董业民

作品数：23被引量：31H指数：3
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供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题：SOI工艺注氧隔离抗辐射绝缘体静电保护电路更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术电气工程更多>>
发文期刊：《苏州大学学报（自然科学版）》《清华大学学报（自然科学版）》《哈尔滨工业大学学报》《磁性材料及器件》更多>>
所获基金：国家自然科学基金江苏省教委自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院重点部署项目更多>>
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FinFET芯片TEM样品制备及避免窗帘效应方法被引量：1
《微纳电子技术》2023年第8期1301-1307,共7页胡康康 王刘勇 黄亚敏 郎莉莉 董业民 王丁 
中国科学院战略性先导科技专项(A类)(XDA18030100)
制备高质量纳米尺度芯片透射电子显微镜(TEM)样品对于探索半导体器件结构设计、材料分布与芯片性能之间的关系具有重要的意义。使用聚焦离子束(FIB)/扫描电子显微镜(SEM)双束系统制备14 nm鳍式场效应晶体管(FinFET)截面TEM样品,制备过...
关键词：聚焦离子束(FIB) 透射电子显微镜(TEM)样品 14 nm鳍式场效应晶体管(FinFET) 窗帘效应 失效分析 
一种低噪声高电源抑制比的带隙基准源被引量：1
《半导体技术》2023年第7期591-599,共9页徐敏航 张振伟 郎莉莉 刘海静 单毅 董业民 
基于0.18μm CMOS工艺设计了一种低噪声、高电源电压抑制比(PSRR)的新型带隙基准源(BGR)。使用低噪声的垂直双极结型晶体管取代MOS晶体管作为运算放大器输入,削减了低频闪烁噪声;通过引入三输入的运算放大器将电源扰动传递到电流管的栅...
关键词：带隙基准源(BGR) 低噪声 高电源电压抑制比(PSRR) CMOS工艺 低功耗 
基于FPGA的ASIC芯片抗辐射性能评估系统被引量：3
《半导体技术》2021年第3期249-254,共6页刘海静 王正 单毅 董业民 
针对航天电子控制系统对集成电路的抗辐射需求,设计了一种基于现场可编程门阵列(FPGA)的全新架构的专用集成电路(ASIC)抗辐射性能评估系统。该系统基于FPGA高性能、高速度、高灵活性和大容量的特性,不仅具备传统芯片评估系统的能力,还...
关键词：专用集成电路(ASIC) 抗辐射 现场可编程门阵列(FPGA) 单粒子翻转(SEU) 性能评估 
双模冗余汉明码的设计与验证被引量：4
《哈尔滨工业大学学报》2020年第10期161-166,共6页乔冰涛 吴旭凡 刘海静 王正 董业民 
中科院重点部署项目(KGFZD-135-16-015)。
集成电路芯片工作在电磁环境复杂的空间环境中,容易受到高能粒子的影响发生软错误.在芯片内,存储单元所占面积超过一半以上,对存储器单元进行加固是提升芯片可靠性的重要途径之一.因此,本文对汉明码做出改进,提出了一种双模冗余汉明码,...
关键词：双模冗余 纠错码 高可靠 存储器 两位翻转 
130 nm加固SOI工艺的抗辐射控制芯片设计被引量：2
《国防科技大学学报》2020年第3期17-21,共5页常永伟 余超 刘海静 王正 董业民 
中科院重点部署资助项目(KGFZD-135-16-015)。
针对航天电子系统控制模块对集成电路的抗辐射需求,在130 nm部分耗尽绝缘体上硅(Silicon-On-Insulator,SOI)工艺平台上设计了一款基于比例、积分、微分控制算法的控制芯片,并分别从晶圆材料、制备工艺、版图设计的角度对芯片进行了总剂...
关键词：集成电路 抗辐射 绝缘体上硅 控制芯片 
0.13μm标准CMOS工艺的高可靠流水线模数转换器
《国防科技大学学报》2018年第6期165-170,共6页周宗坤 黄水根 董业民 林敏 
中科院重点部署基金资助项目(KGFZD-135-16-015)
针对航空航天电子系统对高性能模数转换器的需求,采用0. 13μm标准互补金属氧化物半导体工艺,设计可以在极端温度和空间辐射环境中稳定可靠工作的12位分辨率、50 MS/s采样率的流水线模数转换器。通过采用无采样保持电路以及抗辐射电路...
关键词：流水线模数转换器 无采样保持电路 总剂量辐射效应 版图加固技术 
基于130 nm PD-SOI工艺存储单元电路的抗辐射加固设计被引量：1
《半导体技术》2018年第5期335-340,400,共7页张宇飞 余超 常永伟 单毅 董业民 
中国科学院重点部署项目(KGFZD-135-16-015)
基于130 nm部分耗尽绝缘体上硅（SOI）CMOS工艺,设计并开发了一款标准单元库。研究了单粒子效应并对标准单元库中存储单元电路进行了抗单粒子辐射的加固设计。提出了一种基于三模冗余（TMR）的改进的抗辐射加固技术,可以同时验证非加固...
关键词：标准单元库 单粒子效应(SEE) 双互锁存储单元(DICE) 抗辐射加固设计(RHBD) 绝缘体上硅(SOI) 
0.13 μm SOI标准单元库抗总剂量辐射的测试验证被引量：1
《半导体技术》2017年第6期469-474,共6页卢仕龙 刘汝萍 林敏 俞跃辉 董业民 
中科院重点部署项目(KGFZD-135-16-015)
基于上海微系统与信息技术研究所0.13μm抗辐射部分耗尽(PD)绝缘体上硅(SOI)互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺标准单元库,设计了一款测试芯片,针对总剂量辐射效应对抗辐射标准单元库的验证方法进行研究。测试芯片主要用于测试标准单元的...
关键词：绝缘体上硅(SOI) 标准单元库 测试芯片 总剂量辐射 现场可编程门阵列(FPGA) 
基于0.13μm CMOS的WiFi功率放大器设计被引量：1
《半导体技术》2017年第3期178-183,共6页齐文正 林敏 杨根庆 董业民 黄水根 
中国科学院重点部署项目(KGFZD-135-16-015)
基于TSMC 0.13μm CMOS工艺,设计了一款适用于无线保真(Wi Fi)收发机的发射端、工作在2.4 GHz且增益可控的三级级联功率放大器。驱动级采用单管结构,后两级采用共源共栅(MOSFET)结构。利用调节共源共栅晶体管栅极的电容来改变栅极电压...
关键词：互补金属氧化物半导体(CMOS) 无线保真(WiFi) 功率放大器(PA) 线性度 共源共栅 
具有复合埋层的新型SIMON材料的制备被引量：2
《Journal of Semiconductors》2004年第7期814-818,共5页易万兵 陈猛 张恩霞 刘相华 陈静 董业民 金波 刘忠立 王曦 
国家杰出青年基金资助项目 (批准号 :5 992 5 2 0 5 )~~
采用氮氧共注入方法制备了新型的 SIMON(separation by implanted oxygen and nitrogen) SOI材料 .采用不同的制备方法分别制作出样品并进行了结构测试和分析 ,发现 SIMON材料的结构和质量对注入条件和退火工艺非常敏感 .并对各种氮氧...
关键词：SIMON SOI 氮氧共注入 PACC 8100 
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