功率场效应管

作品数：90被引量：68H指数：5
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功率场效应管在变换电路中的热耗研究被引量：1
《机械工程与自动化》2022年第3期186-188,共3页王秀 张晋辉 
山西省基础研究计划资助项目(20210302124308);晋中学院技术创新团队建设计划资助项目(jzxyjscxtd202107)。
功率场效应管(MOSFET)作为变换电路中的核心器件,起到电压通断的作用,从而完成电路的开通和关闭。详细论述了MOSFET的热阻特性和热耗,并结合实例,完成了在MOSFET上增加散热片前、后的温升变化对比实验,证实非绝缘封装MOSFET在增加散热...
关键词：变换电路 热耗分析 功率场效应管 
ICP刻蚀工艺在SiC器件上的应用被引量：3
《传感器与微系统》2020年第11期152-154,157,共4页周燕萍 朱帅帅 李茂林 左超 杨秉君 
Si C作为第三代半导体材料的代表性材料,具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等优良特性,使其在电力电子器件领域得到广泛关注。通过采用电感耦合等离子体(ICP)设备对4H-SiC材料进行刻蚀工艺研究。该刻蚀实验采用...
关键词：碳化硅功率器件 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 沟槽结构 沟槽型功率场效应管 
OptiMOS推出线性场效应晶体管兼具低RDS(on)值与大安全工作区
《半导体信息》2017年第4期12-13,共2页
英飞凌科技股份公司推出OptiMOS线性场效应晶体管系列。这个全新产品系列兼具沟槽型功率场效应管的低导通电阻（RDS（on））与平面MOSFET的大安全工作区。这就解决了RDS（on）与线性模式功能之间的平衡问题。
关键词：RDS(ON) 场效应晶体管 安全工作区 线性模式 MOSFET 功率场效应管 低导通电阻 股份公司 
高频电弧打火机
《今日科技》2017年第5期41-42,共2页
该发明涉及一种高频电弧打火机。包括外壳和设置其中的电子点火电路,所述电子点火电路包括直流电源、高频引弧电路、一对放电针和无触点电子开关。该高频电弧打火机由于采用了内阻小、驱动电压低的低压驱动双MOS管的功率场效应管,构成...
关键词：打火机 高频 电弧 无触点电子开关 功率场效应管 点火电路 直流电源 引弧电路 
功率场效应管高频建模方法被引量：1
《电子技术应用》2015年第10期119-122,共4页张智娟 左玉梅 
河北省自然科学基金资助项目(F2014502041)
开关器件在开通和关断暂态过程中产生的高电压和电流变化是电磁干扰(EMI)的主要来源。准确的EMI预测需要对功率器件开关瞬间的动态行为进行精确地描述。首先介绍了两种常见的功率场效应管的建模方法、子电路模型和集总电荷模型。然后提...
关键词：功率场效应管 建模 极间电容 MODEL ARCHITECT 
同方LE-4DTL1600型液晶彩电雷击三无故障维修
《家电维修》2015年第7期18-18,共1页黄宏章 
一台40英寸同方液晶彩电雷击三无。打开机盖，查得保险管F1（3．15A）已开路，其中桥式整流的半臂两只二极管DB2、DB1（RL206G）已短路。用万用表R×1k挡测光耦P1（817B）的③、④脚正、反向阻值均为18k^1，看来是坏了。将以上损坏的元...
关键词：液晶彩电 故障维修 三无 雷击 功率场效应管 40英寸 桥式整流 开关电源 
英飞凌采用300mm薄晶圆批量生产汽车功率场效应管
《半导体技术》2015年第6期430-430,共1页
2015年5月20日,英飞凌科技股份公司采用300 mm薄晶圆生产汽车功率场效应管。OptiM OSTM5 40 V产品系列针对二氧化碳减排应用进行了优化,产品在英飞凌位于奥地利菲拉赫的晶圆厂生产。英飞凌的300 mm薄晶圆工艺,是新一代汽车功率场效应管...
关键词：功率场效应管 批量生产 晶圆 汽车 OPTIM 股份公司 碳减排 二氧化 
55V沟槽型功率场效应管设计
《电子器件》2015年第1期23-26,共4页汪德波 冯全源 陈晓培 
国家自然科学基金项目(61271090);国家863计划重大项目(2012AA012305)
设计了一款55V N沟道沟槽型功率器件。通过对元胞与边端进行理论分析,结合实际工艺,对元胞与边端进行合理优化。通过对流片测试数据的分析,最终实现击穿电压为69.562V、阈值电压2.85V、特征导通电阻537.8 mΩ·cm2的功率器件设计。仿真...
关键词：沟槽功率器件 元胞 终端 流片测试 
一款75V功率场效应管失效分析与改进
《微电子学》2014年第6期829-832,共4页汪德波 冯全源 陈晓培 
国家自然科学基金重大项目(60990320;60990323);国家自然科学基金面上项目(61271090);国家高技术研究发展计划(863计划)重大项目(2012AA012305);四川省科技支撑计划项目(2012GZ0101)
对一款75V功率场效应管失效芯片进行了分析。通过TCAD软件进行数值仿真,验证失效原因。在终端长度不变的前提下,获得具有两个场限环的终端结构,基本满足电场可靠性小于2.5×105 V/cm的要求。设计了三个场限环终端结构,击穿电压提高至94....
关键词：功率场效应管 失效分析 表面电场 碰撞电离率 可靠性 
一款700V功率场效应管失效分析与改进被引量：1
《电子元件与材料》2014年第12期82-85,共4页汪德波 冯全源 陈晓培 
国家自然科学基金资助项目(No.61271090);国家高技术研究发展计划"863计划"重大项目资助(No.2012AA012305)
对一款700 V功率场效应管失效芯片进行亮点分析,并通过TCAD软件进行数值仿真验证失效原因。最后对失效管的终端进行了改进设计,在215μm的终端长度上实现了779 V的耐压。结果表明,其硅表面最大场强为2.65×105 V/cm,有效解决了芯片失效...
关键词：功率场效应管 失效分析 可靠性 终端结构 击穿电压 芯片面积 
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