Investigation of Thermal Property of Novel DSOI MOSFETs Fabricated with Local SIMOX Technique  

采用局域注氧技术制备的新型DSOI场效应晶体管的热特性(英文)

作　　者：林羲[1] 何平[1] 田立林[1] 李志坚[1] 董业民[2] 陈猛[2] 王曦[2] 

机构地区：[1]清华大学微电子学研究所,北京100084 [2]中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室,上海200050

出　　处：《Journal of Semiconductors》2003年第2期117-121,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :5 9995 5 5 0 -1);国家重点基础研究专项经费 (编号 :G2 0 0 0 0 3 65 0 1)资助项目~~

摘　　要：DSOI,bulk Si and SOI MOSFETs are fabricated on the same die successfully using local oxygen implantation process.The thermal properties of the three kinds of devices are described and compared from simulation and measurement.Both simulation and measurement prove that DSOI MOSFETs have the advantage of much lower thermal resistance of substrate and suffer less severe self heating effect than their SOI counterparts. At the same time,the electrical advantages of SOI devices can stay.The thermal resistance of DSOI devices is very close to that of bulk devices and DSOI devices can keep this advantage into deep sub micron realm.通过局域注氧工艺 ,在同一管芯上制作了 DSOI、体硅和 SOI三种结构的器件 .通过测量和模拟比较了这三种结构器件的热特性 .模拟和测量的结果证明 DSOI器件与 SOI器件相比 ,具有衬底热阻较低的优点 ,因而 DSOI器件在保持 SOI器件电学特性优势的同时消除了 SOI器件严重的自热效应 .DSOI器件的衬底热阻和体硅器件非常接近 ,并且在进入到深亚微米领域以后能够继续保持这一优势 .

关 键 词：DSOI SOI local SIMOX self  heating effect thermal resistance 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]