CMOS工艺

作品数:887被引量:1052H指数:10
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基于180 nm CMOS工艺的281 GHz太赫兹探测器
《红外与激光工程》2025年第1期247-255,共9页姜宁 郭莹 刘朝阳 祁峰 
国家重点研发计划项目(2023YFF0718303);雄安新区科技创新专项(2022XAGG0181);国家自然科学基金项目(6180416,61801467)。
基于180 nm标准CMOS工艺设计出了一种281 GHz太赫兹(THz)探测器。该探测器集成了贴片天线和NMOS场效应晶体管。为了提升天线和晶体管之间的太赫兹功率传输效率,在其之间设计了阻抗匹配网络。仿真结果显示,添加阻抗匹配网络后,探测器的...
关键词:CMOS探测器 贴片天线 阻抗匹配网络 陷波滤波器 太赫兹成像 
一种高精度的RC振荡器电路
《半导体技术》2025年第1期71-76,共6页张亮 王静 冯玉明 
为了给微处理器芯片提供高精度的内部时钟,基于110 nm CMOS工艺设计了一种高精度电阻电容(RC)振荡器电路。通过在振荡器结构中引入充放电电流粗调电路、参考电压细调电路、温度系数调节电路,实现了对振荡器电路的工艺偏差、电压敏感度...
关键词:高精度 电阻电容(RC)振荡器 电压系数修调 温度补偿 CMOS工艺 
基于标准CMOS工艺的高速集成大光敏面光电探测器芯片分析
《中文科技期刊数据库(全文版)工程技术》2024年第12期261-264,共4页刘苗苗 郝开伟 曾铮 董益钦 淳宗洁 
在移动通信领域现代化发展进程中,基于大纤芯塑料光纤通信的单片集成光接收机的速率提升与成本降低问题,始终是行业重点关注和研究的内容。而以标准CMOS工艺为依托,研发制作高速集成大光敏面光电探测器芯片,有利于减少单片集成光接收机...
关键词:标准CMOS工艺 光电探测器 光接收芯片 
IC芯片生产低良率分析与一种改进方法
《中文科技期刊数据库(全文版)工程技术》2024年第11期183-187,共5页金沈阳 
随着半导体技术的快速发展,IC芯片作为信息技术的核心部件,其生产良率的高低直接关系到产品的可靠性、经济性和市场竞争力。本文详细分析了CMOS硅栅工艺芯片S7817在生产过程中出现的中测良率掉低的问题,特别是针对Icc失效比例较高的现...
关键词:IC芯片 低良率分析 半导体制造 CMOS工艺 
太赫兹相控阵系统设计研究进展
《固体电子学研究与进展》2024年第5期414-424,共11页陈尚轩 鲁成健 韩畅轩 陈卓恒 程序 
国家重点研发计划资助项目(2020YFB1805702)。
太赫兹相控阵系统作为未来通信和雷达技术的核心支柱,在6G通信、卫星通信和超低延迟应用中具有广阔前景。本文综述了太赫兹相控阵系统的主要架构,包括中频移相、本振移相、基带移相和射频移相等方案,并分析了其在不同应用场景中的优缺...
关键词:太赫兹相控阵 CMOS工艺 太赫兹相控阵收发器 移相器 毫米波通信 
用于高精度模数转换器的CMOS可变增益放大器
《半导体技术》2024年第10期899-905,共7页李振国 苏萌 田迪 肖春 侯佳力 胡毅 沈红伟 王亚彬 
国家电网有限公司总部管理科技项目(5700-202355614A-3-2-ZN)。
针对工业领域数据采集系统对大摆幅模拟信号精确采样的需求,提出了一种方便与高精度模数转换器(ADC)集成的CMOS可变增益放大器(VGA)。该VGA基于反相放大器结构,在5 V单电源供电的条件下支持最大±10 V信号输入。对传递函数的设计和电路...
关键词:可变增益放大器(VGA) CMOS工艺 宽摆幅 模数转换器(ADC) 低噪声 低失真 
体硅CMOS工艺下一种带隙基准的单粒子辐射特性分析
《国防科技大学学报》2024年第4期169-174,共6页文溢 陈建军 梁斌 池雅庆 邢海源 姚啸虎 
国家自然科学基金面上资助项目(61974163)。
为了分析带隙基准(bandgap reference,BGR)在太空环境等极端条件下的单粒子辐射特性,分别在65 nm和28 nm体硅CMOS工艺下设计实现了一款BGR试验芯片,并采用脉冲激光单粒子模拟试验研究了其单粒子辐射特性。试验结果发现,当脉冲激光能量...
关键词:带隙基准 单粒子硬损伤 脉冲激光试验 体硅CMOS工艺 
一种低成本高精度欠压保护电路
《微电子学与计算机》2024年第7期74-80,共7页张睿宸 隋继超 贺章擎 万美琳 
国家自然科学基金(62174050);中国工程科技发展战略研究湖北研究院咨询研究(HB2022B06)。
提出了一种低成本、高精度欠压保护电路。采用负反馈电路将电源采样电压、带隙基准负温度系数电压和带隙基准正温度系数电压分散于两条不同的支路中;通过对电阻比例进行合理的设计,两条支路的输出电压差能够同时包含电源的采样电压和精...
关键词:欠压保护 带隙基准 CMOS工艺 低成本 高精度 
基于55 nm CMOS工艺的小数分频电荷泵锁相环设计被引量:1
《电子设计工程》2024年第12期71-75,共5页李金凤 郭瑞华 凌辛旺 于德明 
为解决无线射频收发机中锁相环存在的功耗高、精度低、不能小数分频等问题,提出了一种基于55 nmCMOS工艺的小数分频电荷泵锁相环,降低噪声对电路性能的影响,为无线收发机提供稳定的震荡信号。采用三阶噪声整形结构的数字Σ-Δ调制器,设...
关键词:电荷泵 锁相环 小数分频 Σ-Δ调制器 
一种用于体域网接收机的多路缓冲器设计
《微电子学》2024年第3期395-403,共9页韩泽浩 蒋大海 李政 单强 魏子辉 肖津津 黄水龙 
国家重点研发计划资助项目(2019YFB2204500)。
设计了一种基于0.35μm CMOS工艺的多通道缓冲器电路,该电路可用于多路接收机中的输出级,以改善输出级的驱动能力。为了应对多路接收机输出端多路缓冲器的设计需求,电路以多个缓冲器为核心,结合多级寄存器、开关阵列,使芯片具备可编程...
关键词:开关阵列 CMOS工艺 缓冲器 体域网 
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