赵菲

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内嵌NPN结构的高维持电压可控硅器件
《电子与封装》2024年第7期75-79,共5页陈泓全 齐钊 王卓 赵菲 乔明 
四川省重点研发项目(2022YFG0165);航空科学基金项目(201943080002);重庆市自然科学基金面上项目(cstc2021jcyj-msxmX1023)。
针对传统可控硅(SCR)器件触发电压高、维持电压低、闩锁风险大等问题,提出了一种内嵌NPN结构的高维持电压SCR器件。维持电压由传统器件的1.2 V增大到10.3 V。与传统结构相比,该新型SCR结构体内存在2条电流路径,通过嵌入的NPN电流路径延...
关键词：内嵌NPN结构 静电放电 维持电压 SCR 
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