SOI材料片缺陷研究  

Study on SOI Specific Material Defects

作　　者：孙建洁[1] 吴建伟 陈海峰[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡214035

出　　处：《电子与封装》2012年第4期34-37,共4页Electronics & Packaging

摘　　要：SOI材料天然具有抗瞬时辐射的能力,文章介绍了SOI(绝缘体上硅)两类不同材料片SIMOX(注氧隔离法)SOI和Bonded Smart-Cut(智能剥离法)SOI的生产工艺流程。针对SOI材料片的特殊结构——顶层硅/埋氧绝缘层/衬底结构——对各个层次的缺陷进行详细的介绍,并对其在半导体工艺中产生的影响做了深入的阐述。结合目前实际工艺生产线的情况,将SOI材料片的检测分为两大类:可直接测试的表面及内部缺陷;间接的材料性能特征检测。同时提供了大量SOI材料片可行的测试原理,为工艺线SOI材料片缺陷检验提供了有效的方法。SOI materials have capacity of radiation tolerant.Introduce process flow of two different type SOI materials（SIMOX and Bonded Smart-Cut）.For SOI special structure： top Si/BOX/substrate,analyze the defect and effect of different SOI materials.Combine theory with practice,SOI materials detection has two types： direct detectable defect;indirect detect of materials features.Apply available method for detect the defect of SOI materials.

关 键 词：绝缘体上硅 缺陷 SIMOX 键合后智能剥离 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学]