硅器件

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基于SiC器件的大功率高功率密度弧焊电源
《焊接》2025年第4期34-42,49,共10页赵千淇 程旭峰 郝欣 李赫 
教育部产学合作协同育人项目(220501768073535)。
【目的】旨在解决当前传统的工业级弧焊电源的效率低、功率密度低等问题。【方法】研制了一种基于SiC器件的大功率高功率密度弧焊电源,该电源的开关器件采用SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-oxide-semiconductor field-effect t...
关键词：高频逆变 碳化硅器件 高功率密度 单板结构设计 弧焊电源 
基于碳化硅器件的电力电子变压器单元设计
《电力电子技术》2025年第2期23-26,共4页徐海 张雨莹 刘祥洋 
国家自然科学基金(51777053)。
电力电子变压器(PET)因便于模块化集成、接口灵活丰富而不失为一种变压器的良好替代方案。第3代半导体材料碳化硅(SiC)的发展为PET在中高压领域的应用拓展了道路,同时现场可编程门阵列(FPGA)的快速高精度并行处理和多通道输出为实现变...
关键词：电力电子变压器 碳化硅 现场可编程门阵列 谐振变换单元 
面向新型碳化硅器件的随机脉冲谐波抑制方法
《制造业自动化》2024年第10期165-171,共7页叶国云 张文龙 叶青云 张巍 闫鲲鹏 
宁波市科技创新2025重大专项(2021Z068,2022Z065,2023Z041);宁波市象山县科技计划(2022B1021)。
新型碳化硅器件在对电机进行驱动时,容易在开关频率及其倍频附近产生谐波,从而对电机的转动造成影响。针对此问题,提出了一种基于马尔科夫链的随机脉冲SVPWM谐波抑制方法。首先,通过对传统SVPWM的调制原理及谐波电流的产生进行分析;其次...
关键词：碳化硅 空间矢量脉宽调制 随机脉冲位置 马尔科夫链 谐波抑制 
基于宽禁带器件的新型配网三相功率调节装置的设计与研究
《电工技术》2024年第19期46-49,54,共5页袁俊球 王迪 邓中诚 秦斌 张茜颖 
大量分布式新能源接入配电系统后,其出力不确定性使配电网功率分布复杂,三相功率不平衡问题突出。目前国内主流的三相有源不平衡治理装置硬件受系统限制,无法从根本上解决发热和开关频率问题,而新型碳化硅宽禁带开关器具有耐压、低损耗...
关键词：三相功率不平衡 碳化硅器件 宽禁带器件 三相功率调节 新型配电网 
碳化硅,别“卷偏了”!
《中国粉体工业》2024年第4期48-49,53,共3页
碳化硅有多火,就不必多说了。碳化硅衬底技术壁垒高,为价值链条核心环节。碳化硅器件价值量存在倒挂,其成本主要集中在衬底和外延,根据CASA数据,两者占成本比例合计70%。其中,衬底制造技术壁垒最高,成本占比高达47%,是最核心环节。
关键词：碳化硅衬底 碳化硅器件 技术壁垒 核心环节 价值量 成本比例 
1 MHz硅器件LLC-DCX变换器设计与优化
《电力电子技术》2024年第8期83-86,共4页尹庆隆 周治成 吕托 崔梦宇 
国家自然科学基金(52177181)。
LLC-DCX变换器的软开关特性可以显著降低开关损耗及器件应力,在航空航天等高功率密度要求的场景下,是一种实现母线电压变换以及电气隔离功能的优异拓扑。高功率密度意味着高开关频率,但在这些应用场景下宽禁带器件的应用受到了限制。这...
关键词：变换器 零电压开通 同步整流管 状态平面建模 
冲破藩篱 迎接碳化硅的高光时刻
《变频器世界》2024年第7期1-1,共1页《变频器世界》编辑部 
提到碳化硅(SiC),许多人首先想到的是其性能特点:低阻抗、高频率、小尺寸和高运行温度,使其特别适合制造大功率电子器件。然而,在碳化硅的应用推广中,人们常常抱怨其高成本。但随着技术进步和市场需求的驱动,碳化硅器件正逐步取代硅器件...
关键词：碳化硅 大功率电子器件 运行温度 硅器件 市场需求 应用推广 性能特点 低阻抗 
内嵌NPN结构的高维持电压可控硅器件
《电子与封装》2024年第7期75-79,共5页陈泓全 齐钊 王卓 赵菲 乔明 
四川省重点研发项目(2022YFG0165);航空科学基金项目(201943080002);重庆市自然科学基金面上项目(cstc2021jcyj-msxmX1023)。
针对传统可控硅(SCR)器件触发电压高、维持电压低、闩锁风险大等问题,提出了一种内嵌NPN结构的高维持电压SCR器件。维持电压由传统器件的1.2 V增大到10.3 V。与传统结构相比,该新型SCR结构体内存在2条电流路径,通过嵌入的NPN电流路径延...
关键词：内嵌NPN结构 静电放电 维持电压 SCR 
基于分离变量法的功率碳化硅器件热场分析
《微电机》2024年第6期30-35,共6页李茂泉 郗珂庆 尹海韬 王志业 贾萍 
针对电机驱动中SiC MOSFET模块发热及其在自身器件内热量传导问题,分析功耗来源和计算方法,计算功率器件工作时的功耗,建立功率器件热模型,结合模块属性和参数,列出传热方程并确定边界条件,最终得出一种基于分离变量法快速计算功率器件...
关键词：SiC MOSFET 热损耗 热模型 热量计算 
一种碳化硅与硅器件混合型三电平有源中点钳位零电压转换软开关变流器被引量：2
《电工技术学报》2024年第8期2496-2510,共15页李锦 党恩帅 范雨顺 董航飞 刘进军 
该文提出一种碳化硅与硅(SiC&Si)器件混合型三电平有源中点钳位零电压转换(3L-ANPC ZVT)变流器拓扑。该拓扑中每相主电路采用两个SiC MOSFET器件工作在高频,其余主电路开关为Si器件工作在低频,通过辅助电路使得SiC器件工作在ZVT软开关...
关键词：损耗建模 逆变器 软开关 零电压转换 多电平变流器 
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