超深亚微米

作品数：87被引量：168H指数：5
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超深亚微米SOI总剂量效应泄漏电流模型被引量：3
《太赫兹科学与电子信息学报》2019年第6期1107-1111,共5页席善学 郑齐文 崔江维 魏莹 姚帅 何承发 郭旗 陆妩 
中科院西部之光资助项目(2015-XBQN-B-15;2017-XBQNXZ-B-008);国家自然科学基金项目(U1532261;11605282;11505282;11605283)
总剂量辐射效应会导致绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SOIMOSFET)器件的阈值电压漂移、泄漏电流增大等退化特性。浅沟槽隔离(STI)漏电是器件退化的主要因素,会形成漏极到源极的寄生晶体管。针对130nm部分耗尽(PD)SOINMOSFET器...
关键词：总辐照剂量 绝缘体上硅 模型 浅沟槽隔离 
体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响被引量：2
《电子学报》2019年第5期1065-1069,共5页席善学 陆妩 郑齐文 崔江维 魏莹 姚帅 赵京昊 郭旗 
国家自然科学基金(No.U1532261;No.11605282;No.11505282;No.11605283);西部之光(No.2015-XBQN-B-15)
研究体偏置效应对超深亚微米绝缘体上硅(SOI,Silicon-on-insulator)器件总剂量效应的影响.在TG偏置下,辐照130nm PD(部分耗尽,partially depleted) SOI NMOSFET(N型金属-氧化物半导体场效应晶体管,n-type Metal-Oxide-Semiconductor Fie...
关键词：总剂量效应 绝缘体上硅 体效应 浅沟槽隔离 
随机掺杂对超深亚微米SOI MOSFETs阈值电压影响研究
《应用物理》2018年第11期472-479,共8页苏亚丽 杨江江 
陕西省教育厅科研计划(16JK1609)。
本文研究随机掺杂引起的超深亚微米SOI MOSFETs器件阈值电压波动,提出一种由沟道粒子数目波动引起的阈值电压波动标准差的解析模型,计入了沟道粒子数目和位置变化所带来的阈值电压波动影响。通过研究不同参数下器件阈值电压变化情况,所...
关键词：SOI MOSFETS 阈值电压 随机掺杂 
超深亚微米导航SoC芯片的低功耗策略
《现代导航》2018年第3期183-187,共5页张文华 
作为导航技术发展的主要方向之一,导航SoC芯片的功耗对系统各方面有巨大的影响。本文对SoC芯片的动态功耗、静态功耗和存储器功耗从原理上进行了分析,并从系统级、行为级、RTL级、门级和物理级分别研究了低功耗设计实现技术。
关键词：导航SoC芯片 低功耗设计 
超深亚微米数字集成电路版图验证技术
《电子与封装》2017年第8期16-20,共5页吕江萍 陈超 胡巧云 
在超深亚微米工艺中,数字集成电路版图设计由以前简单的物理验证进入到复杂的版图验证阶段。版图验证包含时序验证、形式验证和物理验证。时序验证进行电压降分析和时序分析,确保时序收敛;形式验证进行两个网表的逻辑等效检查;物理验证...
关键词：超深亚微米 版图验证 时序验证 形式验证 
面向LTE基站的SoC平台软件
《上海信息化》2016年第5期71-74,共4页张永军 
集成电路发展了40多年,已进入超深亚微米阶段,SoC产生于集成电路(IC)向集成系统(IS)转变的大背景下。从广义角度讲,SoC是一个微小型系统,如果说CPU是大脑,那么SoC就是包括大脑、心脏、眼睛和手的系统。
关键词：平台软件 LTE SOC 微小型 广义角度 超深亚微米 通信网络 软件架构 软件解决方案 管理模块 
超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应被引量：4
《物理学报》2016年第7期250-255,共6页郑齐文 崔江维 王汉宁 周航 余徳昭 魏莹 苏丹丹 
中国科学院西部之光项目(批准号:XBBS201219)资助的课题~~
对0.18μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的N型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)及静态随机存储器(SRAM)开展了不同剂量率下的电离总剂量辐照试验研究.结果表明:在相同累积剂量,SRAM的低剂量率辐照损伤要略大于高剂量率辐照的损...
关键词：总剂量辐射效应 超深亚微米 金属氧化物半导体场效应晶体管 静态随机存储器 
超深亚微米工艺下基于热量分区的SoC热感知测试调度方法
《计算机应用研究》2015年第12期3682-3684,3696,共4页焦铬 李浪 刘辉 邹祎 
湖南省科技厅科技计划资助项目(2013FJ3077);湖南省教育厅资助科研项目(12C1084);衡阳市科技计划资助项目(2012KJ31);湖南省"十二五"重点建设学科资助项目(湘教发[2011]76号)
在超深亚微米时代,功耗不但直接影响芯片的封装测试成本,而且过高的功耗将导致芯片热量的增加,影响着芯片的可靠性,为了保证芯片测试的热安全,基于热感知的测试调度方法越来越受到重视。综合考虑超深亚微米工艺下,漏电功耗、空闲芯核唤...
关键词：超深亚微米 片上系统 热量分区 热感知测试调度 
SRAM存储器单粒子效应测试系统扩容的实现方法
《中国原子能科学研究院年报》2012年第1期57-58,共2页刘建成 范辉 高丽娟 史淑廷 
正存储器的单粒子效应研究一直是国内外单粒子效应的热点。随着存储器件向深亚微米、超深亚微米方向迅速发展,其特征尺寸不断减小和集成度不断增加,单粒子效应更为显著,以往大尺寸中不明显的效应也突出显现出来。对大容量存储器单粒子...
关键词：单粒子效应 存储器件 测试系统 试验研究 小容量 超深亚微米 大容量存储器 特征尺寸 效应研究 最大容量 
65nm COMS工艺SRAM重离子单粒子翻转机理研究
《中国原子能科学研究院年报》2012年第1期59-59,共1页蔡莉 高丽娟 史淑廷 范辉 刘建成 
正随着半导体工业的飞速发展,器件的特征尺寸及供电电压不断减小,导致器件发生单粒子效应所需的临界电荷越来越少,单粒子效应的危害越来越严重,新工艺对单粒子效应实验提出了新的挑战。为研究新型器件的单粒子效应,本实验开展了重离子...
关键词：单粒子效应 单粒子翻转截面 重离子 特征尺寸 超深亚微米器件 新工艺 临界电荷 实验研究 半导体工业 实验数据 
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