DSOI

作品数：13被引量：9H指数：2
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DSOI总剂量效应模型及背偏调控模型被引量：1
《太赫兹科学与电子信息学报》2022年第6期549-556,共8页王海洋 郑齐文 崔江维 李小龙 李豫东 李博 郭旗 
国家自然科学基金资助项目(12075313);新疆维吾尔自治区自然科学基金资助项目(2021D01E06);中科院西部之光资助项目(2018-XBQNXZ-B-003);中国科学院青年创新促进会资助项目(2020430,2018473)。
总剂量辐射效应会导致绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(DSOIMOSFET)器件的阈值电压漂移、泄漏电流增大等退化特性。由于背栅端口的存在,SOI器件存在新的总剂量效应加固途径,对于全耗尽SOI器件,利用正背栅耦合效应,可通过施加背...
关键词：双埋氧层绝缘体上硅 总剂量辐照 背偏调控 模型 
考虑背栅电流的DSOI MOSFET阈值电压模型研究
《原子能科学技术》2021年第12期2224-2230,共7页王可为 卜建辉 韩郑生 李博 黄杨 罗家俊 赵发展 
Supported by Youth Innovation Promotion Association CAS(2020119);National Natural Science Foundation of China(61874135,62011530040)。
当全耗尽的DSOI NMOS器件受到高总剂量辐射或高背栅电压的影响时,器件阈值电压与背栅电压的关系不再满足单一的线性关系。器件阈值电压与背栅电压之间的耦合机制会在背栅界面从耗尽型过度到强反型后改变,已有的模型不足以描述改变后的...
关键词：DSOI FDSOI 总剂量效应 阈值电压 背栅电压 
0.20μm双埋氧SOI NMOSFET的自热效应
《半导体技术》2021年第8期617-622,共6页王国庆 张晋敏 吴次南 谢泉 刘凡宇 李博 杨静琦 
国家自然科学基金资助项目(61264004);贵州省自然科学基金资助项目(黔科合基础[2018]1028);贵州省高层次创新型人才培养项目(黔科合人才[2015]4015);贵州省留学回国人员科技活动择优资助项目(黔人项目资助合同[2018]09);贵州大学研究生重点课程(贵大研ZDKC[2015]026)。
研究了一种新型双埋氧绝缘体上硅(DSOI)NMOSFET的自热效应(SHE)。通过实验测试并结合计算机数值模拟分析了SHE对DSOI NMOSFET输出特性的影响。仿真结果显示DSOI NMOSFET的背栅引出结构形成了额外的散热通道。重点研究了器件电压和环境...
关键词：双埋氧绝缘层上硅(DSOI) 自热效应(SHE) 晶格温度 退化电流 背栅 
DSOI—a novel structure enabling adjust circuit dynamically被引量：1
《Journal of Semiconductors》2016年第6期152-155,共4页高闯 赵星 赵凯 高见头 解冰清 于芳 罗家俊 
A double silicon on insulator（DSOI） structure was introduced based on fully depleted SOI（FDSOI）technology.The circuit performance could be adjusted dynamically through the separate back gate electrodes applied to ...
关键词：DSOI FDSOI ring oscillator back gate control high performance low power consumption 
DSOI结构开口位置对SOICMOS器件高温性能的影响
《集成电路通讯》2010年第4期27-29,共3页张新 刘梦新 
在沟道下方的隐埋氧化层中开一个窗口形成DSOI结构，空穴可以通过沟道区与衬底的电耦合传递出去，同时器件内部产生的热量也可以很容易通过沟道下方的硅通道泄散出去。本文重点研究埋氧开口位置对器件性能特别是高温性能的影响，并得出...
关键词：DSOI 隐埋氧化层 窗口 位置 
DSOI结构开口尺寸对SOICMOS器件性能的影响
《集成电路通讯》2008年第4期8-13,共6页张新 刘梦新 
尽管可以通过对主要结构和工艺参数的优化找到缓解自加热效应的途径,但这种改变硅膜厚度和埋氧层厚度的办法在工艺上是较难实现的,因而解决SOICMOS器件中浮体效应和自加热效应要寻找其它新的方法,在沟道下方的隐埋氧化层中开一个窗口形...
关键词：DSOI 隐埋氧化层 窗口 尺寸 
薄膜全耗尽SOI CMOS电路高温特性模拟和结构优化被引量：2
《Journal of Semiconductors》2006年第6期1120-1124,共5页刘梦新 高勇 张新 王彩琳 杨媛 
在300～600K温度范围内,利用ISETCAD模拟软件对全耗尽SOI电路的温度特性进行了模拟分析,得到了较全面的SOICMOS倒相器静态特性和瞬态特性,并提出了一种改进的AlN DSOI结构.结果显示,SOICMOS电路的阈值电压对温度较为敏感,随着温度的升高...
关键词：全耗尽 自加热效应 高温 瞬态特性 DSOI 互补金属-氧化物-半导体倒相器 
亚微米DSOI MOSFET非平衡热电耦合模拟
《工程热物理学报》2005年第6期1010-1012,共3页段传华 梁新刚 
国家自然科学基金重大项目(No.59995550)
本文利用电子-光学声子-声学声子散射非平衡能量热电耦合模型数值模拟了DSOI MOSFET,得到了器件静电势、电子浓度和温度分布、声子温度等分布,分析了其热电性质。结果表明在栅极靠漏区是器件热电特性变化最为显著,DSOI器件自热效应很小...
关键词：DSOI MOSFET 亚微米 非平衡 热电耦合 
应用于深亚微米DSOI器件的埋氧层的制备
《Journal of Semiconductors》2005年第6期1187-1190,共4页陶凯 董业民 易万兵 王曦 邹世昌 
利用低剂量、低能量的SIMOX(separationbyimplantedoxygen)图形化技术实现了深亚微米间隔埋氧层的制备.在二氧化硅掩膜尺寸为172nm的情况下,可以得到间隔为180nm的埋氧层.通过TEM(transmissionelectronmicroscope)观察发现埋层形貌完整...
关键词：DSOI SIMOX 埋氧层 
DSOI,SOI和体硅MOSFET的特性测量比较
《清华大学学报（自然科学版）》2003年第7期1005-1008,共4页林羲 董业民 何平 陈猛 王曦 田立林 李志坚 
国家自然科学基金资助项目(59995550-1);国家重点基础研究专项经费(G2000036501)
严重的自热效应和浮体效应是绝缘体上硅(SOI)器件的主要缺点。绝缘体上漏源(DSOI)结构的提出就是为了抑制SOI器件中的这两种效应。为了实现DSOI器件结构并且研究DSOI器件的特性,和SOI器件与体硅器件进行对比,采用新型的局域注氧工艺成...
关键词：DSOI SOI 体硅MOSFET 特性测量 绝缘体上硅 绝缘体上漏源 自热效应 浮体效应 场效应器件 
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