一种VDMOS阈值电压和导通电阻的优化方法  

Optimization for Threshold Voltage and Conduction Resistance of VDMOS

作　　者：陈惠明 CHEN Huiming(Advanced Semiconductor Manufacturing Corporation, Shanghai 200233, China)

机构地区：[1]上海先进半导体制造股份有限公司,上海200233

出　　处：《集成电路应用》2018年第6期33-35,共3页Application of IC

基　　金：上海市科学技术委员会科技创新行动计划高新技术基金(17DZ1100300)

摘　　要：功率场效应晶体管应用广泛,其阈值电压和导通电阻是其重要的参数。针对不同栅氧厚度的产品设计不同的多晶硅厚度实验来寻找最佳工艺条件,最终找到了阈值电压产品和导通电阻的最佳多晶硅厚度条件。Power MOSFET is widely used in many fields and Vth and Rdson are major parameters. An optimal condition of poly thickness is designed based on different gate oxide products to find the best conditions of Vth and Rdson.

关 键 词：集成电路制造 功率场效应晶体管 阈值电压 导通电阻 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学] TN386.1