全球氮化镓肖特基二极管专利分析  

作　　者：罗晓雅[1] 黄丽娜 

机构地区：[1]国家知识产权局专利局专利审查协作北京中心

出　　处：《中国科技信息》2023年第20期41-44,共4页China Science and Technology Information

摘　　要：技术概述氮化镓(GaN)材料作为第三代半导体的代表,具有宽带隙(3.4eV)、高临界击穿电场(3.3MV/cm)、高电子饱和漂移速率的优异特性,特别是AlGaN/GaN异质结界面能够形成高浓度二维电子气(2DEG),具有高达2000cm^(2)(V.S)的电子迁移率,使得GaN材料在高压、大功率、低损耗和高频率方面都具有显著优势。相对于PN结二极管,肖特基势垒二极管(SBD)由于载流子的注入和移除速度快,能够在高频信号处理过程中快速实现导通和截止状态的切换,同时肖特基势垒二极管还具有正向导通电压低的优点,能够减少能量消耗,提高电路效率。因此,肖特基势垒二极管能够广泛应用于高频信号电路以及各种电源设备,用于实现整流,变频等功能。GaN肖特基势垒二极管可以同时实现高击穿电压、高开关频率、大电流和低导通电阻,进而大幅降低微波、毫米波频率下的器件损耗,是实现微波、毫米波系统低功耗、高功率、高可靠性的关键。

关 键 词：肖特基二极管 临界击穿电场 电子迁移率 正向导通 低导通电阻 高开关频率 电源设备 击穿电压 

分 类 号：TN311.7[电子电信—物理电子学]