周航

作品数：10被引量：24H指数：3
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供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所更多>>
发文主题：总剂量效应静态随机存储器热载流子绝缘体上硅电离辐射更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《微电子学》《电子学报》《红外与激光工程》更多>>
所获基金：国家自然科学基金中国科学院西部之光基金更多>>
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γ射线辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响被引量：2
《红外与激光工程》2018年第9期203-208,共6页马腾 苏丹丹 周航 郑齐文 崔江维 魏莹 余学峰(指导) 郭旗 
国家自然科学基金(11475255);国家自然科学基金青年科学基金(11505282);中国科学院西部之光项目(2015-XBQN-B-15,XBBS201321)。
研究了γ射线辐照对130 nm部分耗尽(Partially Depleted,PD)绝缘体上硅(Silicon on Insulator,SOI)工艺MOS器件栅氧经时击穿(Time-Dependent Dielectric Breakdown,TDDB)寿命的影响。通过测试和对比辐照前后NMOS和PMOS器件的转移特性曲...
关键词：场效应晶体管 可靠性 栅氧经时击穿 γ射线 
沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究被引量：2
《电子学报》2018年第5期1128-1132,共5页崔江维 郑齐文 余德昭 周航 苏丹丹 马腾 魏莹 余学峰 郭旗 
国家自然科学基金(No.11475255;No.11505282);中国科学院西部之光项目(No.2015-XBQN-B-15)
随着MOS器件尺寸缩小,可靠性效应成为限制器件寿命的突出问题.PMOS晶体管的负偏压温度不稳定性(NBTI)是其中关键问题之一.NBTI效应与器件几何机构密切相关.本文对不同宽长比的65nm工艺PMOSFET晶体管开展了NBTI试验研究.获得了NBTI效应...
关键词：65nm 负偏压温度不稳定性 沟道宽度 
总剂量辐射对65 nm NMOSFET热载流子敏感参数的影响被引量：3
《微电子学》2018年第1期126-130,共5页苏丹丹 周航 郑齐文 崔江维 孙静 马腾 魏莹 余学峰 郭旗 
国家自然科学基金资助项目(11475255);中国科学院西部之光资助项目(2015XBQNB15;XBBS201321);青年科学基金资助项目(11505282)
为了研究总剂量辐射对纳米MOS晶体管热载流子效应的影响,对65nm体硅工艺的NMOS器件进行了总剂量辐射和热载流子试验,对比了辐射前后不同宽长比器件的跨导、栅极泄漏电流、线性饱和电流等电参数。结果表明,MOS器件的沟道宽度越窄,热载流...
关键词：65 NM NMOSFET 总剂量效应 热载流子效应 
纳米PMOSFET负偏压温度不稳定性测试方法
《固体电子学研究与进展》2017年第6期433-437,共5页崔江维 郑齐文 余徳昭 周航 苏丹丹 马腾 郭旗 余学峰 
国家自然科学基金资助项目(11475255,11505282);中国科学院西部之光资助项目(2015-XBQN-B-15)
P型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)的负偏压温度不稳定性(NBTI)是制约纳米MOS器件在长寿命电子系统中应用的关键问题之一。为了准确地表征NBTI效应对器件参数的影响,分析了现有测试方法的特点,在此基础上改进了测试试验方法。...
关键词：纳米器件 P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 负偏压温度不稳定性 
总剂量效应致0.13μm部分耗尽绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子增强效应
《物理学报》2016年第9期234-241,共8页周航 郑齐文 崔江维 余学峰 郭旗 任迪远 余德昭 苏丹丹 
国家自然科学基金(批准号:11475255)资助的课题~~
空间科学的进步对航天用电子器件提出了更高的性能需求,绝缘体上硅(SOI)技术由此进入空间科学领域,这使得器件的应用面临深空辐射环境与地面常规可靠性的双重挑战.进行SOI N型金属氧化物半导体场效应晶体管电离辐射损伤对热载流子可靠...
关键词：绝缘体上硅 电离辐射 热载流子 
超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应被引量：4
《物理学报》2016年第7期250-255,共6页郑齐文 崔江维 王汉宁 周航 余徳昭 魏莹 苏丹丹 
中国科学院西部之光项目(批准号:XBBS201219)资助的课题~~
对0.18μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的N型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)及静态随机存储器(SRAM)开展了不同剂量率下的电离总剂量辐照试验研究.结果表明:在相同累积剂量,SRAM的低剂量率辐照损伤要略大于高剂量率辐照的损...
关键词：总剂量辐射效应 超深亚微米 金属氧化物半导体场效应晶体管 静态随机存储器 
质子与中子辐照对电荷耦合器件暗信号参数的影响及其效应分析被引量：1
《物理学报》2015年第19期165-172,共8页曾骏哲 李豫东 文林 何承发 郭旗 汪波 玛丽娅 魏莹 王海娇 武大猷 王帆 周航 
国家自然科学基金(批准号:11005152)资助的课题~~
对科学级电荷耦合器件(charge-coupled device,CCD)进行了质子和中子辐照试验及退火试验,应用蒙特卡洛方法计算了质子和中子在CCD中的能量沉积,分析了器件的辐射损伤机理.仿真计算了N+埋层内沉积的位移损伤剂量,辐照与退火试验过程中主...
关键词：电荷耦合器件 质子辐照 中子辐照 输运仿真 
电离辐射环境下的部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性研究被引量：5
《物理学报》2015年第8期246-252,共7页周航 崔江维 郑齐文 郭旗 任迪远 余学峰 
国家自然科学基金(批准号:11475255)资助的课题~~
随着半导体技术的进步,集成小尺寸绝缘体上硅器件的芯片开始应用到航空航天领域,使得器件在使用中面临了深空辐射环境与自身常规可靠性的双重挑战.进行小尺寸器件电离辐射环境下的可靠性试验有助于对器件综合可靠性进行评估.参照国标GB2...
关键词：可靠性 绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管 总剂量效应 电应力 
半导体器件总剂量辐射效应的热力学影响被引量：5
《发光学报》2014年第4期465-469,共5页丛忠超 余学峰 崔江维 郑齐文 郭旗 孙静 周航 
西部博士资助项目(XBBS201219)资助
对商用三极管和MOS场效应晶体管进行了不同环境温度下的总剂量辐照实验,对比了不同辐照温度对这两种器件辐射效应特性的影响。实验结果表明,对于同一辐照总剂量,三极管的基极电流、电流增益和MOS场效应晶体管的阈值电压漂移值都随着辐...
关键词：总剂量辐射效应 MOS晶体管 三极管 不同温度辐照 
静态随机存储器总剂量辐射损伤的在线与离线测试方法被引量：2
《物理学报》2014年第8期327-333,共7页丛忠超 余学峰 崔江维 郑齐文 郭旗 孙静 汪波 马武英 玛丽娅 周航 
以静态随机存储器为研究对象,对其在线和离线测试下的总剂量辐射损伤规律进行了研究,探寻了两种测试条件下总剂量损伤的差异并对造成差异的物理机制进行了分析和讨论,研究结果表明:由于静态随机存储器存在多种总剂量失效模式,相对于在...
关键词：在线测试 离线测试 静态随机存储器 功能测试 
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