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检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:张国宏[1] 祁康成[1] 权祥[1] 文永亮[1]
出 处:《电子器件》2011年第1期33-35,共3页Chinese Journal of Electron Devices
基 金:四川省应用基础研究项目资助(2009JY0054)"ZnO/a-Si异质结太阳能电池研究"
摘 要:采用磁控溅射方法在ITO玻璃基板上沉积NiO,ZnO,AZO三层透明氧化物薄膜,成功制备了NiO/ZnO透明异质结二极管。实验结果表明,PN结展示出明显的I-V整流特性,正向开启电压1V;在氙灯光照条件下,二极管反向电流在5V偏置时,达到1.5mA。二极管在可见光的平均透过率约为25%。Transparent trilayerd oxide films of NiO,ZnO,AZO were deposited on an ITO glass substrate by magnetron sputtering,and were processed to fabricate a p-NiO/n-ZnO transparent diode.The diode exhibited a clear rectifying I-V characteristic with a forward threshold voltage of 1 V.Through the application of a reverse bias of 5 V under the irradiation of Xenon lamp,the reverse current approached to 1.5 mA.The average transmittance of the diode was about 25%.
关 键 词:磁控溅射NiO/ZnO 异质结二极管
分 类 号:TN313.2[电子电信—物理电子学]
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