具有复合埋层的新型SIMON材料的制备  

Comparison of Fabrication Techniques of SIMON Materials with Buried Multi-Layers

作　　者：易万兵[1] 陈猛[1] 张恩霞[1] 刘相华[2] 陈静[1] 董业民[1] 金波[1] 刘忠立[3] 王曦[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室,上海200050 [2]香港中文大学电子工程系 [3]中国科学院半导体研究所,北京10008

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第7期814-818,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家杰出青年基金资助项目 (批准号 :5 992 5 2 0 5 )~~

摘　　要：采用氮氧共注入方法制备了新型的 SIMON(separation by implanted oxygen and nitrogen) SOI材料 .采用不同的制备方法分别制作出样品并进行了结构测试和分析 ,发现 SIMON材料的结构和质量对注入条件和退火工艺非常敏感 .并对各种氮氧复合注入技术做了分析和比较 。SIMON SOI materials are successfully fabricated by sequential implantation and annealing of oxygen and nitrogen ions with quite a few combinatorial dose energy sequence conditions.The results indicate that superior SIMON SOI wafers with highly sharp interface structure can be fabricated by choosing dose energy implantation conditions and implantation sequence carefully.Different fabrication methods are compared.

关 键 词：SIMON SOI 氮氧共注入 PACC 8100 

分 类 号：TN304.05[电子电信—物理电子学]