云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- PMOSFET

PMOSFET: 作品数：101被引量：107H指数：4; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：郝跃任迪远余学峰张鹤鸣陆妩更多>>; 相关机构：西安电子科技大学中国科学院中国科学院微电子研究所中国科学院新疆理化技术研究所更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>

热电子诱导穿透对pMOSFET的影响: 《当代化工研究》2024年第13期43-45,共3页任康丁俊贤贡佳伟王磊李广; 随着晶体管尺寸的不断减小,由于热电子诱导穿透(HEIP)而引起的pMOSFET器件可靠性退化问题,一直是深亚微米器件研究的热点,老化(Burn in)实验作为高温测试中的一个不可避免的环节,用以保证器件的可靠性,HEIP效应会影响老化实验中的累积...; 关键词：热电子诱导穿透可靠性寿命时间

沟道长度对国产28nm pMOSFET NBTI的影响研究: 《电子产品可靠性与环境试验》2022年第S02期40-42,共3页韦拢韦覃如赵鹏李政槺周镇峰林晓玲章晓文高汭; 广州市科技计划项目(202002030299)资助; 负偏置温度不稳定性(NBTI:Negative Bias Temperature Instability)是半导体先进工艺MOSFET器件最普遍、最严重的老化效应之一,严重地影响着集成电路的可靠性。研究了沟道长度对国产28 nm pMOSFET器件MBTI的影响,结果表明:针对单一沟道...; 关键词：负偏置温度不稳定性沟道长度金属-氧化物半导体场效应晶体管

一种用于高压PMOSFET驱动器的电压跟随电路被引量：2: 《半导体技术》2021年第3期198-202,222,共6页师翔崔玉旺赵永瑞谭小燕张浩贾东东; 通常PMOSFET栅源电压为-20~20 V,而用于GaN功率放大器的高压PMOSFET驱动器,其工作电压为28~50 V,因此需要一种新型电路结构来保证PMOSFET栅源电压工作在额定范围。设计了一种新型电压跟随电路,采用新型多环路负反馈结构,核心电路主要为...; 关键词：PMOSFET驱动器栅源电压电压跟随电路多环路负反馈低温度漂移

P型金属氧化物半导体(PMOS)剂量计探头的差分工作电路技术: 《辐射研究与辐射工艺学报》2021年第1期81-86,共6页王思源孙静陆妩; 中科院西部之光项目(2017-XBQNXZ-B-008);国家自然科学基金项目(11975305)资助。; 针对目前国内使用的P型金属氧化物半导体(Positive channel metal oxide semiconductor,PMOS)剂量计存在的灵敏度较低的问题,在对PMOS剂量计探头工作电路原理进行深入研究的基础上,采用差分工作模式的探头电路对我国PMOS剂量计的工作电...; 关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET) 剂量计差分电路灵敏度总剂量

Layout dependence of total-ionizing-dose response in 65-nm bulk Si pMOSFET被引量：1: 《Science China(Information Sciences)》2021年第2期267-268,共2页Zhexuan REN Xia AN Gensong LI Xing ZHANG Ru HUANG; supported in part by National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.61421005,61434007);111 Project(Grant No.B18001)。; Dear editor,Strain technology has become a common solution in the semiconductor manufacturing industry since 90-nm technology node to overcome the severe carrier mobility degradation of nanoscale microelectronic devic...; 关键词：PMOSFET Layout OVERCOME

PMOSFET耗散功率的估算和验证: 《科技创新与应用》2020年第24期23-24,28,共3页钱晓东张翠云; 精品在线开放课程(编号:azy2019mooc27)。; 介绍了一种PMOSFET耗散功率的理论估算方法,采用前级推挽式逆变器为实验平台,完成热阻实验验证。结果表明,该估算方法与实际测试结果接近,为设计散热片提供了理论依据,加快了产品开发进度,具有较好的实际应用价值。; 关键词：PMOSFET 耗散功率推挽热阻散热片

纳米pMOSFET上考虑涨落的NBTI测试方法新进展被引量：1: 《电子产品可靠性与环境试验》2020年第4期118-125,共8页高汭张小龙雷胡敏林晓玲章晓文陈义强黄云恩云飞; 广东省重点领域研发计划项目(No.2019B010145001)资助。; 回顾了纳米pMOSFET上考虑涨落的NBTI测试方法的新进展。首先,简单地介绍了5种传统的NBTI测试方法:准静态直流完整Id-Vg测试法、在线测试法、单点Id测试法、延伸Id测试法和超快脉冲测试法,并分别分析了他们各自的优缺点;然后,阐述了由于p...; 关键词：纳米PMOSFET 涨落负偏压温度不稳定性

LDD后热处理工艺对28 nm PMOSFET短沟道效应的影响被引量：1: 《集成电路应用》2019年第8期34-36,共3页朱巧智刘巍李润领; 上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(1500204); Si MOSFET作为大规模集成电路的基础,沟道长度是决定其运行速度和集成度的重要参数。随着Si MOSFET器件尺寸不断缩小,短沟道效应(即器件阈值电压随沟道长度减小不断降低的现象)越来越严重。基于28 nm低功耗逻辑平台,研究了LDD后热处理...; 关键词：集成电路制造短沟道效应 PMOSFET pocket注入热处理温度

28 nm PMOSFET器件短沟道效应机理研究与优化: 《集成电路应用》2019年第7期28-30,共3页朱巧智田明刘巍; 上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(1500204); 随着MOSFET器件尺寸不断缩小,短沟道效应越来越严重。基于28 nm低功耗逻辑平台,针对PMOSFET器件短沟道效应严重的现象,借助半导体工艺及器件仿真工具TCAD,研究PMOSFET短沟道效应的产生机制。提出一种通过调整pocket离子注入工艺条件改...; 关键词：集成电路制造短沟道效应 PMOSFET roll-off曲线 pocket注入

纳米PMOSFET负偏压温度不稳定性测试方法: 《固体电子学研究与进展》2017年第6期433-437,共5页崔江维郑齐文余徳昭周航苏丹丹马腾郭旗余学峰; 国家自然科学基金资助项目(11475255,11505282);中国科学院西部之光资助项目(2015-XBQN-B-15); P型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)的负偏压温度不稳定性(NBTI)是制约纳米MOS器件在长寿命电子系统中应用的关键问题之一。为了准确地表征NBTI效应对器件参数的影响,分析了现有测试方法的特点,在此基础上改进了测试试验方法。...; 关键词：纳米器件 P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管负偏压温度不稳定性

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