埋氧层

作品数：27被引量：27H指数：3
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相关作者：李多力张波韩郑生乔明曾传滨更多>>
相关机构：中国科学院中国科学院微电子研究所电子科技大学杭州电子科技大学更多>>
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双埋氧绝缘体上硅SRAM铀离子单粒子效应研究
《现代应用物理》2024年第4期40-46,58,共8页王春林 高见头 刘凡宇 陈思远 王娟娟 王天琦 李博 倪涛 
国家自然科学基金资助项目(U2267210)。
随着集成电路技术的进步,提高电路的单粒子翻转(single event upset,SEU)阈值变得愈发困难。双埋氧层绝缘体上硅(double silicon-on-insulator,DSOI)技术为单粒子加固技术提供了新方法。利用哈尔滨工业大学空间地面模拟装置(space envir...
关键词：绝缘体上硅 双埋氧层绝缘体上硅 静态随机存储器 单粒子效应 单粒子翻转 
UTBB SOI MOSFETs短沟道效应抑制技术
《固体电子学研究与进展》2023年第5期392-400,共9页李曼 张淳棠 刘安琪 姚佳飞 张珺 郭宇锋 
国家自然科学基金资助项目(61874059,61904083,62074080);江苏省自然科学基金资助项目(BK20201206);江苏省研究生科研与实践创新计划项目(KYCX20_0704)。
随着栅极长度、硅膜厚度以及埋氧层厚度的减小,MOS器件短沟道效应变得越来越严峻。本文首先给出了决定全耗尽绝缘体上硅短沟道效应的三种机制;然后从接地层、埋层工程、沟道工程、源漏工程、侧墙工程和栅工程等六种工程技术方面讨论了...
关键词：UTBB SOI MOSFETs 短沟道效应 漏致势垒降低 埋氧层厚度 
DSOI总剂量效应模型及背偏调控模型被引量：1
《太赫兹科学与电子信息学报》2022年第6期549-556,共8页王海洋 郑齐文 崔江维 李小龙 李豫东 李博 郭旗 
国家自然科学基金资助项目(12075313);新疆维吾尔自治区自然科学基金资助项目(2021D01E06);中科院西部之光资助项目(2018-XBQNXZ-B-003);中国科学院青年创新促进会资助项目(2020430,2018473)。
总剂量辐射效应会导致绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(DSOIMOSFET)器件的阈值电压漂移、泄漏电流增大等退化特性。由于背栅端口的存在,SOI器件存在新的总剂量效应加固途径,对于全耗尽SOI器件,利用正背栅耦合效应,可通过施加背...
关键词：双埋氧层绝缘体上硅 总剂量辐照 背偏调控 模型 
背板掺杂与窗口位置对SELBOX器件调控研究
《微电子学》2019年第6期862-867,共6页黄琴 刘人华 孙亚宾 李小进 石艳玲 王昌峰 廖端泉 田明 
国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301003);国家自然科学基金资助项目(61574056,61704056);上海扬帆计划资助项目(YF1404700);上海市科学技术委员会资助项目(14DZ2260800)
介绍了一种采用HK-first MG-last FDSOI工艺制作的选择性埋氧(SELBOX)器件。利用TCAD,对不同背板掺杂类型和埋氧层窗口位置的SELBOX器件进行直流仿真分析,再与FDSOI器件的直流参数进行比对,得到SELBOX器件的直流性能对背板掺杂类型和埋...
关键词：FDSOI 埋氧层窗口位置 背板掺杂 物理机制 
选择性埋氧层上硅器件的单粒子瞬态响应的温度相关性被引量：1
《物理学报》2019年第4期297-305,共9页高占占 侯鹏飞 郭红霞 李波 宋宏甲 王金斌 钟向丽 
国家自然科学基金(批准号:11875229);电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室开放基金(批准号:ZHD201803)资助的课题~~
本文建立了90 nm工艺下的绝缘体上硅浮体器件和选择性埋氧层上硅器件模型,通过器件电路混合仿真探究了工作温度对上述两种结构的多级反相器链单粒子瞬态脉冲宽度以及器件内部电荷收集过程的影响.研究表明, N型选择性埋氧层上硅器件相较...
关键词：选择性埋氧层 单粒子瞬态 电荷收集 温度相关性 
超薄埋氧层厚度对FDSOI器件短沟道效应影响被引量：1
《东北石油大学学报》2017年第1期117-122,共6页谭思昊 李昱东 徐烨峰 闫江 
国家科技重大专项(2013ZX02303-001-001)
随着CMOS技术发展到22nm技术节点以下,体硅平面器件达到等比例缩小的极限。全耗尽超薄绝缘体上硅CMOS(FDSOI)技术具有优秀的短沟道效应控制能力,利用TCAD软件,对不同埋氧层厚度的FDSOI器件短沟道效应进行数值仿真,研究减薄BOX厚度及器...
关键词：FDSOI 超薄埋氧层 仿真研究 短沟道效应 背栅偏压 
超薄埋氧层FDSOI器件制备及其性能测试被引量：1
《微纳电子技术》2016年第9期565-570,622,共7页谭思昊 李昱东 徐烨峰 闫江 
全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)器件具有出色的短沟道效应(SCE)控制能力等优势,是22 nm及以下的CMOS技术节点中的有力竞争者。为了研究减薄埋氧层(BOX)厚度对FDSOI器件性能和短沟道效应的影响,并进一步提高FDSOI器件的短沟道效应控制能力,制...
关键词：全耗尽绝缘体上硅(FDSOI) 超薄埋氧层(UTB) 器件制备 短沟道效应(SCE) 背栅偏压 
埋氧层内应力对微悬臂梁加工断裂的影响机理研究
《新技术新工艺》2016年第9期35-40,共6页仲仁 赵钢 陈建锋 刘光丽 刘杰 褚家如 
国家自然科学基金资助项目(51205375)
研究了在Smart-cut方法下制作的SOI硅片中热应力产生的来源,以及热应力的分布、数值和范围。对微悬臂梁制作过程的几个阶段进行了建模,通过仿真,探讨了不同热应力对微悬臂梁制作过程产生的影响,并在ANSYS软件中对优化的加工工艺可行性...
关键词：MEMS 微悬臂梁 埋氧层内应力 微纳加工工艺 ANSYS仿真 
基于薄埋氧层及三顶层硅的SOI高压LDMOS研究被引量：1
《微电子学》2014年第1期101-104,共4页雷剑梅 胡盛东 朱志 武星河 罗俊 谭开洲 
重庆市自然科学基金资助项目(cstcjjA40008);中央高校基本科研业务费科研专项自然科学类项目(CDJZR11160002);中国博士后科学基金面上资助项目(2012M511905);中国博士后科学基金特别资助项目(2013T60835)
详细研究了一种基于薄埋氧层及三层顶层硅衬底(Triple-Layer Top Silicon,TLTS)的SOI高压LDMOS器件。该结构在SOI介质层上界面的顶层硅内引入一高浓度n+层,当器件处于反向阻断状态时,高浓度n+区部分耗尽,漏端界面处已耗尽n+层内的高浓...
关键词：埋氧层 绝缘体上硅 高压器件 
氮氟复合注入对注氧隔离SOI材料埋氧层内固定正电荷密度的影响被引量：2
《物理学报》2013年第11期442-448,共7页张百强 郑中山 于芳 宁瑾 唐海马 杨志安 
为了抑制埋层注氮导致的埋层内正电荷密度的上升,本文采用氮氟复合注入方式,向先行注氮的埋层进行了注氮之后的氟离子注入,并经适当的退火,对埋层进行改性.利用高频电容-电压(C-V)表征技术,对复合注入后的埋层进行了正电荷密度的表征....
关键词：绝缘体上硅(SOI)材料 注氮 注氟 埋氧层正电荷密度 
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