云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- SIMOX

SIMOX: 作品数：109被引量：79H指数：4; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：林成鲁王曦张正选张恩霞李金华更多>>; 相关机构：中国科学院中国科学院上海冶金研究所北京大学北京师范大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划北京市自然科学基金更多>>

0.8μm SOI CMOS抗辐射加固工艺辐射效应研究被引量：1: 《电子与封装》2015年第7期20-23,共4页马慧红顾爱军; 采用抗辐射0.8μm SOI CMOS加固技术,研制了抗辐射SOI CMOS器件和电路。利用Co60γ射线源对器件和电路的总剂量辐射效应进行了研究。对比抗辐射加固工艺前后器件的Id-Vg曲线以及前栅、背栅阈值随辐射总剂量的变化关系,得到1 Mrad(Si)总...; 关键词：SOI radiation-hard ASIC SIMOX

一种氧离子注入的均匀性控制系统设计: 《自动化与仪器仪表》2012年第4期74-76,共3页郭忠君贾京英刘咸成; 在SIMOX工艺制作过程中,氧离子注入的均匀性对SOI材料表面硅厚度的均匀性和SiO2埋层厚度的均匀性起着直接的决定性的作用。文章介绍了一种氧离子注入均匀性控制系统的工作原理和设计方案,该方案应用于我所研制的强流氧离子注入机,取得...; 关键词：离子注入均匀性控制 SOI SIMOX

SOI材料片缺陷研究被引量：1: 《电子与封装》2012年第4期34-37,共4页孙建洁吴建伟陈海峰; SOI材料天然具有抗瞬时辐射的能力,文章介绍了SOI(绝缘体上硅)两类不同材料片SIMOX(注氧隔离法)SOI和Bonded Smart-Cut(智能剥离法)SOI的生产工艺流程。针对SOI材料片的特殊结构——顶层硅/埋氧绝缘层/衬底结构——对各个层次的缺陷进...; 关键词：绝缘体上硅缺陷 SIMOX 键合后智能剥离

A-188 V 7.2Ω·mm^2,P-channel high voltage device formed on an epitaxy-SIMOX substrate: 《Chinese Physics B》2011年第8期327-334,共8页吴丽娟胡盛东张波罗小蓉李肇基; Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 60806025 and 60976060);the Fund of the National Laboratory of Analog Integrated Circuit (Grant No. 9140C0903070904);the Youth Teacher Foundation of the University of Electronic Science and Technology of China (Grant No. jx0721); This paper proposes a new n＋-charge island （NCI） P-channel lateral double diffused metal-oxide semiconductor （LDMOS） based on silicon epitaxial separation by implantation oxygen （E-SIMOX） substrate. Higher conc...; 关键词：dielectric buried layer breakdown voltage self-adapted holes epitaxy-SIMOX

一种新的基于E-SIMOX衬底的PSOI高压器件: 《固体电子学研究与进展》2010年第4期473-477,共5页吴丽娟胡盛东张波李肇基; 国家自然科学基金资助项目(60436030;60806025); 首次提出了一种新的采用E-SIMOX技术的界面电荷岛结构的PSOI高压器件(NI PSOI)。该结构在SOI器件介质层上界面注入形成一系列等距的高浓度N+区。器件外加高压时,纵向电场所形成的反型电荷将被未耗尽N+区内高浓度的电离施主束缚在介质层...; 关键词：外延-注氧隔离电荷岛击穿电压界面电荷介质场增强

Conductivity modulation enhanced lateral IGBT with SiO_2 shielded layer anode by SIMOX technology on SOI substrate被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2010年第6期44-46,共3页陈文锁张波李肇基方健关旭; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.60876053,60806025,60976060).; A new lateral insulated-gate bipolar transistor（LIGBT） with a SiO_2 shielded layer anode on SOI substrate is proposed and discussed.Compared to the conventional LIGBT,the proposed device offers an enhanced conductiv...; 关键词：enhanced conductivity modulation effect shielded anode SIMOX technology

Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管评估SOI材料抗总剂量辐射能力的比较: 《功能材料与器件学报》2010年第3期271-275,共5页毕大炜张正选张帅; 本文用辐射加固和未加固的SIMOX(注氧隔离)SOI(绝缘体上硅)材料制作了Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管,并进行了X射线总剂量辐射实验。结果表明加固工艺能有效提高SIMOXSOI材料的抗总剂量辐射能力,同时也表明Pseudo-MOS晶体管能有效的替代...; 关键词：SIMOX SOI 总剂量辐射效应 Pseudo—MOS晶体管

A new SOI high voltage device based on E-SIMOX substrate: 《Journal of Semiconductors》2010年第4期46-51,共6页吴丽娟胡盛东张波李肇基; supported by the Major Project of the National Natural Science Foundation of China(No.60806025);the Youth Teacher Foundation of University of Electronic Science and Technology of China(No.jx0721).; A new NI （n^＋ charge islands） high voltage device structure based on E-SIMOX （epitaxy-the separation by implantation of oxygen） substrate is proposed. It is characterized by equidistant high concentration n＋-reg...; 关键词：E-SIMOX charge islands breakdown voltage interface charges ENDIF

超薄SIMOX材料的Pseudo-MOSFET电学表征: 《功能材料与器件学报》2010年第1期47-51,共5页张帅张正选毕大炜陈明; 介绍了一种表征SOI材料电学性质的手段,并对三种不同顶层硅厚度的SIMOX材料进行测试、提取参数,分析材料制备工艺对性能产生的影响。研究结果表明,标准SIMOX材料通过顶层硅膜氧化、腐蚀等减薄工艺制得的顶层硅厚度小于100nm的超薄SIMOX...; 关键词：SOI SIMOX Pseudo—MOSFET 隐埋氧化层

Radiation response of pseudo-MOS transistors fabricated in hardened fully-depleted SIMOX SOI wafers被引量：1: 《Chinese Physics C》2009年第10期866-869,共4页毕大炜张正选张帅陈明余文杰王茹田浩刘张李; Supported by Major State Basic Research Development Program; The total dose radiation response of pseudo-MOS transistors fabricated in hardened and unhardened FD （fully-depleted） SIMOX （Separation by Implanted Oxygen） SOI （Silicon-on-insulator） wafers is presented. At 1 M...; 关键词：SOI pseudo-MOS transistor total dose radiation ion implantation

SIMOX