云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 郑中山

郑中山: 作品数：18被引量：25H指数：3; 导出分析报告; 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>; 发文主题：绝缘体上硅SIMOXSOI埋氧层注氮更多>>; 发文领域：电子电信理学电气工程化学工程更多>>; 发文期刊：《微电子学》《半导体技术》《微电子学与计算机》《物理学报》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金上海市教育委员会创新基金博士科研启动基金国家杰出青年科学基金更多>>

Si离子辐照下Al2O3栅介质的漏电机制: 《半导体技术》2019年第7期558-563,共6页陈曦张静朱慧平郑中山李博李多力张金晶何明; 国家自然科学基金面上项目(61674003,61874135);中国科学院青年创新促进会资助项目(2016113); 基于Al/Al2O3/Si金属氧化物半导体(MOS)电容结构研究了30 MeV Si离子辐照前后Al2O3栅介质的泄漏电流输运机制。研究结果表明,相较于辐照前,Si离子辐照在栅介质层引起的正电荷俘获导致Al2O3与Si衬底界面处的势垒高度降低,使辐照后Al2O3...; 关键词：Al2O3栅介质 Si离子辐照输运机制弗伦克尔-普尔(FP)发射福勒-诺德海姆(FN)隧穿

体硅nFinFET总剂量效应三维TCAD仿真研究被引量：4: 《微电子学与计算机》2018年第8期42-47,共6页黄云波李博杨玲郑中山李彬鸿罗家俊; 本文利用Sentaurus TCAD仿真软件对体硅鳍形场效应晶体管(FinFET)的总剂量效应(TID)进行了详细的数值模拟研究.基于良好校准后的器件模型,仿真结果表明:高沟道阻挡层掺杂浓度,大鳍宽,锥形鳍截面形状的FinFET器件对总剂量效应有良好的抑...; 关键词：鳍形场效应晶体管总剂量效应(TID) 浅槽隔离(STI) TCAD

0.18μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体电路单粒子瞬态特性研究被引量：6: 《物理学报》2015年第13期286-293,共8页赵星梅博毕津顺郑中山高林春曾传滨罗家俊于芳韩郑生; 国家自然科学基金(批准号:11179003;61176095)资助的课题~~; 利用脉冲激光入射技术研究100级0.18μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体反相器链的单粒子瞬态效应,分析了激光入射器件类型及入射位置对单粒子瞬态脉冲传输特性的影响.实验结果表明,单粒子瞬态脉冲在反相器链中的传输与激光入...; 关键词：单粒子瞬态脉冲激光部分耗尽绝缘体上硅传输导致的脉冲展宽效应

氮氟复合注入对注氧隔离SOI材料埋氧层内固定正电荷密度的影响被引量：2: 《物理学报》2013年第11期442-448,共7页张百强郑中山于芳宁瑾唐海马杨志安; 为了抑制埋层注氮导致的埋层内正电荷密度的上升,本文采用氮氟复合注入方式,向先行注氮的埋层进行了注氮之后的氟离子注入,并经适当的退火,对埋层进行改性.利用高频电容-电压(C-V)表征技术,对复合注入后的埋层进行了正电荷密度的表征....; 关键词：绝缘体上硅(SOI)材料注氮注氟埋氧层正电荷密度

高剂量注氮对注氧隔离硅材料埋氧层中正电荷密度的影响被引量：1: 《物理学报》2011年第5期532-537,共6页唐海马郑中山张恩霞于芳李宁王宁娟李国花马红芝; 济南大学博士基金及上海市教育委员会科研创新项目(批准号:08YZ156)资助的课题~~; 为研究注氮改性对注氧隔离硅材料中埋氧层性质的影响,向其埋氧层内注入了1016cm-2的高剂量氮.实验结果表明,与未注氮的埋氧层相比,所有注氮的埋氧层中的正电荷密度显著增加.实验还发现,注氮后的退火可使埋氧层内的正电荷密度进一步上升...; 关键词：注氧隔离埋氧注氮正电荷密度

注氮、注氟SIMOX/NMOS器件辐射加固性能(英文): 《功能材料与器件学报》2007年第5期426-430,共5页王宁娟刘忠立李宁张国强于芳郑中山李国花; 本文对注N、注F的SIMOX/NMOSFET器件的抗辐射特性进行了研究,发现两者都能减少埋氧层及其界面的空穴陷阱,对辐射加固有所改善,特别是对大剂量辐射的加固更为明显。总体来说,在此能量下,离子注入剂量越大,加固越好。由于注入的剂量对片...; 关键词：SOI MOSFET 辐射加固离子注入

SIMOX SOI埋氧注氮工艺对埋氧中固定正电荷密度的影响: 《物理学报》2007年第9期5446-5451,共6页郑中山张恩霞刘忠立张正选李宁李国花; 济南大学博士基金资助的课题.~~; 在SIMOX SOI材料的埋氧中注氮是为了增强该类材料的抗辐射能力.通过C-V研究表明,对于埋氧层为150nm的SIMOX SOI材料来说,当在其埋氧中注入4×1015cm-2剂量的氮后,与未注氮埋氧相比,注氮埋氧中的固定正电荷密度显著增加了;而对于埋氧层为...; 关键词：SIMOX 埋氧注氮固定正电荷密度

注氮工艺对SOI材料抗辐照性能的影响被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2005年第6期1269-1272,共4页张恩霞钱聪张正选王曦张国强李宁郑中山刘忠立; 国家杰出青年基金(批准号:59925205);上海市基础研究基金(批准号:02DJ14069);国家自然科学基金(批准号:10305018)资助项目~~; 分别采用一步和分步注入的工艺制备了氧氮共注形成SOI(SIMON)材料,并对退火后的材料进行了二次离子质谱(SIMS)分析,结果发现退火之后氮原子大多数聚集在SiO2/Si界面处.为了分析材料的抗辐照加固效果,分别在不同方法制作的SIMON材料上制...; 关键词：氧氮共注 SIMON SOI 离子注入

Sensitivity of Total-Dose Radiation Hardness of SIMOX Buried Oxides to Doses of Nitrogen Implantation into Buried Oxides被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2005年第5期862-866,共5页郑中山刘忠立张国强李宁李国花马红芝张恩霞张正选王曦; In order to improve the total-dose radiation har dness of the buried oxides(BOX) in the structure of separation-by-implanted-oxygen(SIMOX) silicon-on-insulator(SOI),nitrogen ions are implanted into the buried oxides w...; 关键词：SIMOX buried oxide radiation-hardness nitrogen implantation

注氮工艺对SIMOX器件电特性的影响: 《Journal of Semiconductors》2005年第4期835-839,共5页张国强刘忠立李宁范楷郑中山张恩霞易万兵陈猛王曦; 研究了氮离子注入对SIMOX器件电特性的影响.氮注入SIMOX的埋氧层并退火后,将减小前栅MOS FET/SIMOX的阈电压,提高其漏源击穿电压但对栅击穿电压影响较小.氮注入方式对SIMOX器件的I V特性有重要影响.; 关键词：SIMOX MOSFET 氮

郑中山