SRAM存储器单粒子效应测试系统扩容的实现方法  

作　　者：刘建成 范辉 高丽娟 史淑廷 

机构地区：[1]核物理研究所

出　　处：《中国原子能科学研究院年报》2012年第1期57-58,共2页

摘　　要：正存储器的单粒子效应研究一直是国内外单粒子效应的热点。随着存储器件向深亚微米、超深亚微米方向迅速发展,其特征尺寸不断减小和集成度不断增加,单粒子效应更为显著,以往大尺寸中不明显的效应也突出显现出来。对大容量存储器单粒子效应试验研究是非常必要的。针对上述情况。

关 键 词：单粒子效应 存储器件 测试系统 试验研究 小容量 超深亚微米 大容量存储器 特征尺寸 效应研究 最大容量 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]