MOS晶体管

作品数：91被引量：60H指数：4
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相关机构：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司中国科学院微电子研究所北京大学中芯国际集成电路制造(北京)有限公司更多>>
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一种全尺寸MOS晶体管的俘获隧穿电流优化模型
《中国集成电路》2024年第1期46-50,共5页张瑜 
针对当前的俘获隧穿电流模型中,对于不同器件尺寸只有统一的参数进行模型拟合,存在无法针对器件尺寸变化进行准确地模型拟合的问题。本文提出了在俘获隧穿电流模型的参数中,添加与器件全尺寸信息相关的方法,包括器件宽度方向,长度方向...
关键词：MOS晶体管 俘获隧穿电流 全尺寸 SPICE模型 
全尺寸效应的MOS晶体管优化SPICE局域失配模型
《中国科技信息》2022年第22期50-52,共3页张瑜 商干兵 舒颖 
随着半导体制造技术的不断进步,CMOS工艺器件制造工艺已经发展到了纳米级别,元件尺寸不断减小,集成电路结构及版图复杂化程度不断提高,器件彼此之间不匹配现象也随之越来越严重,从而在一定程度上影响到射频/模拟集成电路的性能,甚至会...
关键词：D/A转换器 A/D转换器 存储单元 模拟集成电路 元件尺寸 单元结构 时钟信号 模拟电路 
ST L99H02汽车马达驱动解决方案
《世界电子元器件》2022年第2期52-58,共7页
ST公司的L99H02是驱动4个外接N沟H桥配置的MOS晶体管,用于汽车应用中的DC马达驱动.L99H02集成了自由配置的电流检测放大器.集成的标准串行外设接口(SPI)控制设备和提供诊断信息.还实现了用于外接MOSFET热传感器的接口脚.器件满足AEC-Q10...
关键词：电流限制 马达驱动 安全带 张紧装置 电荷泵 电动门 MOS晶体管 雨刷 
结合晶体管版图效应分析的模拟集成电路设计被引量：3
《河南科技大学学报（自然科学版）》2019年第2期50-56,108,共8页刘博 张金灿 张雷鸣 刘敏 
国家自然科学基金项目(61704049;61804046);2014年教育部留学回国人员科研基金项目(第49批);河南省科技厅重点攻关基金项目(72102210258)
为了实现模拟集成电路版图设计的自动化,提出一种称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管阵列的版图布局方法。90 nm/1. 2 V互补式MOS的测试元件组(TEG)芯片被开发用以实验采样,芯片搭载多种导电沟道分割形式的多指栅晶体管,晶体管在电路...
关键词：模拟集成电路 版图效应 工艺波动 多指栅MOS晶体管 
石墨烯晶体管的栅长对跨导的影响
《微电子学与计算机》2017年第12期25-27,33,共4页张庆伟 李平 廖永波 王刚 曾荣周 王恒 翟亚红 
国家自然科学基金项目(61404021);电子薄膜与集成器件重点实验室开放基金(KFJJ201608)
对于传统的硅MOS场效应晶体管,器件跨导的大小正比于沟道的宽长比.本文在石墨烯晶体管中发现了相反的现象.制备了源漏之间距离相同,且沟道宽度相同的石墨烯晶体管,实验结果为沟道较长的晶体管跨导较大.究其原因,石墨烯晶体管中栅电极覆...
关键词：石墨烯晶体管 跨导 宽长比 硅MOS晶体管 
2017年射频GaN市场打响未来器件之战哪项技术会出局
《半导体信息》2016年第6期27-29,共3页
未来器件的战争将会在GaN/SiC或者是GaN/Si之间打响。今年的GaN（氮化镓）器件市场异常活跃,GaN逐渐成为主流,开始渗透一些批量需求的商业市场。GaN已经在大部分高功率军事应用中站稳了脚跟,并且还抓住了有线电视、移动基础设施的部分...
关键词：商业市场 GAN 器件 LDMOS 技术 射频 MOS晶体管 基础设施 
一种准确的MOS晶体管统计模型方法
《集成电路应用》2016年第10期27-31,共5页李平梁 王正楠 
这是一种用于MOS晶体管的统计模型建模方法,基于物理模型,考虑相关性的全局偏差和非相关性的局部偏差,分别进行模型化。首先建立Die内非相关性局部偏差的模型,然后采用FPV和BPV相结合的方法,针对全局偏差的分布,建立MOSFET器件准确的统...
关键词：MOS器件模型 蒙特卡洛仿真 统计模型 BPV 
深亚微米N沟道MOS晶体管的总剂量效应被引量：1
《微电子学》2015年第5期666-669,共4页文林 李豫东 郭旗 孙静 任迪远 崔江维 汪波 玛丽娅 
国家自然科学基金资助项目(11005152)
为了研究深亚微米工艺CCD的辐射效应特性,了解因器件特征尺寸变小引入的新效应,对0.18μm商用工艺线上流片的不同沟道宽长比的N型沟道MOSFET器件进行了60Co-γ射线辐照实验,这些NMOSFET与CCD内的MOSFET结构相同。分析了辐照后由于总剂...
关键词：深亚微米 NMOSFET 总剂量效应 窄沟效应 
电子辐照深亚微米MOS晶体管的总剂量效应
《微电子学》2015年第4期537-540,544,共5页文林 李豫东 郭旗 孙静 任迪远 崔江维 汪波 玛丽娅 
国家自然科学基金资助项目(11005152)
为了研究电子辐照导致CCD参数退化的损伤机理,以及CCD内不同沟道宽长比的NMOSFET的辐射效应,将与CCD同时流片的两种不同沟道宽长比的深亚微米NMOSFET进行电子辐照实验。分析了电子辐照导致NMOSFET阈值电压和饱和电流退化的情况,以及器...
关键词：深亚微米 NMOSFET 电子辐照 总剂量效应 
液晶电视易损集成电路——VIPer22A、S14942、Y-VRD960S、Y-QFT4503M、TSM103／A、SP8J3
《家电维修》2015年第2期56-59,共4页景曙光 
VIPer22A属于VIPer系列，常用型号还有VIPer12A（输出功率小于VIPer22A）。该系列芯片采用ST的VIPowerM0—3高压专利技术，在同一颗芯片上整合了一个专用电流式PWM控制器和一个高压功率场效应MOS晶体管，这样既减少了组件数量，减少了...
关键词：集成电路 液晶电视 VIPer12A 易损 MOS晶体管 PWM控制器 待机功耗 功率场效应 
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