张帅

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供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题：SIMOXMOS晶体管MOSFET氧化层SOI材料更多>>
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Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管评估SOI材料抗总剂量辐射能力的比较
《功能材料与器件学报》2010年第3期271-275,共5页毕大炜 张正选 张帅 
本文用辐射加固和未加固的SIMOX(注氧隔离)SOI(绝缘体上硅)材料制作了Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管,并进行了X射线总剂量辐射实验。结果表明加固工艺能有效提高SIMOXSOI材料的抗总剂量辐射能力,同时也表明Pseudo-MOS晶体管能有效的替代...
关键词：SIMOX SOI 总剂量辐射效应 Pseudo—MOS晶体管 
超薄SIMOX材料的Pseudo-MOSFET电学表征
《功能材料与器件学报》2010年第1期47-51,共5页张帅 张正选 毕大炜 陈明 
介绍了一种表征SOI材料电学性质的手段,并对三种不同顶层硅厚度的SIMOX材料进行测试、提取参数,分析材料制备工艺对性能产生的影响。研究结果表明,标准SIMOX材料通过顶层硅膜氧化、腐蚀等减薄工艺制得的顶层硅厚度小于100nm的超薄SIMOX...
关键词：SOI SIMOX Pseudo—MOSFET 隐埋氧化层 
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