“十四五”计划中的氮化镓GaN  

出　　处：《半导体信息》2021年第2期2-3,共2页Semiconductor Information

摘　　要：科技部发布“十四五”国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”重点专项2021年度项目申报指南(征求意见稿),其中涉及到氮化镓的有多个项目。面向大数据中心应用的GaN基高效功率电子材料与器件(共性关键技术)研究内容:研究大尺寸Si衬底上GaN薄膜及其异质结构的大失配外延生长和缺陷/应力控制技术;研究材料中点缺陷、杂质对器件性能的影响规律及其表征方法;研究器件阈值电压漂移机制及栅压摆幅提升技术;研究高耐压、低导通电阻及高可靠性器件设计与产业化制备技术;研究GaN基高压桥式电路及其驱动电路集成技术;研究电压/电流振荡抑制技术和电磁干扰改善技术以及高转化效率电路拓扑,推动GaN基高效功率电子材料与器件在数据中心服务器领域的应用。

关 键 词：低导通电阻 异质结构 外延生长 氮化镓 大数据中心 栅压 共性关键技术 桥式电路 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]