王宁娟

作品数：3被引量：2H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：全耗尽SOI总剂量辐射总剂量注氮更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《物理学报》《功能材料与器件学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：上海市教育委员会创新基金更多>>
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高剂量注氮对注氧隔离硅材料埋氧层中正电荷密度的影响被引量：1
《物理学报》2011年第5期532-537,共6页唐海马 郑中山 张恩霞 于芳 李宁 王宁娟 李国花 马红芝 
济南大学博士基金及上海市教育委员会科研创新项目(批准号:08YZ156)资助的课题~~
为研究注氮改性对注氧隔离硅材料中埋氧层性质的影响,向其埋氧层内注入了1016cm-2的高剂量氮.实验结果表明,与未注氮的埋氧层相比,所有注氮的埋氧层中的正电荷密度显著增加.实验还发现,注氮后的退火可使埋氧层内的正电荷密度进一步上升...
关键词：注氧隔离 埋氧 注氮 正电荷密度 
注氮、注氟SIMOX/NMOS器件辐射加固性能(英文)
《功能材料与器件学报》2007年第5期426-430,共5页王宁娟 刘忠立 李宁 张国强 于芳 郑中山 李国花 
本文对注N、注F的SIMOX/NMOSFET器件的抗辐射特性进行了研究,发现两者都能减少埋氧层及其界面的空穴陷阱,对辐射加固有所改善,特别是对大剂量辐射的加固更为明显。总体来说,在此能量下,离子注入剂量越大,加固越好。由于注入的剂量对片...
关键词：SOI MOSFET 辐射加固 离子注入 
不同偏置下全耗尽SOI NMOSFET总剂量抗辐射的研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第5期750-754,共5页王宁娟 刘忠立 李宁 于芳 李国花 
研究了不同偏置条件下,全耗尽SOI NMOSFET的总剂量抗辐射特性,主要讨论不同偏置条件对器件中陷获电荷的产生和分布,以及由此对器件性能产生的影响.通过器件模拟发现,在辐射过程中器件的偏置条件不同,造成器件的有源区和埋氧层中电场的...
关键词：SOI 全耗尽 总剂量辐射 器件模拟 
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