65nm COMS工艺SRAM重离子单粒子翻转机理研究  

作　　者：蔡莉 高丽娟 史淑廷 范辉 刘建成 

机构地区：[1]核物理研究所

出　　处：《中国原子能科学研究院年报》2012年第1期59-59,共1页

摘　　要：正随着半导体工业的飞速发展,器件的特征尺寸及供电电压不断减小,导致器件发生单粒子效应所需的临界电荷越来越少,单粒子效应的危害越来越严重,新工艺对单粒子效应实验提出了新的挑战。为研究新型器件的单粒子效应,本实验开展了重离子单粒子翻转实验研究。实验采用特征尺寸为65nm,存储器容量为72Mbit(4M×18bit)4倍数据速率SRAM存储器,采用先进CMOS工艺制造,

关 键 词：单粒子效应 单粒子翻转截面 重离子 特征尺寸 超深亚微米器件 新工艺 临界电荷 实验研究 半导体工业 实验数据 

分 类 号：O571.6[理学—粒子物理与原子核物理] TP333[理学—物理]