云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 李国花

李国花: 作品数：14被引量：13H指数：2; 导出分析报告; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文主题：SIMOXSOI注氮全耗尽SIO更多>>; 发文领域：电子电信理学生物学医药卫生更多>>; 发文期刊：《电子学报》《物理学报》《物理》《功能材料与器件学报》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金上海市教育委员会创新基金博士科研启动基金更多>>

高剂量注氮对注氧隔离硅材料埋氧层中正电荷密度的影响被引量：1: 《物理学报》2011年第5期532-537,共6页唐海马郑中山张恩霞于芳李宁王宁娟李国花马红芝; 济南大学博士基金及上海市教育委员会科研创新项目(批准号:08YZ156)资助的课题~~; 为研究注氮改性对注氧隔离硅材料中埋氧层性质的影响,向其埋氧层内注入了1016cm-2的高剂量氮.实验结果表明,与未注氮的埋氧层相比,所有注氮的埋氧层中的正电荷密度显著增加.实验还发现,注氮后的退火可使埋氧层内的正电荷密度进一步上升...; 关键词：注氧隔离埋氧注氮正电荷密度

注氮、注氟SIMOX/NMOS器件辐射加固性能(英文): 《功能材料与器件学报》2007年第5期426-430,共5页王宁娟刘忠立李宁张国强于芳郑中山李国花; 本文对注N、注F的SIMOX/NMOSFET器件的抗辐射特性进行了研究,发现两者都能减少埋氧层及其界面的空穴陷阱,对辐射加固有所改善,特别是对大剂量辐射的加固更为明显。总体来说,在此能量下,离子注入剂量越大,加固越好。由于注入的剂量对片...; 关键词：SOI MOSFET 辐射加固离子注入

SIMOX SOI埋氧注氮工艺对埋氧中固定正电荷密度的影响: 《物理学报》2007年第9期5446-5451,共6页郑中山张恩霞刘忠立张正选李宁李国花; 济南大学博士基金资助的课题.~~; 在SIMOX SOI材料的埋氧中注氮是为了增强该类材料的抗辐射能力.通过C-V研究表明,对于埋氧层为150nm的SIMOX SOI材料来说,当在其埋氧中注入4×1015cm-2剂量的氮后,与未注氮埋氧相比,注氮埋氧中的固定正电荷密度显著增加了;而对于埋氧层为...; 关键词：SIMOX 埋氧注氮固定正电荷密度

不同偏置下全耗尽SOI NMOSFET总剂量抗辐射的研究被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2007年第5期750-754,共5页王宁娟刘忠立李宁于芳李国花; 研究了不同偏置条件下,全耗尽SOI NMOSFET的总剂量抗辐射特性,主要讨论不同偏置条件对器件中陷获电荷的产生和分布,以及由此对器件性能产生的影响.通过器件模拟发现,在辐射过程中器件的偏置条件不同,造成器件的有源区和埋氧层中电场的...; 关键词：SOI 全耗尽总剂量辐射器件模拟

Sensitivity of Total-Dose Radiation Hardness of SIMOX Buried Oxides to Doses of Nitrogen Implantation into Buried Oxides被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2005年第5期862-866,共5页郑中山刘忠立张国强李宁李国花马红芝张恩霞张正选王曦; In order to improve the total-dose radiation har dness of the buried oxides(BOX) in the structure of separation-by-implanted-oxygen(SIMOX) silicon-on-insulator(SOI),nitrogen ions are implanted into the buried oxides w...; 关键词：SIMOX buried oxide radiation-hardness nitrogen implantation

High-Voltage Ti /6H-SiC Schottky Barrier Diodes: 《Journal of Semiconductors》2001年第8期962-966,共5页王姝睿刘忠立李国花于芳刘焕章; The fabrication and electrical characterization of Scho tt ky barrier diodes (SBD) on 6H-SiC,via thermal evaporation of Ni are reported.Th e Schottky barrier diodes are fabricated during the 6H-SiC epilayers grow n b...; 关键词：silicon carbide Schottky barrier diode 6H-SIC

辐射加固的JFET/SOS:工艺及γ辐射效应被引量：1: 《Journal of Semiconductors》1999年第8期676-681,共6页聂纪平刘忠立和致经于芳李国花张永刚; 本文研究了制作ＪＦＥＴ／ＳＯＳ（蓝宝石上外延硅结型场效应晶体管）的方法，采用扩散形成栅极ｐ＋ｎ浅结以及复合注入的方法形成导电沟道，在不同的工艺条件下可得到增强型和耗尽型器件．通过Ｃｏ６０源的 γ射线辐射实...; 关键词：JFET/SOS 辐射加固结型场效应晶体管

硼扩散引起薄SiO_2栅介质的性能退化被引量：3: 《电子学报》1999年第8期144-144,共1页高文钰刘忠立梁秀琴于芳聂纪平李国花; 国家自然科学基金; 采用表沟ｐ＋多晶硅栅／ＰＭＯＳＦＥＴ代替埋沟ｎ＋多晶硅栅／ＰＭＯＳＦＥＴ具有易于调节阈值电压、降低短沟效应和提高器件开关特性的优点，因而在深亚微米ＣＭＯＳ工艺中被采纳．但是多晶硅掺杂后的高温工艺过程会使硼杂质扩散到薄...; 关键词：PMOSFET 二氧化硅栅介质硼扩散性能退化

硅表面清洗对热氧化13nm SiO_2可靠性的影响被引量：1: 《Journal of Semiconductors》1999年第5期383-388,共6页高文钰刘忠立和致经于芳梁桂荣李国花; 国家自然科学基金; 实验研究表明热生长１３ｎｍ薄ＳｉＯ２的可靠性同氧化前硅表面清洗处理方法有很大关系．氧化前稀ＨＦ酸及ＨＦ／乙醇漂洗不会提高热氧化薄ＳｉＯ２的可靠性；氧化前用ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ（０．０５∶２∶５）溶液清洗形成化...; 关键词：硅二氧化硅热氧化表面清洗可靠性

光生物传感技术与癌症易感性的检出: 《物理》1998年第4期223-226,共4页陈克铭李国花马红芝; 传感技术国家重点实验室资助; 要有效预防癌症就要检测出肿瘤生物标记物的量及其变化量．因此，关键是要发展一种能检测出肿瘤易感个体的新方法———光生物传感技术．由此可作出细胞癌变的易感个体的预警，并给出针对性的预防措施，使癌症的发病率大大下降．; 关键词：光生物传感器易感性肿瘤检测生物标记物

李国花