全耗尽

作品数：92被引量：86H指数：5
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渐变沟道全耗尽SOI MOSFET漏致势垒降低效应研究
《宝鸡文理学院学报（自然科学版）》2024年第2期57-60,66,共5页张冰哲 辛艳辉 
国家自然科学基金项目(U2241221)。
目的 集SOI MOSFET(绝缘衬底上的硅金属氧化物半导体场效应晶体管)器件结构与渐变沟道的优点于一体,提出渐变沟道全耗尽SOI MOSFET器件结构,以提高MOSFET器件的微观物理性能。方法 分别列出沟道不同掺杂浓度的2个区域的泊松方程并求解,...
关键词：渐变沟道 金属氧化物半导体场效应晶体管 漏致势垒降低 短沟道效应 
具有浮动结调制的SiC中子探测器研究
《中国集成电路》2023年第7期61-67,共7页韩超 
碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、临界位移阈能高、临界击穿电场强以及热导率高等特性,被认为是高能中子探测的优选材料。目前SiC中子探测器主要采用内含本征(intrinsic)层结构的PN结二极管(PiN)或肖特基二极管形式,其灵敏区结构简单,需要...
关键词：SIC 中子探测器 全耗尽 浮动结 电荷收集效率 
基于非平衡模式的碲镉汞高工作温度探测器被引量：1
《红外技术》2023年第1期15-22,共8页俞见云 孔金丞 覃钢 杨晋 宋林伟 丛树仁 李艳辉 
基础加强计划技术领域项目(2019-JCJQ-JJ527)。
本文回顾了当前国内外高工作温度碲镉汞红外探测器的技术路线和相应的器件性能,在碲镉汞器件暗电流的温度特性分析的基础上,讨论了基于非平衡工作模式的碲镉汞探测器的基本原理、器件结构设计和暗电流机制,探讨了吸收层全耗尽碲镉汞器...
关键词：碲镉汞 非平衡 俄歇抑制 全耗尽 高工作温度 
全耗尽绝缘层上硅技术及生态环境简介被引量：1
《电子与封装》2022年第6期77-85,共9页赵晓松 顾祥 张庆东 吴建伟 洪根深 
随着半导体技术节点微缩到3 nm及以下,晶体管的尺寸难以进一步缩小,导致了成本优势的减小。功能性和功耗成为物联网、可穿戴设备、汽车电子等应用的主要关注点,为满足这些需求,全耗尽绝缘层上硅(Fully Depleted Silicon on Insulator,FD...
关键词：全耗尽绝缘层上硅 超薄埋氧 体偏置 
全耗尽SOI器件源/漏区抬升结构的形成（英文）被引量：1
《微纳电子技术》2019年第12期970-977,共8页田明 宋洋 雷海波 
Shanghai Huali Integrated Circuit Corporation within the project of FDSOI program
介绍了在全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)结构上,通过在SOI表面外延生长形成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)源/漏区抬升结构的方法。研究了不同的工艺参数对外延生长的影响,从而在合适的掺杂浓度下得到均匀的外延生长形貌。提出了两种...
关键词：全耗尽绝缘体上硅(FDSOI) 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 源/漏区抬升结构 外延生长 绝缘体上硅(SOI)损耗 
超薄全耗尽SOI器件的总剂量效应研究被引量：3
《集成电路应用》2019年第9期20-22,共3页李宁 赵凯 沈鸣杰 
上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(1300303)
研究了基于超薄SOI(UTSOI)的MOSFET总剂量辐照效应。研究主要基于晶体管的三个工作状态(ON状态、OFF状态、TG状态)和不同的背栅偏置条件进行了总剂量辐照试验。试验结果表明,采用超薄SOI材料制造的MSOFET,由总剂量辐照导致阈值漂移现象...
关键词：集成电路 SOI 全耗尽 总剂量辐照 NMOSFET 
电池回收流水线
《环球科学》2019年第12期44-44,共1页
我们所处的无线世界非常依赖电池。无论手机再怎么智能,没有电就什么都干不了。汽车、笔记本电脑、手表和电视遥控器都是如此。电池的电量完全耗尽之后怎么办呢?碱性电池,比如AA电池或AAA电池,很容易替换,你只需要买一个新电池就行了,...
关键词：电池回收 流水线 碱性电池 AA电池 笔记本电脑 电视遥控器 重金属 全耗尽 
“安全”的IPv6依然不安全被引量：1
《中国信息化》2018年第10期37-38,共2页孙杰贤 
截至2016年10月底,亚太、欧洲、拉美、北美等地区IPv4地址池已完全耗尽.和最多提供约43亿个IP地址的IPv4相比,IPv6理论可提供2的128次方个IP地址.据说,就算给铺在地球表面上的每一粒沙子都分配一个IP地址,IPv6仍然是绰绰有余.当然,相比I...
关键词：IPV6 安全 IPV4 IP地址 地球表面 全耗尽 地址池 
全耗尽SOI MOSFET亚阈值表面势的二维半解析模型被引量：1
《中国科学技术大学学报》2018年第1期75-81,共7页常红 孙桂金 杨菲 柯导明 
国家自然科学基金(61376098;61076086)资助
根据SOI MOSFET的工作原理,在SOI MOSFET的氧化层、耗尽层和埋氧化层分别引入矩形等效源,提出了电势二维分布的定解问题.再通过半解析法、傅里叶级数展开法和积分法相结合对每个区域的定解问题进行求解,得到了定解问题的二维半解析解,...
关键词：SOI MOSFE 短沟道效应 电势 半解析模型 
全耗尽绝缘硅FD-SOI工艺技术的特点分析
《集成电路应用》2017年第11期38-41,共4页孔文 
上海市软件和集成电路产业发展专项基金(2016.160220)
在先进的IC制造工艺方面,由Intel主导的Fin FET一直大行其道。而最近这几年,SOI,包括FD-SOI和RF-SOI越来越受到人们的关注,特别是随着物联网和5G时代的到来,其技术优势和应用前景也越发地被看好。在应用层面,总的来说,Fin FET的目标市...
关键词：集成电路制造 全耗尽绝缘硅 RF-SOI 
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