微电子所在有机分子晶体器件的载流子输运研究中获进展  

出　　处：《高科技与产业化》2023年第1期78-88,共11页High-Technology & Commercialization

摘　　要：近日,中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室在有机分子晶体器件的载流子输运研究中取得重要进展。相比于传统基于无序半导体材料的场效应晶体管中掺杂引起的缺陷钝化(trap-healing)现象,由有序单晶电荷转移界面制备的场效应晶体管整体电导、迁移率高,并具有跨导不依赖于栅压的电学特性,这表明迁移率的提高取决于trap-healing效应,且存在其他影响电学性能的机制。

关 键 词：场效应晶体管 载流子输运 微电子研究所 微电子器件 半导体材料 迁移率 微电子所 栅压 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]