超深亚微米器件

作品数：4被引量：11H指数：2
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相关机构：北京大学西安电子科技大学西北核技术研究所中国科学院大学更多>>
相关期刊：《固体电子学研究与进展》《中国原子能科学研究院年报》《电子质量》《物理学报》更多>>
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65nm COMS工艺SRAM重离子单粒子翻转机理研究
《中国原子能科学研究院年报》2012年第1期59-59,共1页蔡莉 高丽娟 史淑廷 范辉 刘建成 
正随着半导体工业的飞速发展,器件的特征尺寸及供电电压不断减小,导致器件发生单粒子效应所需的临界电荷越来越少,单粒子效应的危害越来越严重,新工艺对单粒子效应实验提出了新的挑战。为研究新型器件的单粒子效应,本实验开展了重离子...
关键词：单粒子效应 单粒子翻转截面 重离子 特征尺寸 超深亚微米器件 新工艺 临界电荷 实验研究 半导体工业 实验数据 
超深亚微米器件总剂量辐射效应三维数值模拟被引量：7
《物理学报》2011年第5期538-544,共7页何宝平 丁李利 姚志斌 肖志刚 黄绍燕 王祖军 
国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:61354030101)资助的课题~~
本文分析了浅槽隔离(STI)结构辐射诱导电荷的分布情况,给出一种模拟超深亚微米器件总剂量辐射效应的新方法.研究结果表明,如果在栅附近沿着STI侧墙不加辐照缺陷,仿真出的0.18μm超深亚微米晶体管亚阈区I-V特性没有反常的隆起,并且能够...
关键词：总剂量 超陡倒掺杂 Halo掺杂 辐射效应 
超深亚微米器件的失效机理及其可靠性研究
《电子质量》2005年第12期39-42,共4页侯志刚 许新新 张宪敏 于英霞 李惠军 
集成电路的集成度不断攀升,集成化器件的特征尺寸已进入超深亚微米层次。小尺寸制造进程、超微细结构及超低功耗的工作环境,使诸多寄生效应、小尺寸效应严重地影响着器件的性能、电路的寿命。本文论述了基于超深亚微米层次小尺寸效应的...
关键词：超大规模集成电路 特征尺寸 超深亚微米 小尺寸效应 失效 可靠性 
基于BSIM3的超深亚微米器件建模及模型参数提取被引量：4
《固体电子学研究与进展》2003年第4期406-411,共6页陈松涛 刘晓彦 杜刚 韩汝琦 
对适用于超深亚微米电路模拟的 MOSFET器件模型进行了研究 ,完成计入量子效应、多晶硅耗尽效应等基于 BSIM3的 MOSFET模型。针对阈值电压模型以及 I- V模型中的参数编写了模型参数提取程序 ,采用最小二乘法原理 ,并采用麦夸脱算法以降...
关键词：BSIM3 超深亚微米器件 器件模型 参数提取 微电子技术 
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