High-Voltage Ti /6H-SiC Schottky Barrier Diodes  

高压 Ti/ 6H- SiC肖特基势垒二极管(英文)

作　　者：王姝睿[1] 刘忠立[1] 李国花[1] 于芳[1] 刘焕章[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所传感技术国家实验室,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2001年第8期962-966,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：The fabrication and electrical characterization of Scho tt ky barrier diodes (SBD) on 6H-SiC,via thermal evaporation of Ni are reported.Th e Schottky barrier diodes are fabricated during the 6H-SiC epilayers grow n by using chemical vapor deposition on commercially available single-crystal 6 H-SiC wafers.The I-V characteristics of these diodes exhibit a sharp break down,with the breakdown voltage of 450V at room temperature.The diodes are demon strated to be of a low reverse leakage current of 5×10 -4 A·cm -2 at the bias voltage of -200V.The ideal factor and barrier height are 1 09 and 1 24-1 26eV,respectively.在 N型 6 H - Si C外延片上 ,通过热蒸发 ,制作 Ti/ 6 H- Si C肖特基势垒二极管 (SBD) .通过化学气相淀积 ,进行同质外延生长 ,详细测量并分析了肖特基二极管的电学特性 ,该肖特基二极管具有较好的整流特性 .反向击穿电压约为 40 0 V,室温下 ,反向电压 VR=2 0 0 V时 ,反向漏电流 JR 低于 1× 10 - 4 A / cm2 .采用 Ne离子注入形成非晶层 ,作为边缘终端 ,二极管的击穿电压增加到约为 80 0 V.

关 键 词：silicon carbide Schottky barrier diode 6H-SIC 

分 类 号：TN311.7[电子电信—物理电子学]