具有梯度掺杂漂移区的分裂栅功率场效应晶体管设计  

Design of Split Gate MOSFET with Graded-doped Drifting Region

作　　者：陈铭 CHEN Ming(Shanghai Belling Co.,Ltd,Shanghai 200233,China)

机构地区：[1]上海贝岭股份有限公司,上海200233

出　　处：《集成电路应用》2018年第5期35-37,共3页Application of IC

基　　金：2010年国家发改委科技专项(1 200 V/1 700 V沟槽结构NPT型IGBT开发及产业化)

摘　　要：探讨利用采用渐变掺杂漂移区的分裂栅MOSFET的基本结构和工艺流程。对不同的器件结构参数对器件电性能的关系进行了仿真分析。结果表明通过优选器件结构参数,可以获得比均匀掺杂漂移区更理想的电性能和更好的漂移区电场分布。This paper introduces a split gate MSOFETwith graded-doped drifting region. Device structure and electric parameter relationship are investigated using TCAD tools. Simulation results indicate a much better electric field distribution and better Ronsp and BVdsscan be achieved through structure optimization.

关 键 词：集成电路设计 梯度掺杂 分裂栅MOSFET 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]