可变增益放大器

作品数:235被引量:266H指数:8
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传感器模拟前端低噪声可变增益放大器的设计
《黑龙江大学自然科学学报》2024年第6期731-742,共12页宿芷若 陈雪峰 李志远 
黑龙江省自然科学基金资助项目(TD2021F001)。
传感器在汽车、通信和医疗等行业作为与外界物理世界连接的接口,有着极为重要且广泛的应用。针对传感器模拟前端所要处理的信号微弱且幅值随机的问题,基于中芯国际集成电路制造有限公司(Semiconductor manufacturing international corp...
关键词:可变增益放大器 低噪声 仪表放大器 斩波调制 
一种高性能数控VGA设计
《现代电子技术》2024年第24期8-12,共5页张瑜 俞阳 蒋颖丹 吴舒桐 魏敬和 
江苏省自然科学基金项目(BK20211041)。
为了满足高灵敏度、高速接收机的要求,设计一种新型高性能数控可变增益放大器(VGA)。电路模块主要包括前置放大器、增益跨导单元和输出放大器。通过8位增益控制字的最高有效位选通前置放大器,实现高低两段增益调节范围,剩余7位增益控制...
关键词:可变增益放大器 数控 增益控制 跨导增益 前置放大器 高线性度 最高有效位 
用于高精度模数转换器的CMOS可变增益放大器
《半导体技术》2024年第10期899-905,共7页李振国 苏萌 田迪 肖春 侯佳力 胡毅 沈红伟 王亚彬 
国家电网有限公司总部管理科技项目(5700-202355614A-3-2-ZN)。
针对工业领域数据采集系统对大摆幅模拟信号精确采样的需求,提出了一种方便与高精度模数转换器(ADC)集成的CMOS可变增益放大器(VGA)。该VGA基于反相放大器结构,在5 V单电源供电的条件下支持最大±10 V信号输入。对传递函数的设计和电路...
关键词:可变增益放大器(VGA) CMOS工艺 宽摆幅 模数转换器(ADC) 低噪声 低失真 
基于0.18μm双极型工艺的可变增益放大器设计
《微电子学》2024年第4期638-643,共6页汪柏康 蒋颖丹 张斌 张沁枫 俞阳 秦战明 孙文俊 
国家自然科学基金资助项目(62174149);江苏省自然基金资助项目(BK20211042)。
可变增益放大器作为接收机系统前端核心模块,具有调整增益、稳定功率、调整信号动态范围的作用,其性能直接影响整个系统的动态、带宽、灵敏度等核心技术指标。基于0.18μm双极型工艺设计了一款可变增益放大器,电路核心结构由跨导(GM)单...
关键词:可变增益放大器 dB线性增益 双极型工艺 
Ka波段CMOS有源矢量合成移相器
《微波学报》2024年第3期53-56,共4页刘帅 
本文基于65 nm硅基互补金属氧化物半导体工艺设计了一款Ka波段有源矢量合成移相器。该电路由正交耦合器、单端转差分信号的巴伦、可变增益放大器、信号合成网络组成。基于集总LC等效模型的正交发生器能够实现紧凑尺寸并获得高精度正交信...
关键词:互补金属氧化物半导体 矢量合成 移相器 可变增益放大器 共源共栅 
80 Gbit/s PAM4光接收机低噪声模拟前端电路设计
《微电子学》2024年第2期201-206,共6页张春茗 王浩 宋茹雪 
100 G光传输系统研究与应用示范国际合作项目(2019YFB1803600)。
采用UMC 28 nm CMOS工艺,设计了一款应用于光接收机、工作在80 Gbit/s PAM4的低噪声模拟前端电路(AFE)。对噪声和带宽进行折中设计,采用了跨阻放大器(TIA)级联连续时间线性均衡器(CTLE)技术和输入电感峰化技术。为了更好地控制低频增益...
关键词:PAM4编码 跨阻放大器 级联连续时间线性均衡器 可变增益放大器 
一种基于电容中和技术的低功耗宽带VGA设计
《集成电路应用》2024年第4期30-32,共3页陈亚西 吴锐 梁兴东 
阐述一种基于电容中和技术的宽带可变增益放大器(VGA),用于高速通信和高分辨率雷达系统。提出的负电容通路有效地拓展了带宽,并在不同的增益设定下实现平坦的带内增益。仿真结果表明,VGA在增益-2.8~49.4dB调节范围内均实现带宽超过4.0GH...
关键词:通信和雷达系统 可变增益放大器 电容中和技术 宽带 宽增益范围 
基于45 nm SOI CMOS的56 Gbit/s PAM-4光接收机前端设计
《微电子学与计算机》2024年第1期106-112,共7页张文嘉 林福江 
在光接收电路设计中,光电二极管的寄生电容以及大的输入电阻会导致接收机带宽下降,造成严重的符号间干扰(Inter-Symbol Interference,ISI)。噪声性能是高速跨阻放大器(Transimpedance Amplifier,TIA)最重要的指标之一,跨阻值决定系统的...
关键词:PAM-4 光接收机前端 跨阻放大器 可变增益放大器 45 nm SOI CMOS 
一种64 GBaud双通道差分线性跨阻放大器被引量:3
《光通信研究》2023年第6期57-63,共7页林少衡 
【目的】针对400 Gbit/s双偏振(DP)-16正交幅度调制(QAM)相干光接收机应用的核心线性跨阻放大器(TIA)实现问题。【方法】文章基于先进锗硅异质结双极型互补氧化物半导体(SiGe BiCMOS HBT)工艺实现了一种64 GBaud双通道差分线性TIA。芯...
关键词:64 GBaud 差分线性跨阻放大器 可变增益放大器 三端口桥式-T网络 锗硅异质结双极型互补氧化物半导体 
高精度可变增益放大器的研究与设计
《固体电子学研究与进展》2023年第5期430-435,共6页吴奕蓬 黄晴 杜琳 王涛 陈仲谋 徐建辉 张博 
陕西省重点研发计划资助项目(2018ZDXM-GY-010,2017ZDXM-GY-004,2016KTCQ01-08);西安市集成电路重大专项资助项目(201809174CY3JC16);陕西省创新人才推进计划-科技创新团队资助项目(2020TD-019);陕西省教育厅重点科学研究资助项目(20JY059)。
为了实现可变增益放大器高精度及大动态范围的优势,基于GaAs 0.25μm pHEMT工艺,设计了一款工作在0.1~4.0 GHz并行控制的可变增益放大器。放大器由数控衰减器和射频放大器组成。数控衰减单元采用桥T型结构和电平转换电路来实现;正压控...
关键词:可变增益放大器 数控衰减器 正电压控制 高衰减精度 
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