标准CMOS工艺

作品数：36被引量：42H指数：4
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基于标准CMOS工艺的高速集成大光敏面光电探测器芯片分析
《中文科技期刊数据库（全文版）工程技术》2024年第12期261-264,共4页刘苗苗 郝开伟 曾铮 董益钦 淳宗洁 
在移动通信领域现代化发展进程中,基于大纤芯塑料光纤通信的单片集成光接收机的速率提升与成本降低问题,始终是行业重点关注和研究的内容。而以标准CMOS工艺为依托,研发制作高速集成大光敏面光电探测器芯片,有利于减少单片集成光接收机...
关键词：标准CMOS工艺 光电探测器 光接收芯片 
基于标准CMOS工艺的片上太阳敏感器研究
《半导体光电》2023年第1期18-24,共7页范柚攸 王红义 权海洋 
北京微电子技术研究所高校专项计划项目(TX-Z22-01)
微纳卫星对于载荷的苛刻要求使得太阳敏感器的微型化研究具有重要意义。为了解决光学器件和处理电路的集成兼容问题,文章基于标准CMOS工艺提出一种新型片上太阳敏感器,以金属走线层构建微型墙结构,两侧均匀分布pn结构成光电传感器,通过...
关键词：标准CMOS工艺 太阳敏感器 阵列结构 
衍射光学元件成套制造技术研究进展被引量：4
《光学精密工程》2022年第15期1815-1827,共13页谢常青 
国家自然科学基金资助项目(No.U1832217,No.61888102);国家重点研发计划项目(No.2017YFA0206002)。
从图形数据处理、先进光刻、图形转移和大面积高可靠集成4方面开展衍射光学元件关键制造技术研究。在兼容标准CMOS工艺的基础上,提出了高精度、多功能(高保真、高深宽比、高面形、多元化衬基等)、大面积衍射光学元件成套制造技术。研发...
关键词：衍射光学元件 先进光刻 标准CMOS工艺 GDSII数据处理 图形转移 
标准CMOS工艺低压栅控硅发光器件设计与制备
《电子学报》2021年第5期1013-1018,共6页吴克军 李则鹏 张宁 朱坤峰 易波 赵建明 徐开凯 
本文采用0.18μm标准CMOS工艺设计并制备了一种MOS结构的低压栅控硅基发光器件.该光源器件内部采用n^(+)-p^(+)-p^(+)-n^(+)-p^(+)-p^(+)-n^(+)的叉指结构,在相邻两个p^(+)有源区之间覆盖多晶硅栅作为第三端控制电极,用于在源/漏区边缘...
关键词：微电子 硅基发光二极管 标准CMOS工艺 光电集成 
基于65 nm标准CMOS工艺的3.0 THz探测器
《红外与毫米波学报》2020年第1期56-64,共9页方桐 刘力源 刘朝阳 冯鹏 李媛媛 刘俊岐 刘剑 吴南健 
国家重点研发计划资助(2016YFA0202200);中国科学院青年创新促进会计划(2016107);北京市科技计划项目(Z181100008918009)~~
基于Dyakonov和Shur等离子体波振荡原理设计并流片制备了一种采用65 nm标准CMOS工艺的3.0THz探测器,探测器包括贴片天线、NMOS场效应晶体管、匹配网络及陷波滤波器。探测器在室温条件下可达到526 V/W的响应率(Rv)和73 pW/Hz1/2的噪声等...
关键词：CMOS 太赫兹 太赫兹成像 太赫兹探测器 
基于双电荷层结构的CMOS单光子雪崩二极管
《光子学报》2019年第7期35-41,共7页许明珠 张钰 夏翠雲 逯鑫淼 徐江涛 
浙江省自然科学基金(No.LY17F010022);国家自然科学基金(No.61372156);国家留学基金委(No.201508330049)~~
基于180nm标准CMOS工艺,设计了一种能够有效提高光子探测效率的双电荷层结构的单光子雪崩二极管.该器件结构采用P电荷层和逆行掺杂的深N阱形成PN结,选取不同的P电荷层掺杂浓度,对击穿电压进行优化,当P电荷层浓度为1×10^18cm^-3时,击穿...
关键词：光电探测器 单光子雪崩二极管 180nm标准CMOS工艺 双电荷层 击穿电压 光谱响应 光子探测效率 
0.13μm标准CMOS工艺的高可靠流水线模数转换器
《国防科技大学学报》2018年第6期165-170,共6页周宗坤 黄水根 董业民 林敏 
中科院重点部署基金资助项目(KGFZD-135-16-015)
针对航空航天电子系统对高性能模数转换器的需求,采用0. 13μm标准互补金属氧化物半导体工艺,设计可以在极端温度和空间辐射环境中稳定可靠工作的12位分辨率、50 MS/s采样率的流水线模数转换器。通过采用无采样保持电路以及抗辐射电路...
关键词：流水线模数转换器 无采样保持电路 总剂量辐射效应 版图加固技术 
基于标准CMOS工艺线性APD倍增区的优化仿真被引量：2
《红外与毫米波学报》2018年第2期184-191,199,共9页鞠国豪 程正喜 陈永平 钟燕平 
中国科学院上海技术物理研究所重点培育方向性项目~~
采用标准CMOS工艺制备的n^+-p-π-p^+结构的线性APD,其倍增区p层的掺杂分布极大地影响着器件的性能.采用Silvaco仿真软件对倍增区p层进行了设计仿真,研究了p层的注入剂量和注入峰值浓度深度对器件特性的影响.仿真结果表明,设定器件增益...
关键词：标准CMOS工艺 线性APD 掺杂分布 峰值浓度深度 仿真 
用于气体传感器的微热板工艺流程与性能对比被引量：11
《仪表技术与传感器》2018年第1期17-20,共4页李中洲 余隽 周君伟 耿万鑫 唐祯安 
国家重点基金项目(61131004);国家自然科学基金项目(61274076;61201035)
微热板式气体传感器具有功耗低、体积小和灵敏度高等优点,具有良好的产业化前景,而传感器芯片批量制造成品率与单芯片加工成本是其能否产业化的关键。在传感器芯片批量制造中引入成熟标准CMOS工艺,采用四臂支撑悬空结构,以钨为加热丝,...
关键词：微热板气体传感器 标准CMOS工艺 MEMS工艺 热稳定性 
可嵌入RFID标签的低功耗单栅非易失性存储器
《半导体技术》2016年第1期16-21,共6页杨亚楠 杨晓龙 陈力颖 
天津市应用基础与前沿技术研究计划资助项目(15JCYBJC16300)
采用Skysilicon 0.35μm标准CMOS工艺设计并制造了一种可嵌入射频识别(RFID)标签的低功耗单栅非易失性存储器(SPNVM)。与传统的采用双栅工艺制造的电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)和快闪存储器相比较,所提出的单栅存储器具有更低的制...
关键词：非易失性存储器(NVM) Fowler-Nordheim(FN)隧穿 射频识别(RFID) 标准CMOS工艺 单栅 
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