SIMOX硅片埋氧层垂直方向热导率的测量  

Measurement of Thermal Conductivity of Buried Oxides of SOI by SIMOX

作　　者：何平[1] 刘理天[1] 田立林[1] 李志坚[1] 董业明[2] 陈猛[2] 王曦[2] 

机构地区：[1]清华大学微电子学研究所,北京100084 [2]中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室,上海200050

出　　处：《Journal of Semiconductors》2003年第10期1063-1066,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :5 9995 5 5 0 1);国家重点基础研究专项经费 (编号 :G2 0 0 0 0 36 5 0 1)资助项目~~

摘　　要：提出了一种简单、有效而且准确的测量SOI硅片埋氧层垂直方向热导率的方法 ,并采用这种方法测量了用SIMOX工艺制作的SOI硅片的埋氧层垂直方向的热导率 .测量结果显示至少在 5 5nm以上的尺度上对于SIMOX硅片的埋氧层垂直方向经典的热导率定义仍然成立 ,且为一明显小于普通二氧化硅的热导率 (1 4W/mK)的常数1 0 6W/mK .测量中发现硅 /二氧化硅边界存在边界热阻 ,并测量了该数值 .结果表明 ,边界热阻在SOI器件尤其是薄二氧化硅背栅的双栅器件热阻的计算中不可忽略 .A new simple and effective method to measure the thermal conductivity of the buried oxides of the SOI wafer is proposed.By using this method,the thermal conductivity of the buried oxides of the SOI wafer fabricated by SIMOX technology with different thickness is measured.It is found that the thermal conductivity of the SIMOX oxide is 1.06W/mK compared to the 1.4W/mK,which is normally used.The boundary thermal resistance for SIMOX technology is measured for the first time.The results show that the boundary resistance cannot be neglected in the calculation of thermal resistance for SOI devices.

关 键 词：SOI SIMOX 热导率 边界热阻 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]