金属氧化物半导体场效应管

作品数：67被引量：130H指数：7
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电磁脉冲应力下MOSFET器件退化机制研究
《集成电路与嵌入式系统》2024年第5期55-59,共5页宋斌斌 王凯 鹿祥宾 单书珊 罗宗兰 栗磊 赫嘉楠 
国家电网有限公司总部科技项目资助(基于失效风险评估的继电保护防存储单元异常以及加固技术研究:5100202335010A 11 ZN)。
针对电力应用场景中电磁脉冲导致芯片性能异常退化、芯片内MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)等器件失效机理不清晰等问题,本研究采用幅值和宽度分别为8 V和100 ns的TLP(Transmission Line Pulse)脉冲施加至5 ...
关键词：金属氧化物半导体场效应管 电磁脉冲 阈值电压 跨导 迁移率 
桥式电路中SiC MOSFET串扰峰值预测算法研究被引量：3
《中国电机工程学报》2023年第22期8862-8873,共12页刘恒阳 孔武斌 涂钧耀 楼航船 巫翔龙 李大伟 曲荣海 
国家自然科学基金项目(51977095);广东省基础与应用基础研究基金项目(2021B1515120044)。
文中针对串扰电压峰值与驱动回路阻抗间的非线性关系,分段分析共源电感存在时串扰产生机理,提出一种碳化硅(silicon carbide,SiC)金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)串扰电压的分析...
关键词：碳化硅金属氧化物半导体场效应管 驱动阻抗设计 串扰预测 共源电感 
不同栅压下Si-n型金属氧化物半导体场效应管总剂量效应的瞬态特性仿真
《物理学报》2023年第13期230-236,共7页张林 马林东 杜林 李艳波 徐先峰 黄鑫蓉 
国家重点研发计划(批准号:2020YFC2200300);上海市自然科学基金(批准号:20ZR1435700);陕西省重点研发计划(批准号:2021KW-13)资助的课题
为了实现半导体器件在电离辐射环境中电学特性的动态退化过程,本文基于总剂量效应中陷阱对载流子的俘获/发射过程,建立了Si-n型金属氧化物半导体场效应管总剂量效应的瞬态特性数值模型.仿真了不同栅极偏压下,器件电学特性随累积总剂量...
关键词：辐照 总剂量 模型 金属氧化物半导体场效应管 
提升桥式电路中SiC MOSFET关断性能和栅极电压稳定性的有源驱动电路研究被引量：6
《中国电机工程学报》2022年第21期7922-7933,共12页李虹 邱志东 杜海涛 邵天骢 王作兴 
国家自然科学基金优秀青年基金项目(51822701);国家自然科学基金委员会–国家电网公司智能电网联合基金(U1866211);台达电力电子科教发展计划2021年重点项目(DREK2021004)。
碳化硅金属氧化物半导体场效应管(silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor,SiC MOSFET)以其低开关损耗、高工作频率、高开关速度等优点越来越广泛地应用于各类电力电子变换器。然而,电路中寄生电感的存在...
关键词：碳化硅金属氧化物半导体场效应管 电压尖峰和振荡 串扰 有源驱动 电磁干扰 
SiC MOSFET栅源电压评估及驱动回路参数优化设计方法被引量：7
《中国电机工程学报》2022年第18期6823-6834,共12页秦海鸿 谢斯璇 卜飞飞 陈文明 黄文新 
南京电子器件研究所宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室开放基金(2019KF001);国家自然科学基金项目(51677089)。
为减少碳化硅(silicon carbide,SiC)金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)的开关时间和导通电阻以提高效率,通常建议驱动电路采用更低的驱动电阻及更高的驱动电压。但是,由于实际驱动...
关键词：碳化硅金属氧化物半导体场效应管 寄生参数 栅源电压 驱动参数设计 
改善SiC MOSFET开关性能的变电压有源驱动电路研究被引量：4
《太阳能学报》2022年第1期362-368,共7页李先允 卢乙 倪喜军 王书征 张宇 唐昕杰 
江苏省重点研发计划(BE201830)。
碳化硅(silicon carbide,SiC)金属氧化物半导体场效应管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)开关过程中存在电流、电压过冲和振荡问题,这会产生额外的损耗,甚至造成器件损坏。文章提出一种用于SiC MOSFET的变...
关键词：碳化硅金属氧化物半导体场效应管(SiC MOSFET) 有源驱动 过冲 振荡 光伏变压器 
改善SiC MOSFET开关特性的有源驱动电路研究被引量：4
《电气传动》2021年第16期21-26,共6页卢乙 李先允 王书征 何鸿天 周子涵 
江苏省重点研发计划项目(BE2018130);江苏省普通高校研究生科研创新计划项目(SJCX19_0530);江苏省普通高校研究生科研创新计划项目(SJCX19_0532)。
针对碳化硅金属氧化物半导体场效应管(SiCMOSFET)开关过程中存在的电流、电压过冲和振荡问题,首先对SiCMOSFET的开关过程进行详细分析,得出电流、电压过冲和震荡的产生机理,然后根据影响过冲和振荡的关键因素,分别提出了电流注入型、变...
关键词：碳化硅金属氧化物半导体场效应管(SiCMOSFET) 有源驱动电路 LTspice仿真软件 过冲 振荡 
SiC MOSFET模块结温监测研究被引量：3
《电源学报》2021年第3期169-174,共6页李凌云 何芹芹 黄德雷 
碳化硅金属氧化物半导体场效应管SiC MOSFET(silicon carbide metal oxide semiconductor field effect tra-nsistor)以其优异的材料特性成为一种很有前景的高功率密度和高效率器件,而结温是其设计和工作的一个重要参数,也是健康状态的...
关键词：结温提取 碳化硅(SiC) 金属氧化物半导体场效应管(MOSFET) 阈值电压 
寄生电感对SiC MOSFET开关损耗测量的影响被引量：2
《电力电子技术》2021年第6期141-145,共5页李欣宜 王泽峰 邵帅 张军明 
国家重点研发计划(2016YFB0400504)。
双脉冲测试是评估器件动态特性的重要手段。测试电路的寄生参数将对测试结果产生直接影响。基于双脉冲测试平台,研究并评估寄生电感对碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)开关损耗测量的影响。首先,用低感电阻替换测试电路中...
关键词：寄生电感 开关损耗 金属氧化物半导体场效应管 
抑制SiC MOSFET瞬态电压尖峰的改进驱动电路设计被引量：1
《科技创新与应用》2021年第14期21-23,27,共4页王文月 牛萍娟 
与硅器件相比,碳化硅金属氧化物半导体场效应管(SiC MOSFET)具有更高的开关频率与开关速度,使得传统驱动下SiC MOSFET受寄生参数影响电压尖峰问题更为严重。而现有抑制瞬态电压尖峰方法作用有限,往往会增加开关延时与开关损耗且控制程...
关键词：碳化硅金属氧化物半导体场效应管 电压尖峰 驱动电路 
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