磁控溅射NiO/ZnO透明异质结二极管及其光电特性研究  被引量:5

NiO/ZnO Hetero-Junction Diode by Magnetron Sputtering and Their Optoelectrical Characteristics

在线阅读下载全文

作  者:张国宏[1] 祁康成[1] 权祥[1] 文永亮[1] 

机构地区:[1]电子科技大学光电信息学院,成都610054

出  处:《电子器件》2011年第1期33-35,共3页Chinese Journal of Electron Devices

基  金:四川省应用基础研究项目资助(2009JY0054)"ZnO/a-Si异质结太阳能电池研究"

摘  要:采用磁控溅射方法在ITO玻璃基板上沉积NiO,ZnO,AZO三层透明氧化物薄膜,成功制备了NiO/ZnO透明异质结二极管。实验结果表明,PN结展示出明显的I-V整流特性,正向开启电压1V;在氙灯光照条件下,二极管反向电流在5V偏置时,达到1.5mA。二极管在可见光的平均透过率约为25%。Transparent trilayerd oxide films of NiO,ZnO,AZO were deposited on an ITO glass substrate by magnetron sputtering,and were processed to fabricate a p-NiO/n-ZnO transparent diode.The diode exhibited a clear rectifying I-V characteristic with a forward threshold voltage of 1 V.Through the application of a reverse bias of 5 V under the irradiation of Xenon lamp,the reverse current approached to 1.5 mA.The average transmittance of the diode was about 25%.

关 键 词:磁控溅射NiO/ZnO 异质结二极管 

分 类 号:TN313.2[电子电信—物理电子学]

 

参考文献:

正在载入数据...

 

二级参考文献:

正在载入数据...

 

耦合文献:

正在载入数据...

 

引证文献:

正在载入数据...

 

二级引证文献:

正在载入数据...

 

同被引文献:

正在载入数据...

 

相关期刊文献:

正在载入数据...

相关的主题
相关的作者对象
相关的机构对象