基于BSIM3的超深亚微米器件建模及模型参数提取  

Ultra Deep Submicron Device Modeling and the Model Parameter Extraction Based upon the BSIM 3

作　　者：陈松涛[1] 刘晓彦 杜刚[1] 韩汝琦[1] 

机构地区：[1]北京大学微电子学研究所,北京100871

出　　处：《固体电子学研究与进展》2003年第4期406-411,共6页Research & Progress of SSE

摘　　要：对适用于超深亚微米电路模拟的 MOSFET器件模型进行了研究 ,完成计入量子效应、多晶硅耗尽效应等基于 BSIM3的 MOSFET模型。针对阈值电压模型以及 I- V模型中的参数编写了模型参数提取程序 ,采用最小二乘法原理 ,并采用麦夸脱算法以降低参数提取结果对初值的依赖 ,对已有参数进行了修正。模型以及参数提取结果都分别进行了验证。We present the st udy of ultra deep submicron MOSFET compa ct modeling for circuit simulation.Then a MOSFET compact model based on the BSIM 3 is developed.In this model,quantum eff ects and polysilicon depletion effects h ave been taken into account.Furthermore, a model parameter extraction program for threshold voltage and I-V model param et er is developed.It uses the least square method and adopts the Marquardt algorit hm to reduce the extracted result depend ence on the initial value.Moreover,the e xtracted parameter can be revised and op timized.In the end,the model and the par ameter extraction result are validated r epectively.

关 键 词：BSIM3 超深亚微米器件 器件模型 参数提取 微电子技术 

分 类 号：TN4[电子电信—微电子学与固体电子学]