低导通电阻

作品数：239被引量：34H指数：2
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一种利用多P埋层的低导通电阻高压SOILDMOS结构
《桂林电子科技大学学报》2023年第6期439-445,共7页姜焱彬 李琦 王磊 杨保争 何智超 
国家自然科学基金(61464003)。
为了实现低比导通电阻(Ron,sp)和高击穿电压(VBV),提出并仿真一种利用多个P埋层与阶跃掺杂漂移区的低导通电阻高电压SOI LDMOS(PL-SOI LDMOS)结构。PL-SOI LDMOS结构由多个不同的P埋层组成,其长度与浓度均在垂直方向依次递减。利用多个...
关键词：击穿电压 比导通电阻 多埋层 阶跃掺杂 LDMOS 
全球氮化镓肖特基二极管专利分析
《中国科技信息》2023年第20期41-44,共4页罗晓雅 黄丽娜 
技术概述氮化镓(GaN)材料作为第三代半导体的代表,具有宽带隙(3.4eV)、高临界击穿电场(3.3MV/cm)、高电子饱和漂移速率的优异特性,特别是AlGaN/GaN异质结界面能够形成高浓度二维电子气(2DEG),具有高达2000cm^(2)(V.S)的电子迁移率,使得...
关键词：肖特基二极管 临界击穿电场 电子迁移率 正向导通 低导通电阻 高开关频率 电源设备 击穿电压 
超低导通电阻沟槽栅LDMOS器件研究被引量：2
《电子学报》2023年第8期1995-2002,共8页吝晓楠 吴团庄 许超奇 李仁伟 张仪 薛璐洁 陈淑娴 林峰 刘斯扬 孙伟锋 
国家重点研发计划(No.2020YFF0218501);东南大学至善学者基金(No.2242021R41080)。
本文提出了一种具有超低特征导通电阻的沟槽栅横向双扩散场效应晶体管(Trench Gate Lateral Double-diffused MOSFET,TG-LDMOS).本结构源极和漏极都在表面,与BCD(Bipolar CMOS DMOS)工艺相兼容.通过引入介质沟槽、垂直栅极、栅极下方的...
关键词：横向双扩散场效应晶体管 沟槽 横向元胞尺寸 击穿电压 特征导通电阻 
西安电子科技大学在超宽禁带半导体氧化镓功率器件研究方面取得重要进展被引量：1
《陕西教育（高教版）》2022年第10期9-9,共1页
近期,西安电子科技大学郝跃院士团队张进成教授、周弘教授等在超宽禁带半导体氧化镓功率器件研究方面取得重要进展,研制出一种新型的空穴超注入p-NiO/n-Ga_(2)O_(3)半导体异质结二极管。该结构通过异质结空穴超注入效应,实现了兼具超高...
关键词：宽禁带半导体 氧化镓 半导体器件 功率二极管 低导通电阻 异质结二极管 电能转换 国际期刊 
碳化硅助力电动汽车续航和成本的全方位优化
《电子产品世界》2022年第7期8-8,共1页水原德健 
与传统的硅器件相比,碳化硅(SiC)器件由于拥有低导通电阻特性以及出色的耐高温、高频和耐高压性能,已经成为下一代低损耗半导体可行的候选器件。此外,SiC让设计人员能够减少元器件的使用,从而进一步降低了设计的复杂程度。SiC元器件的...
关键词：低导通电阻 硅器件 环保型产品 电动汽车 耐高压 元器件 半导体 低损耗 
东芝级联共源共栅技术解决GaN应用痛点
《电子产品世界》2022年第7期9-9,共1页黄文源 
和传统的硅功率半导体相比,GaN(氮化镓)和SiC(碳化硅)有着更高的电压能力、更快的开关速度、更高的工作温度、更低导通电阻、功率耗散小、能效高等共同的优异的性能,是近几年来新兴的半导体材料。但他们也存在着各自不同的特性,简单来说...
关键词：开关速度 功率半导体 半导体材料 低导通电阻 共源共栅 功率耗散 寄生参数 氮化镓 
ADI ADG7421F低压双路单刀单掷(SPST)低导通开关解决方案
《世界电子元器件》2022年第2期38-42,共5页
ADI公司的ADG7421F是低电压,双单刀单掷(SPST)低导通电阻开关,在源极引脚上具有过压保护,掉电保护和过压检测功能.当没有电源时,开关保持关闭状态,开关输入为高阻抗.上电时,如果任何一个Sx引脚上的模拟输入信号电平超过VDD或VSS的阈值电...
关键词：高阻抗 信号电平 过压保护 关闭状态 掉电保护 检测功能 低导通电阻 模拟输入 
一种具有高击穿电压和低导通电阻的新型鳍状栅极LDMOS
《电子器件》2022年第1期7-12,共6页蒋志林 王旭锋 于平平 姜岩峰 
国家自然科学基金委员会项目(61774078,51802124);江苏省自然科学基金项目(BK 20180626)。
设计了一种具有新型鳍状栅极结构的LDMOS功率开关器件(FG-LDMOS),该器件在导电沟道处纵向刻蚀一组浅沟槽,再经热氧化后填充作为场板的多晶硅。鳍状栅极结构在不改变器件尺寸情况下,增大了沟道的有效宽度,增强了场板效应。通过Silvaco T...
关键词：鳍状栅极 击穿电压 比导通电阻 Silvaco TCAD 
“十四五”计划中的氮化镓GaN
《半导体信息》2021年第2期2-3,共2页
科技部发布“十四五”国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”重点专项2021年度项目申报指南(征求意见稿),其中涉及到氮化镓的有多个项目。面向大数据中心应用的GaN基高效功率电子材料与器件(共性关键技术)研究内容:研究大尺寸S...
关键词：低导通电阻 异质结构 外延生长 氮化镓 大数据中心 栅压 共性关键技术 桥式电路 
ROHM开发出实现超低导通电阻的第五代Pch MOSFET
《半导体信息》2021年第1期7-8,共2页
全球知名半导体制造商RO H M(总部位于日本京都市)推出非常适用于F A和机器人等工业设备以及空调等消费电子产品的共计24款Pch MOS-FET1/2产品,其中包括支持24V输人电压的-40V和-60V耐压单极型“RQxxxxxAT/RDxxxxxAT/RSxxxxxAT/RFxxxxxA...
关键词：半导体制造商 消费电子产品 输人电压 京都市 双极型 
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