P-I-N二极管

作品数：9被引量：13H指数：2
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高压非穿通P-i-N二极管等离子体抽取渡越振荡集总电路模型及封装抑制方法研究被引量：1
《中国电机工程学报》2023年第1期263-273,共11页朱安康 包鑫康 陈宇 周宇 罗皓泽 李武华 何湘宁 
国家自然科学基金项目(U1834205,52107211);浙江省“尖兵”“领雁”研发攻关计划(2022C01094)。
高压非穿通P-i-N二极管反向恢复阶段产生等离子抽取渡越时间(plasma extraction transit time,PETT)振荡,对功率模块的驱动电路和设备EMC性能造成严重干扰。文中根据二极管PETT振荡阶段载流子运行特征将器件内部分为等离子区、漂移区和...
关键词：焊接式模块 非穿通P-i-N二极管 等离子抽取渡越时间振荡 集总电路模型 封装抑制方法 
基于氮化镓单晶的垂直p-i-n二极管性能研究被引量：1
《半导体光电》2021年第5期620-623,共4页张敏 金浩妮 万飞 宗平 白煜 
国家自然科学基金项目(22005237);江苏省自然科学基金项目(BK20191188,BK20190221);江苏省引智项目(BX2020032)。
利用高质量自支撑Ga N衬底,通过外延方法制备了垂直结构的Ga N基p-i-n型二极管结构。通过对材料结构、杂质浓度分布以及对器件整流特性的研究,探究了影响垂直结构器件特性的关键因素。结果表明,在同质外延的制备过程中,衬底表面的粗糙...
关键词：Ga N P-I-N 垂直结构 反向漏电 
混合P-i-N和异质结二极管的设计与仿真
《固体电子学研究与进展》2017年第3期172-175,181,共5页王赫余 王颖 
国家自然科学基金资助项目(51371063)
设计了一个混合P-i-N和多晶硅/4H-SiC异质结的二极管结构(MPH diode)。当正向偏置时,异质结区在低电压下开启,随着正偏电压的不断加大,P^+4H-SiC区域注入少数载流子到漂移区,在异质结下就会有明显的电导调制效应。异质结部分的正向传导...
关键词：异质结 碳化硅 P-I-N二极管 反向恢复 高频 
高压P-i-N二极管关断瞬态综合失效机理分析被引量：4
《电工技术学报》2016年第20期161-169,共9页罗皓泽 李武华 何湘宁 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2014CB247400)
针对商用高电压大功率多芯片P-i-N二极管在钳位型电感负载电路中,在额定电气参数下发生的瞬态失效现象,分别从电路布局和器件机理层面讨论了各因素对二极管芯片失效的作用影响。首先,通过考察二极管模块内部失效芯片的位置和故障波形,...
关键词：大功率电力电子器件 电流密度不均 瞬态热失控 雪崩击穿 综合失效机理 
锗硅HBT BiCMOS工艺中的p-i-n开关二极管设计
《半导体技术》2012年第4期271-275,共5页刘冬华 胡君 钱文生 陈帆 陈雄斌 段文婷 
国家科技02重大专项资助项目(2009ZX02303)
介绍了一种集成在BiCMOS工艺的p-i-n开关二极管的器件。它由在STI下面的n型赝埋层作为p-i-n的n区,锗硅npn异质结双极型晶体管的重掺杂外基区作为p-i-n的p区。同时新开发了穿过场氧的深接触孔工艺用于赝埋层的直接引出,并采用p-i-n注入...
关键词：P-I-N二极管 锗硅异质结双极型晶体管 双极互补金属氧化物半导体 赝埋层 工艺和器件仿真 
C波段限幅开关集成芯片被引量：3
《半导体技术》2011年第7期542-544,561,共4页魏洪涛 王强栋 李用兵 
采用GaAs p-i-n二极管单片集成工艺技术研制出C波段限幅开关集成芯片,该芯片集成了微波限幅器和单刀单掷(SPST)开关功能,尺寸仅为2.5 mm×1.0 mm。采用偏置相关S参数测试法建立可定标的p-i-n二极管器件模型,精准的器件模型保证集成芯片...
关键词：砷化镓 P-I-N二极管 限幅器 开关 集成芯片 
ICP刻蚀在GaAs p-i-n工艺中的应用
《微纳电子技术》2010年第8期503-506,共4页张力江 幺锦强 崔玉兴 付兴昌 
基于GaAs p-i-n器件的制造工艺,介绍了器件制造过程中关键工艺步骤p-i层的去除方法,并总结分析了在p-i层去除过程中不同的方法对工艺结果造成的影响。分别采用了湿法腐蚀和干法刻蚀的方法制作了器件,结果表明采用湿法腐蚀的方法去除p-i...
关键词：GAAS 感应耦合等离子体 P-I-N二极管 湿法腐蚀 干法刻蚀 
退火对高Al组分AlGaN P-I-N二极管光电性能的影响被引量：2
《激光与红外》2007年第12期1283-1286,共4页赵鸿燕 司俊杰 鲁正雄 成彩晶 丁嘉欣 张亮 陈慧娟 
研究了不同条件下的退火对高Al组分AlGaN P-I-N二极管性能的影响。研究结果表明,合适的退火条件既能使AlGaN与电极之间形成良好的欧姆接触,同时又能显著降低AlGaNP-I-N二极管的反向漏电流,反偏压5V时,暗电流密度由2.0×10-1A/cm2降为5.7...
关键词：ALGAN P—I—N二极管 退火 欧姆接触 工艺损伤 
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