张宇

作品数：2被引量：17H指数：2
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供职机构：南京工程学院更多>>
发文主题：辅助电路门极三极管MOSFETSIC更多>>
发文领域：电气工程自动化与计算机技术电子电信一般工业技术更多>>
发文期刊：《太阳能学报》《中国电机工程学报》更多>>
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改善SiC MOSFET开关性能的变电压有源驱动电路研究被引量：4
《太阳能学报》2022年第1期362-368,共7页李先允 卢乙 倪喜军 王书征 张宇 唐昕杰 
江苏省重点研发计划(BE201830)。
碳化硅(silicon carbide,SiC)金属氧化物半导体场效应管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)开关过程中存在电流、电压过冲和振荡问题,这会产生额外的损耗,甚至造成器件损坏。文章提出一种用于SiC MOSFET的变...
关键词：碳化硅金属氧化物半导体场效应管(SiC MOSFET) 有源驱动 过冲 振荡 光伏变压器 
一种改进SiC MOSFET开关性能的有源驱动电路被引量：13
《中国电机工程学报》2020年第18期5760-5769,共10页李先允 卢乙 倪喜军 王书征 张宇 唐昕杰 
江苏省重点研发计划项目(BE2018130);江苏省产学研合作项目(BY2019039)。
与硅金属氧化物半导体场效应管(silicon metal oxide semiconductor field effect transistor,SiMOSFET)相比,碳化硅(silicon carbide,SiC) MOSFET具有更高的击穿电压,更低的导通电阻,更快的开关速度和更高的工作温度,正被广泛应用于光...
关键词：碳化硅金属氧化物半导体场效应管 有源驱动电路 过冲 振荡 
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