云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 陈猛

陈猛: 作品数：17被引量：15H指数：2; 导出分析报告; 供职机构：清华大学更多>>; 发文主题：注氧隔离SOI高温退火SIMOX低剂量更多>>; 发文领域：电子电信金属学及工艺理学一般工业技术更多>>; 发文期刊：《电工技术学报》《物理学报》《Journal of Semiconductors》《太赫兹科学与电子信息学报》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>

太赫兹光热电探测器读出方法: 《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第10期1063-1072,1103,共11页张金铎陈猛刘睿丰王迎新; 国家自然科学基金资助项目(62105178,62375149,62327804)。; 太赫兹光热电探测器基于热生载流子在温度梯度驱使下迁移的原理实现太赫兹波探测,具有快响应、超宽带、自供电、室温工作及结构简单等优势,受到广泛关注。目前,探测器读出主要采用调制-解调方法,通过电流放大器与锁相放大器级联实现测量...; 关键词：读出电路光热电效应太赫兹波锁相放大长波光子学

注氮工艺对SIMOX器件电特性的影响: 《Journal of Semiconductors》2005年第4期835-839,共5页张国强刘忠立李宁范楷郑中山张恩霞易万兵陈猛王曦; 研究了氮离子注入对SIMOX器件电特性的影响.氮注入SIMOX的埋氧层并退火后,将减小前栅MOS FET/SIMOX的阈电压,提高其漏源击穿电压但对栅击穿电压影响较小.氮注入方式对SIMOX器件的I V特性有重要影响.; 关键词：SIMOX MOSFET 氮

埋氧层注氮工艺对部分耗尽SOI nMOSFET特性的影响被引量：5: 《物理学报》2005年第1期348-353,共6页郑中山刘忠立张国强李宁范楷张恩霞易万兵陈猛王曦; 研究了埋氧层中注氮后对制作出的部分耗尽SOInMOSFET的特性产生的影响 .实验发现 ,与不注氮的SIMOX基片相比 ,由注氮SIMON基片制作的nMOSFET的电子迁移率降低了 .且由最低注入剂量的SIMON基片制作的器件具有最低的迁移率 .随注入剂量的...; 关键词：MOSFET SOI 埋氧层 SIMOX 电子迁移率阈值电压界面陷阱剂量注入影响

注氮剂量对SIMON材料性能影响的研究被引量：1: 《功能材料与器件学报》2004年第4期437-440,共4页张恩霞孙佳胤易万兵陈静金波陈猛张正选张国强王曦; 采用氧氮共注的方法制备了氮氧共注隔离SOI(SIMON)圆片,对制备的样品进行了二次离子质谱和透射电镜分析,并对埋层结构与抗辐射性能的机理进行了分析。结果表明,注氮剂量较低时埋层质量较好。机理分析结果表明,圆片的抗辐照性能与埋层质...; 关键词：氧氮共注氮氧共注膈离 SIMON SOI 注入剂量

具有复合埋层的新型SIMON材料的制备被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2004年第7期814-818,共5页易万兵陈猛张恩霞刘相华陈静董业民金波刘忠立王曦; 国家杰出青年基金资助项目 (批准号 :5 992 5 2 0 5 )~~; 采用氮氧共注入方法制备了新型的 SIMON(separation by implanted oxygen and nitrogen) SOI材料 .采用不同的制备方法分别制作出样品并进行了结构测试和分析 ,发现 SIMON材料的结构和质量对注入条件和退火工艺非常敏感 .并对各种氮氧...; 关键词：SIMON SOI 氮氧共注入 PACC 8100

SIMOX硅片埋氧层垂直方向热导率的测量: 《Journal of Semiconductors》2003年第10期1063-1066,共4页何平刘理天田立林李志坚董业明陈猛王曦; 国家自然科学基金 (批准号 :5 9995 5 5 0 1);国家重点基础研究专项经费 (编号 :G2 0 0 0 0 36 5 0 1)资助项目~~; 提出了一种简单、有效而且准确的测量SOI硅片埋氧层垂直方向热导率的方法 ,并采用这种方法测量了用SIMOX工艺制作的SOI硅片的埋氧层垂直方向的热导率 .测量结果显示至少在 5 5nm以上的尺度上对于SIMOX硅片的埋氧层垂直方向经典的热导率...; 关键词：SOI SIMOX 热导率边界热阻

Drain and Source on Insulator MOSFETs Fabricated by Local SIMOX Technology被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2003年第6期592-597,共6页何平江波林曦刘理天田立林李志坚董业明陈猛王曦; 国家自然科学基金 (批准号 :5 9995 5 5 0 -1);国家重点基础研究专项经费 (编号 :G2 0 0 0 0 365 0 1)资助项目~~; To overcome the floating-body effect and self-heating effect of SOI devices,the drain and source on insulator (DSOI) structure is fabricated and tested.The low dose developed recently and low energy local SIMOX techno...; 关键词：SIMOX MOS devices silicon on insulator technology floating-body effect

氢氧复合注入对SOI-SIMOX埋层结构影响的研究: 《功能材料与器件学报》2003年第1期17-20,共4页易万兵陈猛陈静王湘刘相华王曦; 国家杰出青年科学基金(No.59925205); 实验研究了氢、氧复合注入对注氧隔离技术制备SOI(SiliconOnInsulator)材料埋层结构的影响。用截面透射电子显微镜和二次离子质谱技术分析了退火前后材料的微结构变化。研究表明,氢离子的注入有利于注氧隔离制备的SOI材料埋层的增宽。...; 关键词：注氧隔离氢、氧复合注入埋层增宽

Investigation of Thermal Property of Novel DSOI MOSFETs Fabricated with Local SIMOX Technique被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2003年第2期117-121,共5页林羲何平田立林李志坚董业民陈猛王曦; 国家自然科学基金 (批准号 :5 9995 5 5 0 -1);国家重点基础研究专项经费 (编号 :G2 0 0 0 0 3 65 0 1)资助项目~~; DSOI,bulk Si and SOI MOSFETs are fabricated on the same die successfully using local oxygen implantation process.The thermal properties of the three kinds of devices are described and compared from simulation and mea...; 关键词：DSOI SOI local SIMOX self heating effect thermal resistance

不同能量氮氧共注入形成的多层SOI结构: 《功能材料与器件学报》2002年第3期228-232,共5页刘相华陈猛刘忠立王曦; 国家自然科学基金委员会国家杰出青年基金的资助(No.59925205); 将氮和氧离子在不同能量下依次注入于硅片,并经1200oC,2h高温退火后,形成具有含有中间硅层的夹心埋层SOI结构。对该样品做俄歇电子能谱(AES)、剖面透射电镜(XTEM)、二次离子质谱(SIMS)和击穿场强等测试,表明退火后形成具有Si-N-O、Si和S...; 关键词：SOI 离子注入硅结构

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