不同偏置下全耗尽SOI NMOSFET总剂量抗辐射的研究  

Total Dose Irradiation of FD SOI NMOSFET Under Different Bias Configurations

作　　者：王宁娟[1] 刘忠立[1] 李宁[1] 于芳[1] 李国花[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所传感器国家重点实验室,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第5期750-754,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：研究了不同偏置条件下,全耗尽SOI NMOSFET的总剂量抗辐射特性,主要讨论不同偏置条件对器件中陷获电荷的产生和分布,以及由此对器件性能产生的影响.通过器件模拟发现,在辐射过程中器件的偏置条件不同,造成器件的有源区和埋氧层中电场的分布有着很大的差异.而俘获电荷的产生与电场又有着紧密的联系,所以造成了俘获电荷的分布和密度有很大的不同,从而对器件的影响也不同.模拟结果表明,在三种不同的偏置条件下,OFF态(关态)时背沟道附近陷获电荷密度最高,以常数电流法估算出的阈值电压负漂移最大,同时引起了最大的本底静态漏电流.The total dose irradiation effects under different bias configurations for fully-depleted （FD） silicon on insulator （SOD devices are investigated, especially the influence on device performance from radiation-induced trapped-charges. The simulation results show that distribution of the electrical field is strongly dependent on the bias configuration. Moreover, the generation of trapped-charges is related to the electrical field. The variation of the electrical field distribution leads to the variation of trapped-charge distribution, which in turn results in the variation of device performance. Among the three different bias configurations, the OFF state has the highest density of trapped-charges and corresponds to the largest drift of threshold-voltage and leakage current of the front-gate transistor.

关 键 词：SOI 全耗尽 总剂量辐射 器件模拟 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]