云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 异质结二极管

异质结二极管: 作品数：16被引量：36H指数：4; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：张玉明易波廖飞黄旋张波更多>>; 相关机构：电子科技大学西安电子科技大学杭州谱析光晶半导体科技有限公司南京航空航天大学更多>>; 相关期刊：《激光与光电子学进展》《固体电子学研究与进展》《甘肃科技》《Journal of Semiconductors》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金四川省应用基础研究计划项目长江学者和创新团队发展计划国家高技术研究发展计划更多>>

氧化镍/氧化镓异质结二极管台面终端技术研究: 《人工晶体学报》2025年第3期517-523,共7页文俊棚郝伟兵韩照徐光伟龙世兵; 超宽禁带半导体氧化镓具有高临界击穿场强、低导通损耗等优势,是制作新一代大功率、高效率功率器件的理想半导体材料。然而,目前氧化镓二极管的实际性能和理论极限相比仍有差距,迫切需要开发高效边缘终端来削弱峰值电场,提高器件的击穿...; 关键词：氧化镓氧化镍异质结二极管台面终端退火击穿电压

西安电子科技大学在超宽禁带半导体氧化镓功率器件研究方面取得重要进展被引量：1: 《陕西教育（高教版）》2022年第10期9-9,共1页; 近期,西安电子科技大学郝跃院士团队张进成教授、周弘教授等在超宽禁带半导体氧化镓功率器件研究方面取得重要进展,研制出一种新型的空穴超注入p-NiO/n-Ga_(2)O_(3)半导体异质结二极管。该结构通过异质结空穴超注入效应,实现了兼具超高...; 关键词：宽禁带半导体氧化镓半导体器件功率二极管低导通电阻异质结二极管电能转换国际期刊

混合P-i-N和异质结二极管的设计与仿真: 《固体电子学研究与进展》2017年第3期172-175,181,共5页王赫余王颖; 国家自然科学基金资助项目(51371063); 设计了一个混合P-i-N和多晶硅/4H-SiC异质结的二极管结构(MPH diode)。当正向偏置时,异质结区在低电压下开启,随着正偏电压的不断加大,P^+4H-SiC区域注入少数载流子到漂移区,在异质结下就会有明显的电导调制效应。异质结部分的正向传导...; 关键词：异质结碳化硅 P-I-N二极管反向恢复高频

磁控溅射AlN:Mg/ZnO:Al异质结二极管及其光电特性的研究: 《电子器件》2011年第5期485-488,共4页赵启义祁康成李国栋李鹏; 四川省应用基础研究项目(2009JY0054); 利用磁控溅射方法,在ITO玻璃基底上分别溅射镁掺杂的氮化铝(AlN:Mg)薄膜、铝掺杂的氧化锌(ZnO:Al或AZO)薄膜,成功制备AlN:Mg/ZnO:Al透明异质结二极管。实验结果表明:AlN:Mg/ZnO:Al异质结具有明显的I-V整流特性,正向开启电压1 V左右,在...; 关键词：磁控溅射 AlN:Mg薄膜 AZO薄膜异质结二极管

磁控溅射NiO/ZnO透明异质结二极管及其光电特性研究被引量：5: 《电子器件》2011年第1期33-35,共3页张国宏祁康成权祥文永亮; 四川省应用基础研究项目资助(2009JY0054)"ZnO/a-Si异质结太阳能电池研究"; 采用磁控溅射方法在ITO玻璃基板上沉积NiO,ZnO,AZO三层透明氧化物薄膜,成功制备了NiO/ZnO透明异质结二极管。实验结果表明,PN结展示出明显的I-V整流特性,正向开启电压1V;在氙灯光照条件下,二极管反向电流在5V偏置时,达到1.5mA。二极管...; 关键词：磁控溅射NiO/ZnO 异质结二极管

生长在p-GaAs衬底上的ZnO基异质结二极管电致发光(英文)被引量：5: 《发光学报》2010年第6期854-858,共5页李炳辉姚斌李永峰邓蕊张振中刘卫卫单崇新张吉英申德振; Project supported by the Key Project of National Natural Science Foundation of China(50532050);the"973"program (2006CB604906);the Knowledge Innovation Project of Chinese Academy of Sciences;the National Natural Science Foundation of China(60806002,60506014,10874178,10674133,60776011)~~; 利用等离子体辅助分子束外延在p型砷化镓衬底上制备了ZnO异质结发光二极管。实验表明:GaAs与ZnO之间的氧化镁绝缘层能够有效改善器件光电性能,I-V特性的研究表明该器件具有良好的整流特性,开启电压为3 V,电致发光光谱由一个紫外发光峰...; 关键词：氧化锌分子束外延电致发光发光二极管

电沉积法制备ZnO薄膜的结构与光电性能研究被引量：4: 《压电与声光》2009年第3期414-417,共4页李丹沈鸿烈鲁林峰黄海宾李斌斌; 国家"八六三"计划基金资助项目(2006AA03Z219);南京航空航天大学引进人才基金资助项目(S0417061);长江学者和创新团队发展计划基金资助项目(IRT0534); 以硝酸锌和硝酸钾混和溶液为电解液，采用两电极体系在SnO2：F（FTO）片和p-Si（100）衬底上用不同沉积电压制备了c轴取向的ZnO薄膜。用X-射线衍射、扫描电子显微镜和分光光度计分析了薄膜的相结构，晶粒尺寸和光吸收特性。发现薄膜的（...; 关键词：ZNO薄膜电沉积异质结二极管光生电流效应

n-GaSb/p-GaAs异质结二极管发光特性的数值分析被引量：2: 《甘肃科技》2007年第5期109-110,26,共3页张开彪王红艳; 利用非平衡载流子的连续性方程,结合GaAs/GaSb异质结器件的特点,运用了大注入情况下的边界条件,对载流子的复合过程进行了数值分析,数值结果与所报道的实验结果符合。; 关键词：异质结二极管非平衡载流子连续性方程

纳米硅/单晶硅异质结二极管的I-V特性被引量：4: 《物理学报》2003年第11期2875-2878,共4页刘明刘宏何宇亮; 国家自然科学基金 (批准号 :60 2 3 60 10 )资助的课题~~; 用纳米硅 (nc_Si∶H)薄膜制成了纳米硅单晶硅 (nc_Si∶H c_Si)异质结二极管 ,对nc_Si∶H c_Si异质结的特性进行了研究 ,它具有很好的温度稳定性 .温度从 2 0℃上升到 2 0 0℃ ,I_V曲线只有很小的漂移 .对nc_Si∶H c_Si异质结二极管的...; 关键词：纳米硅薄膜异质结二极管输运机理禁带宽度伏安特性隧穿模型热电子发射模型扩散模型

150W准连续A1GaAs/GaAs异质结二极管线阵: 《激光与光电子学进展》2002年第4期36-37,共2页白光; <正>1引言激光二极管线阵是固体激光器抽运系统的一种基本元件。研制和生产二极管线阵的复杂性在于,它是含有50~100个单条或多条激光结构的集成单块器件,它的总宽度约为10mm。仅在所有条状激光器输出特性高度均匀时才能得到功率大于100...; 关键词：激光二极管异质结二极管 A1GaAs/GaAs 线阵

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