栅压

作品数：127被引量：162H指数：6
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一种用于时间交织ADC的低时间失配采样方法
《电子技术应用》2025年第2期36-40,共5页燕翔 秦克凡 杨尚争 胡伟波 
深圳市科技创新委员会资助项目(JCYJ20180508161601937)。
为了应对时间交织型模数转换器中时间失配导致的性能下降问题,提出了一种高效的分层串联采样方法。该采样方法的思路是将与采样精度相关的时钟源集总在主采样开关位置,缓解由于多路子采样开关控制时钟存在时间失配导致采样精度下降的问...
关键词：时间交织模数转换器 失配误差 栅压自举开关 
基于简化球谐函数的反应堆物理计算软件用于棒栅压水堆的建模验证
《核动力工程》2024年第S2期49-54,共6页刘琨 赵文博 宫兆虎 陈长 柴晓明 张斌 方超 曾未 
科技部重点研发计划“核反应堆系统多物理耦合动态响应分析技术研究”项目(2022YFB1902300)。
为验证新研发程序,采用新一代的Pin-by-Pin求解程序包KYLIN V2.0-CORCA-SPn,开展了针对福清核电厂5号机组首循环实测数据的验证分析。研究结果表明,控制棒价值最大相对偏差为N2棒组,为7.17%,其余棒组相对偏差均小于5%,循环内的临界反应...
关键词：简化球谐函数方法 Pin-by-pin 压水堆 堆芯计算 华龙一号 
160Msps双通道时间交织的采样保持电路设计
《集成电路应用》2023年第11期1-3,共3页汪杰 谢亮 
阐述一种双通道时间交织采样保持电路的设计,它是基于电源电压3.3V,0.13μm CMOS工艺,应用于12位160Msps双通道时间交织流水线模数转换器(ADC)中,改善型栅压自举开关被设计用来实现高的线性度。仿真结果表明,当采样速率为160Msps时,有...
关键词：采样保持电路 ADC 时间交织 栅压自举开关 
碳化硅MOSFET基于栅压延时关断方法的结温监测技术研究被引量：1
《机车电传动》2023年第5期145-151,共7页周维 王勇志 魏晓慧 郭维立 何勇 
湖南省重点研发计划项目(2022GK2006)。
准确监测功率器件结温一直是器件厂商及应用端非常重要的一项工作。主流的温敏电参数法由于响应速度快、测量准确,被广泛地应用于各个领域。目前在硅基器件应用上已相对成熟,然而由于碳化硅器件的高开关特性及栅极氧化层缺陷,采用电参...
关键词：栅极电压延时 温敏电参数 结构函数 碳化硅MOSFET 热阻 
一种用于Pipeline ADC的高线性度栅压自举开关
《微电子学》2023年第5期758-763,共6页王巍 税绍林 戴佳洪 赵汝法 刘斌政 袁军 马力 王育新 王妍 
重庆市科技局产业化项目(CSTC2018JSZX-CYZTZX0211,CSTC2018JSZX-CYZTZX0048);模拟集成电路国家级重点实验室开放项目(2022-JCJQ-LB-049-1);重庆市科技局自然科学基金(CSTB2022NSCQ-MSX1389);重庆市留学人员回国创业创新支持计划(2204012976831207)
在流水线模数转换器(Pipeline ADC)电路中,栅压自举开关中的非线性电容会对开关管的导通电阻产生直接的影响,导致采样非线性。设计了一种三路径的高线性度栅压自举开关,采用三个自举电容,分别构成两条主路径和一条辅助路径,使得输入信...
关键词：栅压自举开关 采样保持电路 非线性电容 主路径 辅助路径 
不同栅压下Si-n型金属氧化物半导体场效应管总剂量效应的瞬态特性仿真
《物理学报》2023年第13期230-236,共7页张林 马林东 杜林 李艳波 徐先峰 黄鑫蓉 
国家重点研发计划(批准号:2020YFC2200300);上海市自然科学基金(批准号:20ZR1435700);陕西省重点研发计划(批准号:2021KW-13)资助的课题
为了实现半导体器件在电离辐射环境中电学特性的动态退化过程,本文基于总剂量效应中陷阱对载流子的俘获/发射过程,建立了Si-n型金属氧化物半导体场效应管总剂量效应的瞬态特性数值模型.仿真了不同栅极偏压下,器件电学特性随累积总剂量...
关键词：辐照 总剂量 模型 金属氧化物半导体场效应管 
应用于宽带的AlGaN/GaN MIS-HEMT高效率器件
《红外与毫米波学报》2023年第3期339-344,共6页陈晓娟 张昇 张一川 李艳奎 高润华 刘新宇 魏珂 
Supported by the National Natural Science Foundation of China (61822407,62074161,62004213);the National Key Research and Development Program of China under (2018YFE0125700)。
本文采用等离子体增强原子层沉积(PEALD)生长的SiN_(x)栅介质制备了宽带应用的AlGaN/GaN金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs),并在直流、小信号及大信号测试中评估了该介质层对器件性能的提升。测试结果表明改进器件具有高...
关键词：MIS-HEMTs SiN_(x)栅介质 功率附加效率 栅压摆幅 宽带 
微电子所在有机分子晶体器件的载流子输运研究中获进展
《高科技与产业化》2023年第1期78-88,共11页
近日,中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室在有机分子晶体器件的载流子输运研究中取得重要进展。相比于传统基于无序半导体材料的场效应晶体管中掺杂引起的缺陷钝化(trap-healing)现象,由有序单晶电荷转移界面制备的...
关键词：场效应晶体管 载流子输运 微电子研究所 微电子器件 半导体材料 迁移率 微电子所 栅压 
一种两步式斜坡ADC非理想特性分析及设计
《西安邮电大学学报》2022年第6期7-13,共7页佟星元 王杨 
国家自然科学基金项目(62271389);陕西省重点科研计划项目(22JY058)。
为了减小两步式斜坡(Two-step Single Slope, TS-SS)模数转换器(Analog-to-Digital Converter, ADC)中寄生电容导致的误差电压,提出了一种两步式斜坡ADC非理想特性分析及设计方法。分析了保持电路非理想特性对整体TS-SS ADC性能的影响,...
关键词：模数转换器 两步式 斜坡ADC 寄生电容 栅压自举开关 
14bit逐次逼近型模数转换器设计
《中文科技期刊数据库（全文版）工程技术》2022年第10期152-155,共4页郭佳宇 罗志宇 
本文提出了一种逐次逼近型模数转换器的设计,采用了tsmc65nm工艺。在1MS的时钟频率下,分辨率为14bit,信噪失真比为86 dB,无杂散动态范围为86db。动态比较器具有比较速度快、功耗低的特点,本文采用了采用了双电流控制型动态锁存比较器以...
关键词：高速高精度SAR ADC 动态比较器 栅压自举电路 
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