东芝级联共源共栅技术解决GaN应用痛点  

作　　者：黄文源 

机构地区：[1]东芝电子元件(上海)有限公司半导体技术统括部技术企划部

出　　处：《电子产品世界》2022年第7期9-9,共1页Electronic Engineering & Product World

摘　　要：和传统的硅功率半导体相比,GaN(氮化镓)和SiC(碳化硅)有着更高的电压能力、更快的开关速度、更高的工作温度、更低导通电阻、功率耗散小、能效高等共同的优异的性能,是近几年来新兴的半导体材料。但他们也存在着各自不同的特性,简单来说,GaN的开关速度比SiC快,SiC工作电压比GaN更高。GaN的寄生参数极小,开关速度极高。

关 键 词：开关速度 功率半导体 半导体材料 低导通电阻 共源共栅 功率耗散 寄生参数 氮化镓 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]