超低温漂 Brokaw模型 二阶补偿 
Al掺杂对β-Ga_(2)O_(3)薄膜光学性质的影响研究
《人工晶体学报》2024年第8期1352-1360,共9页钟琼丽 王绪 马奎 杨发顺 
半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心开放基金项目(ERCME-KFJJ2019-(01))。
近年来,半导体器件向着高散热性、高击穿场强和低能耗的方向发展,因此超宽禁带半导体材料β-Ga_(2)O_(3)具有广阔的应用前景,而有效掺杂是实现β-Ga_(2)O_(3)器件的基础。实验采用磁控溅射法制备Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_...
关键词：β-Ga_(2)O_(3)薄膜 AL掺杂 磁控溅射 Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_(3)复合结构 光吸收 光学带隙 
基于SF_(6)/Ar的电感耦合等离子体干法刻蚀β-Ga_(2)O_(3)薄膜
《半导体技术》2024年第7期624-628,共5页曾祥余 马奎 杨发顺 
半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心开放基金(ERCME-KFJJ2019-(01))。
使用SF_(6)/Ar混合气体作为刻蚀气体,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀方法,研究了不同激励功率和偏置功率对Ga_(2)O_(3)薄膜刻蚀速率的影响以及不同刻蚀时间对表面粗糙度的影响,并观察了光刻胶的损伤情况以调整刻蚀工艺参数。实验结果表...
关键词：电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 Ga_(2)O_(3)薄膜 刻蚀速率 光刻胶掩膜 低粗糙度表面 
基于偏流补偿的低失调运算放大器的设计被引量：1
《微电子学与计算机》2024年第5期140-146,共7页李洪品 杨发顺 马奎 
贵州大学引进人才项目(贵大人基合字(2019)63号);黔科合支撑[2023]一般283资助项目(202359075590422170)。
基于双极型工艺,设计了一种具有低输入失调电压、低输入偏置电流的运算放大器。电路结构包含偏置电路、差分输入级电路、中间级电路和输出级电路。差分输入级电路采用共射-共基耦合对,能够降低失调电压,并且采用基极电流补偿结构抵消输...
关键词：运算放大器 低输入失调电压 低输入偏置电流 基极电流补偿 齐纳修调 
一种差动式位移传感器芯片的信号调理电路设计
《电子器件》2024年第2期326-332,共7页杨朝辉 马奎 杨发顺 
贵州大学引进人才项目(贵大人基合字(2019)63号)。
设计了一种适用于线性可变差动式位移传感器(LVDT)的信号调理电路,该电路用于将LVDT的副边输出信号进行处理,并输出一个表征铁芯位移的直流电压;主要由解调电路、除法电路和运算放大器组成。LVDT副边输出为两个互补的正弦波信号,直接驱...
关键词：LVDT 信号调理 同步解调 除法器 
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