云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 功率场效应

功率场效应: 作品数：207被引量：180H指数：7; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：陈晓培杨发顺陆江冯全源刘扬更多>>; 相关机构：电子工业部南京航空航天大学上海交通大学中国科学院更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划四川省科技支撑计划贵州省高层次人才科研条件特助经费项目更多>>

超薄锡掺杂氧化镓结合高k栅介质:硅基兼容的4英寸功率场效应晶体管阵列: 《Science Bulletin》2024年第12期1848-1851,共4页刘子淳李佳诚杨惠霞杨涵黄元张逸韵黎沛涛马远骁王业亮; supported by the National Key R&D Program of China(2023YFB3611700);the National Natural Science Foundation of China(92163206,62101044,12321004)。; Gallium oxide(Ga_(2)O_(3)),a novel ultrawide-bandgap(UWBG)semiconductor,has attracted considerable attention owing to its large bandgap of up to 4.9 eV,a high breakdown electric field of 8 MV/cm,and a high Baliga's fi...; 关键词：功率场效应晶体管高K栅介质氧化镓

功率场效应管在变换电路中的热耗研究被引量：1: 《机械工程与自动化》2022年第3期186-188,共3页王秀张晋辉; 山西省基础研究计划资助项目(20210302124308);晋中学院技术创新团队建设计划资助项目(jzxyjscxtd202107)。; 功率场效应管(MOSFET)作为变换电路中的核心器件,起到电压通断的作用,从而完成电路的开通和关闭。详细论述了MOSFET的热阻特性和热耗,并结合实例,完成了在MOSFET上增加散热片前、后的温升变化对比实验,证实非绝缘封装MOSFET在增加散热...; 关键词：变换电路热耗分析功率场效应管

垂直氮化镓鳍式功率场效应晶体管优化设计被引量：1: 《固体电子学研究与进展》2021年第5期359-364,共6页杨嘉颖利健黄昊郑子阳吴健华贺威; 广东省重点领域研发计划项目(2019B010138002)。; 主要研究了垂直氮化镓鳍式功率场效应晶体管的器件特性。利用理论计算和器件模拟,系统地设计和优化了n型氮化镓漂移层的掺杂浓度和厚度以及鳍宽度的参数,使得击穿电压和导通电阻达到最佳的折衷。经过最终优化后,当n型氮化镓漂移层的掺...; 关键词：氮化镓鳍式功率场效应晶体管击穿电压导通电阻 Baliga优值

电力电子设备市场展望及水冷系统冷却液性能要求被引量：1: 《石油商技》2021年第2期10-13,共4页冯会良; 本文概述了电力电子设备的应用领域及市场需求趋势,阐述了电力电子设备水冷散热用冷却液的性能要求。电力电子设备通过晶闸管、功率场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)等核心功率器件及辅助电路实现对电能的转换和控制。随...; 关键词：电力电子设备功率场效应晶体管水冷系统晶闸管辅助电路水冷散热市场展望电能替代

ICP刻蚀工艺在SiC器件上的应用被引量：3: 《传感器与微系统》2020年第11期152-154,157,共4页周燕萍朱帅帅李茂林左超杨秉君; Si C作为第三代半导体材料的代表性材料,具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等优良特性,使其在电力电子器件领域得到广泛关注。通过采用电感耦合等离子体(ICP)设备对4H-SiC材料进行刻蚀工艺研究。该刻蚀实验采用...; 关键词：碳化硅功率器件电感耦合等离子体(ICP)刻蚀沟槽结构沟槽型功率场效应管

S波段高功率放大器的仿真设计被引量：1: 《电子世界》2020年第2期135-136,共2页王光旭梁健; 射频功率放大器是微波固态发射机的核心设备。本文给出了一款S波段大功率发射机的主电路链路方案。使用NXP公司的MRF8P29300H功率场效应晶体管设计了末级功放单元,采用功率合成技术实现发射机额定功率输出。使用负载牵引法确定了功放最...; 关键词：射频功率放大器高功率放大器功率场效应晶体管固态发射机大功率发射机负载牵引法功率合成技术匹配电路

宜普电源转换公司推出100V,25mΩ的eGaN功率晶体管: 《半导体信息》2018年第5期2-3,共2页; 位于美国加利福尼亚州埃尔塞贡多的宜普电源转换公司（EPC）公司推出了一款100VGaN晶体管,最大RDS（on）为25mΩ,小尺寸的高效电源转换的脉冲输出电流为37A——EPC2051。这款晶体管主要将硅上eGaN功率场效应晶体管（FET）在电力管理上...; 关键词：功率晶体管电源转换功率场效应晶体管 RDS(ON) 加利福尼亚州输出电流电力管理小尺寸

一种VDMOS阈值电压和导通电阻的优化方法: 《集成电路应用》2018年第6期33-35,共3页陈惠明; 上海市科学技术委员会科技创新行动计划高新技术基金(17DZ1100300); 功率场效应晶体管应用广泛,其阈值电压和导通电阻是其重要的参数。针对不同栅氧厚度的产品设计不同的多晶硅厚度实验来寻找最佳工艺条件,最终找到了阈值电压产品和导通电阻的最佳多晶硅厚度条件。; 关键词：集成电路制造功率场效应晶体管阈值电压导通电阻

具有梯度掺杂漂移区的分裂栅功率场效应晶体管设计被引量：1: 《集成电路应用》2018年第5期35-37,共3页陈铭; 2010年国家发改委科技专项(1 200 V/1 700 V沟槽结构NPT型IGBT开发及产业化); 探讨利用采用渐变掺杂漂移区的分裂栅MOSFET的基本结构和工艺流程。对不同的器件结构参数对器件电性能的关系进行了仿真分析。结果表明通过优选器件结构参数,可以获得比均匀掺杂漂移区更理想的电性能和更好的漂移区电场分布。; 关键词：集成电路设计梯度掺杂分裂栅MOSFET

金刚石微波功率场效应晶体管被引量：1: 《固体电子学研究与进展》2017年第6期F0003-F0003,共1页郁鑫鑫周建军齐成军曹正义孔月婵陈堂胜; 金刚石材料具有高热导率、高击穿场强、高硬度等众多的优异特性，在机械加工、光学系统、核探测器、声表器件、电力电子器件及大功率微波器件等众多领域具有重要的应用价值。由于现实及潜在的巨大军事、经济和技术价值，金刚石材料已经...; 关键词：大功率微波器件金刚石材料功率场效应晶体管电力电子器件高热导率击穿场强机械加工光学系统

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